Fragmentos de silicio policristalinos y procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas.

Un procedimiento para el desmenuzamiento de barras de silicio policristalinas en fragmentos mediante por lo menos una herramienta desmenuzadora con una superficie que contiene carburo de wolframio,

teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio menor o igual que 95 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio - ponderada según la masa en promedio - mayor o igual que 0,8 μm o teniendo la superficie de la herramienta una proporción de carburo de wolframio mayor o igual que 80 % y siendo el tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio menor o igual que 0,5 μm, caracterizado por que el procedimiento comprende por lo menos dos etapas de desmenuzamiento, de éstas por lo menos una etapa de desmenuzamiento con una herramienta desmenuzadora que tiene un tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio mayor o igual que 0,8 μm, de manera preferida mayor o igual que 1,3 μm o por lo menos una etapa de desmenuzamiento con una herramienta desmenuzadora que tiene un tamaño de granos de las partículas de carburo de wolframio menor o igual que 0,5 μm, de manera preferida menor o igual que 0,2 μm.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/067009.

Solicitante: WACKER CHEMIE AG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: HANNS-SEIDEL-PLATZ 4 81737 MÜNCHEN ALEMANIA.

Inventor/es: PECH,REINER, GRUEBL,PETER.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B02C1/10 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B02 TRITURACION, REDUCCION A POLVO O DESINTEGRACION; TRATAMIENTO PREPARATORIO DE LOS GRANOS PARA LA MOLIENDA.B02C TRITURACION, REDUCCION A POLVO O DISGREGACION EN GENERAL; MOLIENDA DE GRANOS (obtención de polvo metálico por trituración, trabajo con muela o molido B22F 9/04). › B02C 1/00 Trituración o disgregación por medio de elementos dotados de movimiento alternativo. › Forma o estructura de las mandíbulas.
  • B02C13/28 B02C […] › B02C 13/00 Disgregación por aparatos dotados de batidores rotativos. › Forma o estructura de las batidoras.
  • B02C2/00 B02C […] › Trituración o disgregación por medio de trituradores giratorios o en forma de cono.
  • B02C4/30 B02C […] › B02C 4/00 Trituración o disgregación por trituradores cilíndricos (por elementos trituradores en forma de cilindros o de bolas cooperando con coronas o discos B02C 15/00; molinos de cilindros o molinos de refinar utilizados exclusivamente para el chocolate A23G 1/10, A23G 1/12). › Forma o estructura de las muelas.
  • C01B32/949
  • C01B33/02 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 31/36). › Silicio (formación de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B).
  • C30B15/00 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
  • C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.

PDF original: ES-2637301_T3.pdf

 

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