Purificación de un metaloide mediante proceso de refundición por arco en vacío de electrodo consumible.

Un método para producir un lingote de silicio a partir de un electrodo de silicio (90) en un proceso de purificación de Refusión por Arco en Vacío de Electrodo Consumible (Consumable Electrode Vacuum Arc Remelt (CEVAR)) realizado en un crisol de fondo abierto de CEVAR (12) dispuesto en un horno de CEVAR (10),

el método comprende:

calentar el electrodo de silicio (90) a una temperatura de calentamiento inferior al punto de fusión del electrodo de silicio y disminuir la resistividad de electrodo, antes de la iniciación del proceso de purificación de CEVAR para formar un electrodo de silicio precalentado que tenga una resistividad que permita la iniciación del proceso de CEVAR;

fundir el electrodo de silicio precalentado mediante el proceso de purificación de CEVAR para formación de un lingote de silicio (96) a una temperatura elevada en el fondo abierto del crisol de fondo abierto de CEVAR (12);

pasar el lingote de silicio (96) a la temperatura elevada a través de un sistema de calentamiento (22, 24) adyacente al crisol de fondo abierto de CEVAR (12); y

regular el sistema de calentamiento (22, 24) para proporcionar un ambiente térmico controlado por temperatura para el lingote a la temperatura elevada a medida que el lingote de silicio sale del crisol de fondo abierto de CEVAR para enfriar el lingote de silicio sin agrietamiento.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2012/050890.

Solicitante: CONSARC CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 100 Indel Avenue, P.O. Box 156 Rancocas, NJ 08073-0156 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: ROBERTS,RAYMOND J.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C01B33/037 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 31/36). › Purificación (por fusión de zona C30B 13/00).
  • C30B13/00 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales).
  • C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.

PDF original: ES-2592814_T3.pdf

 

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