(09/10/2019) Procedimiento de tratamiento de una superficie libre de un material, que comprende una etapa (E1) de emisión de al menos un primer flujo gaseoso (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E2) de barrido de la superficie libre del material por el primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur) seguida por una etapa (E3) de evacuación del primer flujo por al menos una zona de evacuación (103a-103d), caracterizado por que comprende, simultáneamente a la etapa (E1) de emisión del primer flujo (QL1pur-QL4pur y QCpur), una etapa (E4) de emisión de al menos un segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) formando una cubierta de protección por encima de la superficie libre del material , separada de dicha superficie libre y una etapa (E6) de evacuación del segundo flujo gaseoso (Qapro-Qdpro) por una parte superior de dicha zona de evacuación (103a-103d) de un recipiente , siendo evacuado…

(24/07/2019) Crisol para la fabricación de un lingote de silicio por solidificación que comporta un fondo y paredes laterales formadas al menos parcialmente por un material refractario, caracterizado porque: - el material refractario es grafito que presenta un coeficiente de dilatación térmica medio, en un rango de temperatura comprendido entre la temperatura ambiente y la temperatura de fusión del silicio, superior o igual al coeficiente de dilatación térmica de dicho silicio en dicho rango de temperatura; - las paredes laterales del crisol están al menos en parte recubiertas por una capa impermeable al aire a base de carburo de silicio; - y el crisol comporta un sistema de apriete que conecta dos paredes laterales adyacentes, el sistema de apriete está configurado para autorizar la separación de las dos paredes…

(13/05/2019) Crisol para la solidificación direccional de un lingote de silicio, comprendiendo dicho crisol un molde destinado a recibir silicio en fusión, y un elemento amovible que forma barrera de difusión con las impurezas metálicas y dispuesto en el fondo de la cara interna de dicho molde, estando formado el elemento amovible en todo o en parte por una capa barrera formada por al menos un material seleccionado del grupo constituido por la sílice SiO2, el nitruro de silicio Si3N4, el carburo de silicio SiC, el carbonitruro de silicio, el oxinitruro de silicio, el grafito y sus mezclas y que presenta una pureza de al menos un 99,95% en masa, presentando la capa barrera un grosor propicio para la retención…

(06/03/2019) Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio por recuperación de semillas en un horno de solidificación dirigida, que comprende al menos las etapas que consisten en: (i) disponer de un crisol de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento de semillas de silicio monocristalino de forma en prisma recto, estando el pavimento formado: - de una o varias semillas centrales Gc; y - de unas o varias semillas periféricas Gp, contiguas a las semillas Gc; y (ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recuperación de semillas, según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z); caracterizado por que una semilla Gp presenta una red cristalina simétrica de la red cristalina de la semilla Gc contigua, con respecto al plano P definido por la frontera entre dichas semillas…

(20/02/2019) Un método de refinado y solidificación direccional de silicio para formar un lingote de silicio , que comprende las etapas de: formar una masa fundida del silicio en un recipiente que comprende paredes y un fondo ; poner en contacto una capa de contacto de una placa de contacto de temperatura controlada con la superficie de la masa fundida , comprendiendo dicha placa de contacto de temperatura controlada una capa conductora de calor en contacto operativo con medios de refrigeración , una capa calentada localizada entre una primera capa intermedia y una segunda capa intermedia debajo de la capa conductora de calor y…

(23/01/2019) Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio , dotado de juntas de grano simétricas, que comprende al menos las etapas que consisten en: (i) disponer de un crisol de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento formado de gérmenes de silicio monocristalino de forma de adoquín recto de base cuadrada o rectangular y dispuestos de manera aneja, estando dicho pavimento visto según el eje (Z) en forma de una cuadrícula de direcciones ortogonales (x) y (y) paralelas a las aristas de los gérmenes; y (ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recogida en gérmenes según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z); caracterizado por que el pavimento en la etapa (i) se realiza a partir de gérmenes de silicio idénticos, siendo dos gérmenes…

(10/09/2018) Procedimiento de fabricación de un cuerpo semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: a. proporcionar un material semiconductor fundido, que tiene una superficie; b. proporcionar un molde poroso, que comprende una superficie de formación; c. proporcionar un régimen de presión diferencial de manera que la presión en al menos una parte de la superficie de formación es menor que la presión en la superficie de material fundido; d. poner en contacto la superficie de formación con el material fundido durante una duración de contacto de manera que, durante al menos una parte de la duración de contacto, el régimen de presión diferencial se proporciona de manera que un cuerpo de material semiconductor solidifica sobre la superficie de formación; e. provocar el movimiento de la superficie de formación…

