Fotoelectrodos iluminados por la interfaz sustrato-electrodo (SE) y celdas fotoelectroquímicas.

Un fotoelectrodo para una celda fotoelectroquímica, extendiéndose el fotoelectrodo desde una superficie de extremo delantera (10) a una superficie de extremo trasera (20) opuesta,

en el que la superficie de extremo delantera (10), durante el uso, se irradia con una luz incidente (L) y la superficie de extremo trasera (20), durante el uso, contacta un electrolito de la celda fotoelectroquímica, en el que el fotoelectrodo comprende

- una celda solar de contacto trasero (100) que se extiende desde

- una superficie frontal de la celda solar (110) que, durante el uso, constituye la superficie de extremo delantera (10) del fotoelectrodo a ser irradiada con la luz incidente (L), a

- una superficie trasera de la celda solar (120) opuesta que mira hacia la superficie de extremo trasera (20), en el que la superficie trasera de la celda solar (120) comprende contactos emisores (E) y contactos colectores (C), estando los contactos emisores (E) y colectores (C) separados por primeras aberturas (101,171) de la superficie trasera de la celda solar (120), estando los contactos emisores (E) y los colectores (C) respectivamente recogidos, en una barra colectora de emisores (111) y una barra colectora de colectores (121) y

en el que el fotoelectrodo comprende además

- una capa de pasivación de contactos (130) que cubre la superficie trasera de la celda solar (120) para separar los contactos emisores (E) y los colectores (C) del electrolito durante el uso, en el que la capa de pasivación de contactos (130) comprende, además, segundas aberturas (131) en correspondencia con las primeras aberturas (101, 171) de la superficie trasera de la celda solar (120),

- una capa de resina (140) que cubre las aberturas (101, 171 y 131) y una porción de la capa de pasivación de contactos (130) que está en correspondencia con los contactos colectores (C) tal que durante el uso sólo portadores de carga de los contactos emisores (E) atraviesan la capa de pasivación de contactos (130) en su camino hacia el electrolito, mientras que portadores de carga de los contactos colectores (C) se recogen en la barra colectora de colectores (121), y

- una capa de electrocatalizador (150) que cubre, respectivamente, la capa de resina (140), la capa de pasivación de contactos (130), o ambas, en el que la capa de electrocatalizador (150) constituye la superficie de extremo trasera (20) que, durante el uso, contacta con el electrolito.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15382658.

Solicitante: REPSOL S.A.

Nacionalidad solicitante: España.

Inventor/es: HERNÁNDEZ ALONSO,MARÍA DOLORES, PENELAS PÉREZ,GERMÁN, ANDREU,TERESA, MORANTE,JUAN RAMÓN, ROS,CARLES.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C25B1/00 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.C25B PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS PARA LA PRODUCCION DE COMPUESTOS ORGANICOS O INORGANICOS, O DE NO METALES; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › Producción electrolítica de compuestos inorgánicos o no metales.
  • C25B9/20 C25B […] › C25B 9/00 Células o acoplamientos de células; Elementos de estructura de las células; Acoplamientos de elementos de estructura, p.ej. acoplamientos de electro-diafragma. › del tipo filtro-prensa.
  • H01L31/068 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a homounión, p.ej. células solares PN a homounión de sílice homogéneo o de láminas de sílice policristalino.

PDF original: ES-2733443_T3.pdf

 

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