MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.
Módulo semiconductor de potencia (1) para su colocación en un componente de refrigeración (50),
con por lo menos un sustrato (5), por lo menos dos elementos semiconductores de potencia controlables (70 a/b), una carcasa (3) y elementos de conexión de carga y de control (42, 44, 46) que conducen al exterior, presentando el sustrato (5) un cuerpo aislante (52) y presentando, en su primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia, por lo menos una única pista de conexión de carga (54) con potencial de tensión alterna y por lo menos una pista conductora (56 a/b) con potencial de control, presentando los elementos semiconductores de potencia controlables (70 a/b) una primera superficie principal con una primera superficie de conexión de carga (72) y con una superficie de conexión de control (74) y una segunda superficie principal con una segunda superficie de conexión de carga (76), estando dispuesto por lo menos un primer elemento semiconductor de potencia (70 a) en dicho sustrato (5) con su primera superficie principal encarada al sustrato (5) y estando conectado conforme al circuito a una pista conductora (56 a) que presenta un potencial de tensión alterna (54) y un potencial de control respectivamente, y estando dispuesto por lo menos un segundo elemento semiconductor de potencia (70 b) en dicho sustrato con su segunda superficie principal dirigida al sustrato (5) y conectado conforme al circuito a una pista de conexión de carga (54) que presenta un potencial de tensión alterna, y donde los elementos de conexión de carga (44, 46) de potencial positivo y negativo respectivamente se encuentran colocados sobre una superficie de conexión de carga alejada del sustrato de un elemento semiconductor de potencia asociado (70 a/b) y conectados mediante conducción eléctrica por un contacto por presión.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200,90431 NURNBERG.
Inventor/es: GOBL,CHRISTIAN, BECKEDAHL,PETER, SCHLOETTERER,ANDRE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 29 de Septiembre de 2006.
Fecha Concesión Europea: 24 de Septiembre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L25/07 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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