(22/02/2017) Procedimiento de producción de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción, que comprende los pasos de cargar y someter a un calentamiento inicial a un material de carga de silicio en terrones en una atmósfera controlada sobre un fondo móvil dentro del espacio de fusión de un crisol refrigerado por agua, crear un baño de silicio fundido y posteriormente fundir y moldear el silicio fundido con la forma del espacio de fusión, cristalizar un lingote de silicio multicristalino y enfriar de manera controlable el lingote de silicio usando un conjunto de equipo de calentamiento, poner fin a los pasos de fusión y moldeo cuando el contenido de impurezas en el silicio fundido llegue a ser crítico, y repetir los pasos del procedimiento comenzando por los pasos de cargar y someter a un calentamiento inicial al material de carga de…

(12/10/2016) Un elemento de contacto de silicio fundido que tiene una capa de cuerpo poroso sinterizado presente en una superficie del mismo, donde la capa de cuerpo poroso sinterizado comprende un cuerpo sinterizado que se puede obtener mediante: moldeo de una mezcla para formar un producto moldeado, mezcla que contiene partículas orgánicas que comprenden una resina que se puede descomponer térmicamente y que tiene un diámetro promedio de partícula de 1 a 25 μm, y un polvo sinterizable que esencialmente consiste en nitruro de silicio; calcinar el producto moldeado hasta que las partículas orgánicas desaparecen; y …

(10/08/2016) Un método para producir un lingote de silicio a partir de un electrodo de silicio en un proceso de purificación de Refusión por Arco en Vacío de Electrodo Consumible (Consumable Electrode Vacuum Arc Remelt (CEVAR)) realizado en un crisol de fondo abierto de CEVAR dispuesto en un horno de CEVAR , el método comprende: calentar el electrodo de silicio a una temperatura de calentamiento inferior al punto de fusión del electrodo de silicio y disminuir la resistividad de electrodo, antes de la iniciación del proceso de purificación de CEVAR para formar un electrodo de silicio precalentado que tenga una resistividad que permita la iniciación del proceso de CEVAR; fundir el electrodo de silicio precalentado mediante el proceso de purificación de CEVAR para formación de un lingote de silicio…

(06/07/2016) Un metodo para preparar una varilla de silicio policristalino usando un medio de nucleo mixto, que comprende: (a) instalar un primer medio de nucleo formado por un material resistivo junto con un segundo medio de nucleo formado por un material de silicio en un espacio interno de un reactor de deposicion; (b) calentar electricamente el primer medio de nucleo y calentar previamente el segundo medio de nucleo con el primer medio de nucleo que se calienta electricamente; (c) calentar electricamente el segundo medio de nucleo calentado previamente; y (d) suministrar un gas de reaccion en el espacio interno en un estado en el que el primer medio de nucleo y el segundo medio de nucleo se calientan electricamente…

(29/06/2016) Un procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas en fragmentos mediante por lo menos una herramienta desmenuzadora con una superficie que contiene carburo de wolframio, teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio menor o igual que 95 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio - ponderada según la masa en promedio - mayor o igual que 0,8 μm o teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio mayor o igual que 80 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio menor o igual que 0,5…

(02/02/2016) Dispositivo para el desmenuzado de una vara de silicio policristalina, que comprende una base, así como al menos un cincel de desmenuzado móvil, y al menos un yunque inmóvil, poseyendo el cincel de desmenuzado, al menos uno, un eje longitudinal que está orientado paralelamente o casi paralelamente a la superficie de la base, pudiéndose ajustar una vara de silicio situada en la superficie de la base, a desmenuzar, respectivamente entre cincel de desmenuzado y yunque, de tal manera que cincel de desmenuzado y yunque pueden poseer un contacto con la vara de silicio en la zona de la vara de silicio, y respectivamente un punto de apoyo de vara de silicio y yunque, así como un eje transversal de la vara de silicio que transcurre a través de un centro de…

(06/01/2016) Intercambiador térmico de un sistema de solidificación y/o de cristalización de un material semiconductor, que comprende una primera pieza (2; 2a; 2b; 2c; 2d; 2e; 2f; 2g; 2h; 2i; 2j) y una segunda pieza (3; 3a; 3b; 3c; 3d; 3e; 3f; 3g; 3h; 3i; 3j), siendo las primera y segunda piezas desplazables una con respecto a la otra, caracterizado por que la primera pieza comprende unos primeros relieves y la segunda pieza comprende unos segundos relieves , estando los primeros relieves destinados a cooperar con los segundos relieves y por que comprende un elemento de desplazamiento de la primera pieza en relación con la segunda pieza que permite controlar un flujo de calor intercambiado, por…

