DISPOSITIVO DE CONTACTO PARA MODULOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Y CELDAS DISCOIDALES SEMICONDUCTORAS.
Dispositivo de contacto (400) para establecer el contacto con la terminal de control (610) de un componente semiconductor de potencia (600) en un módulo semiconductor de potencia (800) o en una celda discoidal,
estando dispuesto sobre el componente semiconductor de potencia (600) un cuerpo moldeado (700) que en la zona de la terminal de control (610) presenta una cavidad pasante (710) y esta cavidad (710) presenta a su vez un estribo (720), constando el dispositivo de contacto (400) de un muelle de contacto (100) con una prolongación (110) en forma de clavija situada en el extremo del muelle que proporciona el contacto con la terminal de control (610), y con una conexión directa o a través de una pieza metálica moldeada (200) a un cable de conexión (500) para la conexión externa al otro extremo del muelle, constando también de un manguito aislante (300) con un muelle de contacto (100) situado en su interior, presentando dicho manguito aislante (300) al menos un pico de retención (360) que junto con el estribo (720) del cuerpo moldeado (700) conforma una unión por resorte y retención, estando el manguito aislante (300) compuesto de dos piezas y estando ambas piezas (302, 304) dispuestas entre sí por medio de una unión de resorte y retención y presentando la segunda pieza (310) del manguito aislante (300) orientada hacia la terminal de control (610) una forma tal que el muelle de contacto (100) queda protegido contra caídas en la dirección de la terminal de control (610).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.
Inventor/es: KRONEDER,CHRISTIAN, TAUSCHER,BJORN.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 12 de Agosto de 2005.
Fecha Concesión Europea: 2 de Julio de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L23/48 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
- H01L25/07 H01L […] › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
Patentes similares o relacionadas:
Sustrato de pastilla embebida con taladro posterior, del 1 de Julio de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Un dispositivo, que comprende: un sustrato que tiene un primer lado y un segundo lado opuesto, en el que el sustrato es un sustrato central que […]
Estructura y procedimiento para una TSV con alivio de tensión, del 17 de Junio de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Una pastilla semiconductora que comprende: un sustrato que tiene una cara activa; capas conductoras acopladas a la cara activa; una vía […]
Control térmico activo para dispositivos de IC apilados, del 11 de Marzo de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Un dispositivo de IC apilado que comprende: un nivel superior y un nivel inferior , teniendo cada nivel una capa de sustrato y una capa activa en […]
Sistemas en paquetes, del 19 de Febrero de 2020, de QUALCOMM INCORPORATED: Un sistema en paquete que comprende: un portador ; un primer chip encima de dicho portador , en el que dicho primer chip […]
Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos, del 4 de Diciembre de 2019, de ROBERT BOSCH GMBH: Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas […]
Módulo dual para tarjeta dual con microcircuito, del 5 de Junio de 2019, de IDEMIA France: Módulo dual para tarjeta dual con microcircuito, que consta de una película de soporte que porta en una cara llamada externa una pluralidad de almohadillas de contacto […]
Ensamblaje de un chip microelectrónico a una ranura con un elemento de cableado en forma de cordón y procedimiento de ensamblaje, del 3 de Abril de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Ensamblaje de por lo menos un chip microelectrónico con un elemento de cableado , dicho por lo menos un chip microelectrónico comprende un componente microelectrónico […]
Célula de disco mejorada para múltiples componentes semiconductores puestos en contacto a presión, del 4 de Enero de 2017, de Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG: Celda de disco para la puesta en contacto a presión de múltiples componentes semiconductores mediante medios de sujeción que producen una […]