Aparato y métodos para preparación de varillas de silicio de alta pureza usando medios de núcleo mixtos.

Un metodo para preparar una varilla de silicio policristalino usando un medio de nucleo mixto,

que comprende:

(a) instalar un primer medio de nucleo formado por un material resistivo junto con un segundo medio de nucleo formado por un material de silicio en un espacio interno de un reactor de deposicion;

(b) calentar electricamente el primer medio de nucleo y calentar previamente el segundo medio de nucleo con el primer medio de nucleo que se calienta electricamente;

(c) calentar electricamente el segundo medio de nucleo calentado previamente; y

(d) suministrar un gas de reaccion en el espacio interno en un estado en el que el primer medio de nucleo y el segundo medio de nucleo se calientan electricamente para deposicion de silicio, mediante lo cual se forma una salida de deposicion hacia el exterior en el primer medio de nucleo o el segundo medio de nucleo o ambos formandose de ese modo una primera salida de deposicion o una segunda salida de deposicion,

respectivamente, a una presion de reaccion en el intervalo de 100 - 2000 kPa y una temperatura de reaccion en el intervalo de 650 - 1.300 oC basada en la temperatura superficial de la primera salida de deposicion o de la segunda salida de deposicion o ambas,

en el que, en la etapa de calentamiento previo del segundo medio de nucleo, el segundo medio de nucleo se calienta previamente a una temperatura en el intervalo de 350-1.000 oC con el primer medio de nucleo siendo electricamente calentado a una temperatura en el intervalo de 400-3.000 oC;

en donde el material resistivo se selecciona entre:

(i) un metal o una aleacion que comprende al menos un elemento metalico seleccionado entre el grupo que consiste en tungsteno (W), renio (Re), osmio (Os), tantalo (Ta), molibdeno (Mo), niobio (Nb), iridio (Ir), rutenio (Ru), tecnecio (Tc), hafnio (Hf), rodio (Rh), vanadio (V), cromo (Cr), zirconio (Zr), platino (Pt), torio (Th), lantano (La), titanio (Ti), lutecio (Lu), itrio (Y), hierro (Fe), niquel (Ni), aluminio (Al) y una mezcla de los mismos;

(ii) un material de metal ceramico que comprende al menos un componente seleccionado entre el grupo que consiste en siliciuro de molibdeno (Mo-Si), oxido de lantano y cromo (La-Cr-O), circonia y una mezcla de los mismos; o

(iii) un material a base de carbono que comprende al menos un componente seleccionado entre el grupo que consiste en carbono amorfo, grafito, carburo de silicio (SiC) y una mezcla de los mismos.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/KR2007/002345.

Solicitante: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY.

Inventor/es: PARK,YONG-KI, CHOI,WON-CHOON, KIM,HEE YOUNG, YOON,KYUNG KOO, SO,WON WOOK.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B25/18 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › caracterizado por el sustrato.
  • C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.

PDF original: ES-2585677_T3.pdf

 

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