37 patentes, modelos y diseños de APPLIED MATERIALS, INC.

Sección de la CIP Física

(13/01/2016). Ver ilustración. Inventor/es: KRISHNA,NETY M, KWAK,BYUNG SUNG LEO. Clasificación: G02F1/15.

Un procedimiento de fabricación de un dispositivo electrocrómico que comprende: depositar una primera capa conductora transparente seguida de un cátodo sobre un substrato transparente; formación de motivos por láser focalizado de dicha primera capa conductora transparente y dicho cátodo; depositar una capa de electrolito, seguida de una capa de contraelectrodo, seguida de una segunda capa conductora transparente; formación de motivos por láser focalizado de dicha capa de electrolito, dicha capa de contraelectrodo y dicha segunda capa conductora transparente para exponer la superficie superior de la primera capa conductora transparente; depositar una capa de barrera de difusión; y formar contactos eléctricos separados con dicha primera capa conductora transparente y dicha segunda capa conductora transparente a través de la capa de barrera de difusión.

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Secciones de la CIP Electricidad Técnicas industriales diversas y transportes

(01/07/1999). Inventor/es: LOWRANCE, ROBERT B. Clasificación: H01L21/00, B25J21/00.

UN APARATO DE ROBOT QUE CONSTA DE UNA CAMARA DE VACIO CON ROBOT QUE TIENE UNA PARED EXTERIOR , UNA PARED SUPERIOR Y UNA PARED INFERIOR ; UN ROBOT COLOCADO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO Y UN SOPORTE COLOCADO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO QUE SE EXTIENDE DESDE LA PARED SUPERIOR HASTA LA PARED INFERIOR , DE MODO QUE CUANDO SE PRODUCE EL VACIO DENTRO DE DICHA CAMARA DE VACIO , DICHO SOPORTE REDUCE SIGNIFICATIVAMENTE EL DESPLAZAMIENTO VERTICAL DE DICHAS PAREDES SUPERIOR E INFERIOR EN UNA PRESION AMBIENTE.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(01/03/1999). Inventor/es: COLLINS, KENNETH S., RODERICK, CRAIG A., YANG, CHAN-LON, WANG, DAVID N.K., MAYDAN, DAN. Clasificación: H01J37/32, C23C16/50, H01H1/46.

SE DESCRIBE UN REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA QUE INCORPORA UNA ESTRUCTURA INTEGRADA DE LINEA DE TRANSMISION COAXIAL QUE EFECTUA UN ACOPLAMIENTO DE LINEA DE TRANSMISION MUY CORTO Y CON POCA PERDIDA DE UNA ENERGIA ELECTRICA DE CA A LA CAMARA DE PLASMA Y ASI PERMITE EL USO EFECTIVO DE FRECUENCIAS VHF/UHF PARA GENERAR UN PLASMA. EL USO DE FRECUENCIAS DE VHF/UHF DENTRO DEL MARGEN DE 50 Y 800 MEGAHERZIOS PROPORCIONA INDICES DE PROCESAMIENTO COMERCIALMENTE VIABLES (CORROSION Y DEPOSICION SEPARADA O SIMULTANEA) Y UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN VOLTAJES DE VAINA COMPARADO CON LAS FRECUENCIAS CONVENCIONALES COMO 13.56 MHZ. COMO RESULTADO, LA PROBABILIDAD DE DAÑAR LOS DISPOSITIVOS DE TAMAÑO PEQUEÑO SENSIBLES A LA ELECTRICIDAD QUEDA REDUCIDA.

Sección de la CIP Mecánica, iluminación, calefacción, armamento y voladura

(16/06/1998). Inventor/es: SHINBO, TAKESHI, TAKAHAMA, HIROZUKI. Clasificación: F04B37/08.

UNA ESTRUCTURA REFRIGERANTE PARA UN DISPOSITIVO DE VACIO INCLUYE UNA PORCION DE BASTIDOR EXTERNA, POSICIONADA ENTRE LA PESTAÑA O BRIDA DE LA CAMARA DE VACIO Y LA PESTAÑA O BRIDA DE LA BOMBA GRIOGENICA; UN PANEL DE ENFRIAMIENTO , FORMADO EN UNA DIVISION CIRCUNDADA POR EL CITADO BASTIDOR EXTERNO, TENIENDO EL PANEL DE ENFRIAMIENTO AL MENOS UNA ABERTURA QUE PERMITE EL FLUJO DE FLUIDO ENTRE LA CITADA CAMARA DE VACIO Y LA CITADA BOMBA CRIOGENICA ; UN MEDIO DE ENFRIAMIENTO , POSICIONADO EN CONTACTO CON UNA SUPERFICIE DEL PANEL DE ENFRIAMIENTO PERIFERICO EXPUESTO, PARA ENFRIAR EL CITADO PANEL DE ENFRIAMIENTO ; Y UN MEDIO DE ALIMENTACION DE FLUIDO REFRIGERANTE PARA SUMINISTRAR FLUIDO REFRIGERANTE AL MEDIO DE ENFRIAMIENTO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/05/1998). Inventor/es: COLLINS, KENNETH S., MARKS, JEFFREY. Clasificación: H01J37/32.

