MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON ELEMENTOS DE CONEXION AISLADOS ELECTRICAMENTE ENTRE SI.
Módulo semiconductor de potencia (1), para su colocación sobre un componente refrigerante (2),
con al menos un sustrato (5), al menos dos componentes semiconductores de potencia (60), una carcasa (3) y elementos de conexión de carga (40, 42, 44) y de control que conducen hacia el exterior, presentando el sustrato (5) un cuerpo de material aislante (52) y con vías conductoras (54) con potencial de carga dispuestas sobre la primera superficie principal de aquél orientada hacia el interior del módulo semiconductor de potencia, estando los elementos de conexión de carga realizados en cada caso como cuerpos moldeados de metal con dispositivos de contacto externos (404, 424, 444), una sección en banda (402, 422, 442) y unos dispositivos de contacto internos (400, 420, 440) que parten de dicha sección, extendiéndose los dispositivos de contacto internos desde la sección en banda hasta el sustrato (5), poniendo en contacto al mismo según el circuito pertinente y formando los elementos de conexión de carga (40, 42, 44) en la zona de las secciones en banda (402, 422, 442) una pila (4), con los elementos de conexión de carga (40, 42, 44) recubiertos completamente de material aislante (408, 428, 448) salvo en la zona del dispositivo de contacto interno y externo y, de este modo, aislados eléctricamente entre sí.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.
Inventor/es: LEDERER,MARCO, POPP,RAINER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 13 de Junio de 2007.
Fecha Concesión Europea: 10 de Diciembre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L25/07 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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