(16/12/2015) Dispositivo que forma un crisol para la fabricación de material cristalino por cristalización dirigida que incluye un fondo y al menos una pared lateral en el que el fondo incluye: - una primera parte (2a) que presenta una primera resistencia térmica y una segunda parte (2b) que presenta una segunda resistencia térmica inferior a la primera resistencia térmica y destinada a recibir una semilla en el segundo material cristalino para la fabricación de dicho material cristalino, estando el fondo y dicha al menos una pared lateral formados al menos en parte por una pieza estanca que incluye al menos un endentado que participa para definir dichas partes primera y segunda (2a, 2b), dispositivo caracterizado porque la primera parte (2a) está recubierta por una primera…

(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.

(10/09/2014) Crisol para la producción de lingotes de material semiconductor cristalino, tal como silicio, comprendiendo dicho crisol paredes laterales periféricas (1 b) y un piso (1 a) estando al menos una porción de dicho piso revestida con una capa superior , caracterizado porque, dicha capa superior tiene un espesor, δ, de al menos 500 μm y porque, a una temperatura de deformación por debajo de 1.400 °C, dicha capa superior se puede deformar en forma plástica o viscosa.

(18/06/2014) Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras susceptible de ser utilizado en un recinto térmicamente aislante de un horno de cristalización de silicio y destinado a ser insertado parcialmente en el recinto de dicho horno por un orificio dispuesto en la pared del recinto, caracterizado porque comprende: - una guía de onda de sílice cristalina, que comprende una cara de entrada de una onda ultrasonora, una cara de salida de una onda ultrasonora y una superficie lateral que une la cara de entrada y la cara de salida, - una estructura de grafito o de carburo de silicio, que rodea al menos parcialmente la superficie lateral de la guía de onda, - una…

(11/06/2014) Metodo para purificar silicio, comprendiendo el metodo: (a) formar un primer liquido fundido a partir de silicio y un metal disolvente seleccionado del grupo de cobre, esteño, zinc, antimonio, plata, bismuto, aluminio, cadmio, galio, indio, magnesio, plomo, una aleación de los mismos, y combinaciones de los mismos; (b) poner en contacto el primer liquido fundido con un primer gas, para proporcionar desecho y un segundo liquido fundido, y para crear un remolino del primer liquido fundido o el segundo liquido fundido; (c) poner en contacto el remolino con oxigeno para proporcionar desecho adicional; (d) separar el desecho y el…

(23/04/2014) Un método para la preparación de silicio policristalino que usa un reactor de lecho fluidizado para la preparación de silicio policristalino granular, en el que una salida de gas de reacción de un medio de suministro de gas de reacción, que suministra un gas de reacción que contiene silicio de forma que tiene lugar la deposición de silicio al tiempo que se mantiene fluidizado el lecho de partículas de silicio formado en el interior de un tubo de reactor, está ubicada en el interior del lecho de partículas de silicio y, con un extremo de salida de la salida de gas de reacción como la altura de referencia, estando los espacios superior e inferior del tubo de reactor definidos…

(01/01/2014) Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino: a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio a entre 0,3 ppm (átomos) y 5,0 ppm (átomos); b) solidificar el silicio tratado con escoria de la etapa a); c)…

(18/12/2013) Un aparato de fabricación de un sustrato de silicio usando colada continua, que comprende: una unidad de crisol configurada para recibir silicio en bruto y que tiene un puerto de descarga que penetra enuna pared lateral de la misma y está dispuesta en una dirección horizontal; una unidad calefactora que se proporciona en una pared exterior y en una superficie inferior externa de la unidadde crisol y que calienta la unidad de crisol para fundir el silicio en bruto en la unidad de crisol y formar siliciofundido; una unidad de colada que cuela el silicio fundido, descargado por medio del puerto de descarga de la unidad decrisol, hasta formar un sustrato…

(11/12/2013) Aparato para producir lingotes de silicio multicristalino por medio del método de inducción, que comprende unacaja , la cual incluye medios para el calentamiento inicial de silicio, un crisol refrigerado envuelto por uninductor y que tiene un fondo movible y cuatro paredes que constan de secciones separadas entre sí por ranuras que se extienden verticalmente, medios para mover el fondo movible, y uncompartimento de refrigeración controlada, dispuesto debajo del crisol refrigerado, en donde su cara interiordefine una cámara de fusión de sección transversal rectangular o cuadrada y las paredes del crisol refrigerado seextienden hacia fuera por lo menos desde el inductor en dirección a la porción más baja del crisol refrigerado paraasí expandir la cámara de fusión, caracterizado porque cada pared del crisol refrigerado tiene una sección…