SE DESCRIBE UN APARATO PARA LA PRODUCCION DE UN PLASMA PLANO ACOPLADO ELECTROMAGNETICAMENTE QUE CONSTA DE UNA CAMARA QUE TIENE UN BLINDAJE DIELECTRICO EN UNA PARED DE LA MISMA Y UNA BOBINA PLANA COLOCADA FUERA DE DICHA CAMARA ACOPLADA A UNA FUENTE DE RADIOFRECUENCIA , CON LO QUE UN DEPURADOR DE FLUOR SE MONTA O AÑADE A DICHA CAMARA . CUANDO SE ATACA CON UN PLASMA DE UN GAS DE FLUOHIDROCARBURO UN OXIDO DE SILICIO, EL DEPURADOR DE FLUOR REDUCE LOS RADICALES LIBRES DE FLUOR, LO QUE MEJORA LA SELECTIVIDAD Y ANISOTROPIA DEL ATAQUE Y MEJORA LA VELOCIDAD DEL ATAQUE AL TIEMPO QUE REDUCE LA FORMACION DE PARTICULAS.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(01/11/1997). Inventor/es: GRUNES, HOWARD. Clasificación: B25J9/10.

SE DESCRIBE UN MONTAJE ROBOT QUE INCLUYE UN CUBO CENTRAL ,CON DOS BRAZOS DISPUESTOS PARA UNA ROTACION INDEPENDIENTE SOBRE EL CUBO. DOS TRANSPORTADORES ORIENTADOS 180 S,EN DIRECCIONES OPUESTAS PARA EXTENDER UNO DE LOS TRANSPORTADORES RADIALMENTE DESDE EL CUBO CENTRAL, Y PARA ROTAR LOS BRAZOS EN LA MISMA DIRECCION Y ASI EFECTUAR LA ROTACION DE LOS TRANSPORTADORES.

Sección de la CIP Electricidad

(01/07/1997). Inventor/es: MAYDAN, DAN, MINTZ, DONALD M., HANAWA, HIROJI, SOMEKH, SASSON. Clasificación: H01J37/32, H05H1/46.

UN PROCESO DE PLASMA, METODO Y APARATO CAPACES DE OPERACION SIGNIFICATIVAMENTE POR ENCIMA DE 13'56 MHZ PUEDE PRODUCIR VOLTAJE DE POLARIZACION AUTOMATICA DE REJILLA REDUCIDO DEL ELECTRODO ACTIVADO, PARA HABILITAR PROCESOS MAS SUAVES QUE NO DAÑEN CAPAS FINAS QUE ESTAN CONSTANTEMENTE SIENDO COMUNES EN CIRCUITOS INTEGRADOS DE GRAN VELOCIDAD Y DE GRAN DENSIDAD. SE UTILIZA UNA RED NO CONVENCIONAL SEMEJANTE PARA HABILITAR LA ELIMINACION DE REFLEXIONES A ESTAS FRECUENCIAS SUPERIORES. EL CONTROL AUTOMATICO DE LOS COMPONENTES DE LA RED SEMEJANTE HABILITA EL AJUSTE DE LA FRECUENIA DE RF PARA INFLAMAR EL PLASMA, Y DESPUES ACTUAR A UNA FRECUENXIA VARIABLE SELECCIONADA PARA REDUCIR AL MINIMO EL TIEMPO DEL PROCESO SIN DAÑO SIGNIFIVATIVO AL CIRCUITO INTEGRADO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/03/1997). Inventor/es: NULMAN, JAIM, NGAN, KENNY KING-TAI. Clasificación: H05K3/02.

