Procedimiento de producción de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción y aparato para realizarlo.

Procedimiento de producción de lingotes de silicio multicristalino por el método de inducción,

que comprende los pasos de cargar y someter a un calentamiento inicial a un material de carga de silicio en terrones en una atmósfera controlada sobre un fondo móvil dentro del espacio de fusión de un crisol refrigerado por agua, crear un baño de silicio fundido y posteriormente fundir y moldear el silicio fundido con la forma del espacio de fusión, cristalizar un lingote de silicio multicristalino y enfriar de manera controlable el lingote de silicio usando un conjunto de equipo de calentamiento, poner fin a los pasos de fusión y moldeo cuando el contenido de impurezas en el silicio fundido llegue a ser crítico, y repetir los pasos del procedimiento comenzando por los pasos de cargar y someter a un calentamiento inicial al material de carga de silicio en terrones, caracterizado por el hecho de que al concluir los pasos de fusión y moldeo, el paso de cristalizar la parte restante del lingote de silicio multicristalino es acabado al ser todo el lingote enfriado de manera controlable; al concluir la cristalización el lingote de silicio multicristalino es retirado junto con el fondo móvil y el conjunto de equipo de calentamiento y es sometido a un adicional enfriamiento de manera controlable; y al mismo tiempo otro conjunto de equipo de calentamiento que incluye otro fondo móvil es llevado al espacio que ha quedado vacante; y entonces dicho otro fondo móvil es llevado al interior del crisol refrigerado por agua; y los pasos del procedimiento son repetidos a fin de producir el lingote siguiente.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/UA2009/000067.

Solicitante: Solin Development B.V.

Inventor/es: BERINGOV,SERGII, ONISCHENKO,VOLODYMYR, POZIGUN,SERGII, MARCHENKO,STEPAN, SHEVCHUK,ANDRII, SHKULKOV,ANATOLIY, CHERPAK,YURII.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B22D27/02 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B22 FUNDICION; METALURGIA DE POLVOS METALICOS.B22D COLADA DE METALES; COLADA DE OTRAS MATERIAS POR LOS MISMOS PROCEDIMIENTOS O CON LOS MISMOS DISPOSITIVOS (trabajo de materias plásticas o sustancias en estado plástico B29C; tratamientos metalúrgicos, empleo de sustancias específicas que se añaden al metal C21, C22). › B22D 27/00 Tratamiento del metal en el molde durante el estado líquido o plástico (B22D 7/12, B22D 11/10, B22D 18/00, B22D 43/00 tienen prioridad). › Empleo de efectos eléctricos o magnéticos.
  • C01B33/037 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 31/36). › Purificación (por fusión de zona C30B 13/00).
  • C30B29/06 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.

PDF original: ES-2619523_T3.pdf

 

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