PROCEDIMIENTO PARA EL AISLAMIENTO ELECTRICO DE UN SUSTRATO PARA UN MODULO DE POTENCIA.
Procedimiento para el aislamiento eléctrico interior de un sustrato (20) para un módulo semiconductor de potencia con una envolvente aislante (60) a modo de bastidor con tapa y con un sustrato aislante (20) que comprende,
como mínimo, un circuito impreso (26) y, como mínimo, un componente semiconductor de potencia (30) dispuesto sobre el mismo que está conectado de forma adaptada al circuito, preferentemente, mediante conexiones de unión (32) a elementos de conexión (80), otros circuitos impresos (26) y/o elementos semiconductores de potencia (30), caracterizado por los siguientes pasos substanciales: - Formación del sustrato (20) con, como mínimo, un elemento semiconductor de potencia (30) y las conexiones (32) adecuadas al circuito; - Recubrimiento del sustrato (20) con una masa aislante (70) dieléctrica y viscosa por medio de un procedimiento de colada; - Inducción del reticulado de la masa aislante (70); - Giro del sustrato (20) alrededor de un eje longitudinal (eje "x") para que la masa aislante (70) envuelva de forma cuidadoso las conexiones de unión (32) existentes y la masa aislante (70) sobrante pueda escurrirse; - Disposición del sustrato (20) en la caja (60) del módulo semiconductor de potencia.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.
Inventor/es: AUGUSTIN,KARLHEINZ, GOBL,CHRISTIAN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 26 de Abril de 2005.
Fecha Concesión Europea: 11 de Junio de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L21/56 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.
- H01L23/24 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › sólidos o en estado de gel, a la temperatura normal del funcionamiento del dispositivo.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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