SE DESCRIBE UN PROCESO PARA FORMAR, SOBRE UNA SUPERFICIE DE SILICIO, UNA CAPA BARRERA DE NITRURO DE TITANIO CON UNA SUPERFICIE DE ORIENTACION CRISTALOGRAFICA . EL PROCESO COMPRENDE: DEPOSITAR UNA PRIMERA CAPA DE TITANIO SOBRE UNA SUPERFICIE DE SILICIO ; PULVERIZAR UNA CAPA DE NITRURO DE TITANIO SOBRE LA CAPA DE TITANIO ; DEPOSITAR UNA SEGUNDA CAPA DE TITANIO SOBRE LA CAPA DE NITRURO DE TITANIO PULVERIZADA; Y ENTONCES ENDURECER LA ESTRUCTURA EN PRESENCIA DE UN GAS QUE CONTIENE NITROGENO Y EN AUSENCIA DE UN GAS QUE CONTENGA OXIGENO, PARA FORMAR EL DESEADO NITRURO DE TITANIO CON UNA SUPERFICIE DE ORIENTACION CRISTALOGRAFICA Y UN GROSOR SUFICIENTE PARA PROVEER PROTECCION DEL SILICIO QUE ESTA DEBAJO CONTRA PERFORACION POR EL ALUMINIO. CUANDO UNA CAPA DE ALUMINIO SE FORMA TRAS ESTO SOBRE LA SUPERFICIE DE NITRURO DE TITANIO ORIENTADA , EL ALUMINIO ENTONCES ASUMIRA LA MISMA ORIENTACION CRISTALOGRAFICA , LO QUE RESULTA UNA CAPA DE ALUMINIO CON RESISTENCIA MEJORADA A LA ELECTROMIGRACION.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/02/1997). Inventor/es: GILBOA, HAIM, MOSELY, RODERICK C. Clasificación: C23C14/56, C23C14/58.

LAS PROPIEDADES DE UNA PELICULA DELGADA DE MATERIAL DEPOSITADO AL VACIO, COMO EL NITRURO DE TITANIO, EN UN SUSTRATO SE AUMENTAN MEDIANTE RECOCCION POR PLASMA O TERMICA DE LA PELICULA DELGADA SIN ELIMINAR LA PELICULA DEL MEDIO DE VACIO. EL PASO DE RECOCCION PUEDE REALIZARSE EN LA MISMA CAMARA DE VACIO QUE LA DEPOSICION DE EROSION, O EN UNA CAMARA DE VACIO DIFERENTE, SIEMPRE Y CUANDO EL SUSTRATO PUEDA TRANSFERIRSE ENTRE CAMARAS PERMANECIENDO EN UN MEDIO DE VACIO.

Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes

(16/10/1996). Inventor/es: LOWRANCE, ROBERT B. Clasificación: B25J9/12, B25J9/10, B25J21/00.

UN ROBOT QUE TIENE UN PAR DE ACOPLAMIENTOS MAGNETICOS QUE ACOPLA CADA UNO UN MOTOR EN UNA PRIMERA CAMARA CILINDRICA A UN ANILLO CILINDRICO ASOCIADO SEPARADO CERCA DE LA PARED CILINDRICA DE DICHA PRIMERA CAMARA . EL ROBOT INCLUYE UN MECANISMO PARA CONVERTIR LA ROTACION DE CADA UNO DE ESTOS ANILLOS EN MOVIMIENTOS SEPARADOS DEL ROBOT. EN LA VERSION PREFERIDA, ESTOS MOVIMIENTOS SEPARADOS SON RADIALES Y ROTACIONALES. TAL CONSTRUCCION PERMITE REDUCIR LA CANTIDAD DE PRODUCCION DE PARTICULAS POR TAL ROBOT.

Sección de la CIP Electricidad

(16/10/1996). Inventor/es: TEPMAN, AVI, PARKER, NORMAN WILLIAM. Clasificación: H01J37/34.

UN SISTEMA DE PULVERIZACION TIENE UNA FUENTE DE PULVERIZACION DE MAGNETRONES PLANAS QUE TIENE UN PAR DE PIEZAS POLARES CONFIGURADAS PARA PRODUCIR UN RECUBRIMIENTO UNIFORME, UNA COBERTURA DEL ESCALON EXCELENTE Y UNA UNIFORMIDAD DE COBERTURA DEL ESCALON EXCELENTE DE UNA PLAQUITA . ENTRE LAS DOS PIEZAS POLARES HAY UN HUECO DENTRO DEL CUAL EL CAMPO MAGNETICO Y EL CAMPO ELECTRICO PRODUCEN UNA TRAMPA DE ELECTRONES. LA FORMA DEL HUECO PRODUCE UNA PROFUNDIDAD DE PERFIL PULVERIZADOR EN EL BLANCO QUE DA COMO RESULTADO UN RECUBRIMIENTO UNIFORME, UNA COBERTURA DEL ESCALON EXCELENTE Y UNA UNIFORMIDAD DE COBERTURA DEL ESCALON EXCELENTE. LA PIEZA POLAR EXTERIOR TIENE FORMA DE TAZON EN SECCION TRANSVERSAL CON UN REBORDE SUSTANCIALMENTE COPLANAR CON UNA PIEZA POLAR INTERIOR PLANAR.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/10/1996). Inventor/es: MAYDAN, DAN, SOMEKH, SASSON. Clasificación: C23C14/34, C23C14/56, C23C14/22.

