PROCEDIMIENTO PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO DE TITANIO EN UNA OBLEA SEMICONDUCTORA.

SE REVELA UN PROCESO MEJORADO PARA FORMAR UNA CAPA CONDUCTORA DE SILICIURO DE TITANIO EN UN DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR UTILIZANDO UN UNICO PASO DE RECOCCION QUE INCLUYE LAS ETAPAS DE FORMAR UNA CAPA DE TITANIO SOBRE EL DISCO EN UNA CAMARA DE DEPOSICION AL VACIO EN LA AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO;

TRANSFERIR EL DISCO REVESTIDO DE TITANIO A UNA CAMARA DE RECOCCION SELLADA SIN EXPONER SUSTANCIALMENTE LA CAPA DE TITANIO FORMADA A LOS GASES PORTADORES DE OXIGENO; Y LUEGO RECOCER EL DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR REVESTIDO DE TITANIO EN UNA ATMOSFERA PORTADORA DE NITROGENO EN LA CAMARA DE RECOCCION SELLADA A UNA PRIMERA TEMPERATURA ENTRE 500 C Y 695 C APROXIMADAMENTE, CON AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO, PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO DE TITANIO Y UNA CAPA DE NITRURO DE TITANIO SOBRE EL SILICIURO DE TITANIO QUE INHIBE LA MIGRACION A LA SUPERFICIE DEL SILICIO QUE SIRVE DE BASE, Y PARA HACER REACCIONAR SUSTANCIALMENTE TODAS LAS REGIONES DE OXIDO SILICIO (SIO SUB 2) QUE SIRVE DE BASE AL TITANIO DEL DISCO PARA FORMAR NITRURO DE TITANIO, Y LUEGO AUMENTAR LA TEMPERATURA PARA FORMAR UNA FASE DE SILICIURO DE TITANIO MAS ESTABLE SIN RIESGO DE REACCION ENTRE EL OXIDO DE SILICONA Y EL TITANIO NO REACCIONADO EN EL.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 3050 BOWERS AVENUE,SANTA CLARA CALIFORNIA 95054-3.

Inventor/es: NULMAN, JAIM.

Fecha de Publicación: 16 de Octubre de 1996.

Fecha Concesión Europea: 21 de Agosto de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/285 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
H01L21/324 H01L 21/00 […] › Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).

Patentes similares o relacionadas:

Método de división de sustrato, del 26 de Julio de 2017, de HAMAMATSU PHOTONICS K.K.: Un método de división de sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , teniendo el sustrato semiconductor una cara frontal sobre […]

Método para dividir un sustrato, del 28 de Marzo de 2012, de HAMAMATSU PHOTONICS K.K.: Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto […]

DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO PARA LA ATEMPERACIÓN SIMULTÁNEA DE VARIOS PRODUCTOS EN PROCESO, del 25 de Febrero de 2011, de SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE S.A.: Dispositivo para la atemperación simultánea de varios productos en proceso, en una determinada atmósfera gaseosa, mediante la absorción de una cantidad […]

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPAS DE CARBURO DE SILICIO (SIC) MEDIANTE IMPLANTACION IONICA DE CARBONO Y RECOCIDOS., del 1 de Agosto de 2003, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS UNIVERSIDAD DE BARCELONA: Procedimiento de fabricación de capas de carburo de silicio (sic) mediante implantación iónica de carbono y recocidos. La presente invención […]

PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA EL RECOCIDO DE SEMICONDUCTORES., del 16 de Septiembre de 1995, de AT&T CORP.: ESTE INVENTO SE DIRIGE A LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, ESPECIALMENTE LOS QUE COMPRENDEN MATERIALES SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS III-V Y II-VI, E INCLUYE […]

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON OXIDO DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA., del 1 de Julio de 1995, de AT&T CORP.: SE DESCRIBEN OXIDOS DE DENSIDAD DE DEFECTOS BAJA ADECUADOS PARA USAR COMO OXIDOS DE PUERTA DELGADA O EN CAPACITORES DE ALMACENAMIENTO DE CARGA. LA PRIMERA Y SEGUNDA CAPAS […]

UN METODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO ELECTRONICO TAL COMO UNA CELULA FOTOVOLTAICA, UN DIODO LUMINISCENTE O UN RECTIFICADOR., del 16 de Diciembre de 1980, de WILLIAM A.COLBURN: METODO DE FABRICACION DE COMPONENTES ELECTRONICOS. BASANDOSE EN LA PROPIEDAD DE LAS SUSTANCIAS EUTETICAS O EUTECTOIDES DE CONFORMARSE SUS DOS COMPONENTES EN […]

DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO PARA ATEMPERAR AL MENOS UN PRODUCTO DE PROCESAMIENTO, del 17 de Febrero de 2011, de SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE S.A.: Dispositivo para la atemperación de al menos un producto de procesamiento bajo una atmósfera de gas de proceso determinada de al […]