PROCESO DE DOS ETAPAS PARA LA FORMACION DE UNA CAPA DE OXIDO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.

PRESENTAMOS UN PROCESO DE DOS ETAPAS PARA LA FORMACION DE UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO (40,

50) SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UN BARQUILLO SEMICONDUCTOR (10) MIENTRAS SE INHIBE LA FORMACION DE VACIOS EN LA CAPA DE OXIDO QUE LLEVA EL DEPOSITO DE UNA CAPA (40) DE OXIDO DE SILICIO SOBRE LA SUPERFICIE ESCALONADA DE UN BARQUILLO SEMICONDUCTOR (10) EN UNA CAMARA CVD MEDIANTE LA INTRODUCCION DE UNA MEZCLA GASEOSA EN LA CAMARA, LA CUAL LLEVA UNA FUENTE DE OXIGENO, DONDE UNA DE LAS PORCIONES LLEVA O SUB 3 Y TETRAETILORTHOSICICATO COMO FUENTE DE GAS DEL SILICE, MIENTRAS SE MANTIENE LA PRESION EN LA CAMARA CVD ENTRE LA GAMA DE LOS 250 TORR Y LOS 760 TORR Y A CONTINUACION SE DEPOSITA UNA SEGUNDA CAPA (50) DE OXIDO SOBRE LA PRIMERA CAPA (40) EN UNA CAMARA CVD MEDIANTE LA INTRODUCCION DE UNA MEZCLA GASEOSA EN LA CAMARA. ESTA MEZCLA LLEVA UNA FUENTE DE OXIGENO, DONDE UNA DE LAS PORCIONES COMPRENDE O SUB 3; Y TETRAETILORTROSILICATO COMO FUENTE GASEOSA DEL SICILE, MIENTRAS SE MANTIENE LA CAMARA CVD A UNA PRESION MENOR QUE DURANTE LA PRIMERA ETAPA DE DEPOSICION.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: P.O. BOX 58039, M/S 0934, 3050 BOWERS AVENUE, SANTA CLARA, CALIFORNIA 95052-.

Inventor/es: WAI-MAN LEE, PETER, NIN-KOU WANG, DAVID, NAGASHIMA, MAKOTO, FUKUMA, KAZUTO, SATO, TATSUYA.

Fecha de Publicación: 16 de Septiembre de 1996.

Fecha Concesión Europea: 17 de Abril de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/40 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Oxidos.
H01L21/316 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.

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