METODO PARA LA LIMPIEZA EN SITU DEL EXCESO DEL MATERIAL DEPOSITADO EN EL ANODO, EN UNA CAMARA DE DEPOSICION FISICA DE VAPOR , DURANTE UN CICLO DE LIMPIEZA, EN LA QUE SE HA EFECTUADO EL VACIO EN DICHA CAMARA . UNA MEZCLA DE GAS QUE INCLUYE UN GAS REACTIVO, SE INTRODUCE DENTRO DE LA CAMARA DE DEPOSITO FISICO DE VAPOR . EL GAS REACTIVO SE ACTIVA MEDIANTE LA DESCARGA DE PLASMA. DURANTE LA LIMPIEZA, LA MEZCLA DE GAS ES CAMBIADA DE FORMA CONTINUA EN LA CAMARA DE DEPOSICION DE VAPOR , JUNTO CON LOS PRODUCTOS DE REACCION.

Sección de la CIP Electricidad

(01/10/1996). Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU. Clasificación: H01L21/316, H01L21/311, H01L21/314.

SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICO DE BAJA FUSION QUE COMPRENDE DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES GRABAR EN SECO LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO Y TRATAMIENTO SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y EL PASO DE GRABADO SE REALIZAN SIN SACAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

Sección de la CIP Electricidad

(01/10/1996). Inventor/es: MAYDAN, DAN, MARKS, JEFFREY, LAW, KAM SHING, WANG, DAVID NIN-KOU. Clasificación: H01L21/311, H01L21/314.

SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION QUE CONSISTE EN DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE FUSION BAJA TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES EL GRABADO EN SECO DE LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO, Y CURA SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y DE GRABADO SE REALIZAN SIN QUITAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

Sección de la CIP Electricidad

(01/07/1996). Inventor/es: GRUNES, HOWARD, TEPMAN, AVI, ANDREWS, DANA. Clasificación: H01L21/00.

UN ANILLO DE FIJACION Y UNA PLACA DE TEMPERATURA REGULADA PARA FIJAR UN DISCO A LA PLACA Y REGULAR LA TEMPERATURA DEL DISCO . LA FUERZA DEL ANILLO DE FIJACION CONTRA EL DISCO SE PRODUCE SOLO POR EL PESO DEL ANILLO DE FIJACION . UN TECHO PROTEGE TODAS LAS REGIONES DE CONTACTO EXCEPTO UNAS POCAS DE LA INTERFASE ENTRE EL DISCO Y LA ABRAZADERA PARA RECOGER LAS PARTICULAS DE DEPOSICION DE TAL FORMA QUE EL REVESTIMIENTO FORMADO EN EL DISCO HAGA UN CONTACTO CONTINUO CON EL ANILLO DE FIJACION SOLAMENTE EN POCAS REGIONES ESTRECHAS QUE ACTUAN COMO PUENTES CONDUCTORES CUANDO LA CAPA DE DEPOSICION ES CONDUCTORA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/06/1996). Inventor/es: MAYDAN, DAN, NULMAN, JAIM. Clasificación: H01L21/00.

LA TEMPERATURA DE UN DISCO SEMICONDUCTOR DURANTE EL RECOCIDO DE METALIZACION SE CONTROLA PRECISA E INDIRECTAMENTE SOSTENIENDO EL DISCO EN UN SUSCEPTOR DELGADO DE PODER EMISOR CONSTANTE Y CONTROLANDO LA TEMPERATURA DEL SUSCEPTOR . EL SISTEMA TIENE LA VENTAJA AÑADIDA DE PROPORCIONAR UN CALENTAMIENTO EFICIENTE Y CONTROLADO DEL DISCO MEDIANTE UN CALENTAMIENTO RADIANTE DE LA CARA TRASERA DEL SUSCEPTOR.

Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia

(16/03/1996). Inventor/es: LAW, KAM SHING, LEUNG, CISSY, TANG, CHING CHEONG, COLLINS, KENNETH STUART, CHANG, MEI, WONG, JERRY YUEN KUI, WANG, DAVID NIN-KOU. Clasificación: H01L21/00, C23C16/50, H01L21/314.

EL INVENTO SE REFIERE A UN PROCESO PARA LIMPIAR UNA CAMARA DE REACTOR TANTO JUNTO A LOS ELECTRODOS DE RADIOFRECUENCIA COMO A TRAVES DE LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA HASTA, E INCLUYENDO, COMPONENTES COMO LA VALVULA DE ESTRANGULACION. PREFERENTEMENTE, SE EMPLEA UNA SECUENCIA DE ATAQUE QUIMICO DE DOS FASES, LA PRIMERA DE LAS CUALES UTILIZA UNA PRESION RELATIVAMENTE ALTA Y GAS DE FLUOROCARBONO PARA LIMPIAR LA CAMARA Y EL SISTEMA DE SALIDA. LAS FASES LOCAL Y EXTENDIDA DE ATAQUE PUEDEN EMPLEARSE TANTO SEPARADA COMO CONJUNTAMENTE.