APARATO PARA LA DEPOSICION POR VAPOR DE PLASMA REACTIVO POR CC DE UN MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE UTILIZANDO UN ANODO SECUNDARIO BLINDADO.

EN UN REACTOR DE DEPOSICION DE VAPOR DE PLASMA PARA DEPOSITAR UN MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE SEGUN UN PROCESO DE PULVERIZACION DE CC EL PLASMA SE ESTABILIZA,

MANTENIENDO SU EFICIENCIA DE PULVERIZACION GRACIAS A LA PRESENCIA DE UN ANODO SECUNDARIO (22), PREFERENTEMENTE MANTENIDO A UNA POLARIZACION POSITIVA RESPECTO AL ANODO PRIMARIO (15). EL ANODO SECUNDARIO (22) SE BLINDA DE LA EXPOSICION AL CHORRO DE MATERIAL PULVERIZADO SI BIEN QUEDA SITUADO LO SUFICIENTEMENTE CERCA DE LA DESCARGA DE PLASMA PARA ATRAER A LOS ELECTRONES DEL PLASMA Y MANTENER ASI SU EQUILIBRIO DE CARGA. EN UNA PULVERIZACION REACTIVA, LA CAMARA DE PULVERIZACION (10) CONTIENE TANTO UN GAS DE PULVERIZACION, POR EJEMPLO ARGON, Y UN GAS REACTIVO, POR EJEMPLO OXIGENO. LOS IONES POSITIVOS DEL GAS DE PULVERIZACION BOMBARDEAN UN BLANCO (17) DEL MATERIAL A PULVERIZAR. LOS ATOMOS DEL MATERIAL OBJETIVO, LOS ATOMOS PULVERIZADOS, SON EMITIDOS DESDE EL BLANCO (17) EN TODAS LAS DIRECCIONES HASTA ENTRAR EN LA CAMARA, ALGUNOS DE LOS CUALES CAEN SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO A REVESTIR POR PULVERIZACION. EN LA SUPERFICIE O EN LA CAMARA (10) SE COMBINAN QUIMICAMENTE CON EL GAS REACTIVO. EN EL CASO QUE SE PRESENTA EN ESTA INVENCION, LA COMBINACION QUIMICA FORMA UN REVESTIMIENTO ELECTRICAMENTE AISLANTE SOBRE EL SUSTRATO (19). EL MISMO MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE REVISTE EL RESTO DE LAS SUPERFICIES EXPUESTAS AL FLUJO DE ATOMOS PULVERIZADOS. EN UN ASPECTO DE LA INVENCION, EL ANODO SECUNDARIO POSITIVAMENTE POLARIZADO BLINDADO DE LOS ATOMOS PULVERIZADOS NO SE REVISTE CON EL MATERIAL ELECTRICAMENTE AISLANTE, CON LO CUAL MANTIENE SU CAPACIDAD DE SACAR LOS ELECTRONES DEL PLASMA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: P.O. BOX 58039, M/S 0934, 3050 BOWERS AVENUE,SANTA CLARA, CALIFORNIA 95052-.

Inventor/es: TALIEH, HOMOYOUN.

Fecha de Publicación: 16 de Octubre de 1997.

Fecha Concesión Europea: 4 de Junio de 1997.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01J37/34 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › que funcionan por pulverización catódica (H01J 37/36 tiene prioridad).

Patentes similares o relacionadas:

Diana de pulverización catódica basada en óxido de circonio, del 15 de Abril de 2020, de Materion Advanced Materials Germany GmbH: Diana de pulverización catódica, que comprende un óxido de circonio como material de pulverización catódica, en la que el óxido de circonio representa, como mínimo, el 75 % […]

Sistema de capa de vacío y tratamiento con plasma, y procedimiento para recubrir un sustrato, del 26 de Febrero de 2020, de VAPOR TECHNOLOGIES, INC: Un sistema de tratamiento con plasma y recubrimiento de vacío que comprende: un conjunto de plasma dispuesto de modo tal que mira a un sustrato […]

Proceso de plasma y reactor para el tratamiento termoquímico de la superficie de piezas metálicas, del 19 de Febrero de 2020, de Universidade Federal De Santa Catarina (UFSC): Proceso para el tratamiento superficial termoquímico de piezas metálicas, en un reactor (R) de plasma que tiene una cámara de reacción (RC) […]

Dispositivo de revestimiento para el revestimiento de un sustrato, así como un procedimiento para el revestimiento de un sustrato, del 15 de Enero de 2020, de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon: Dispositivo de evaporación de un material diana que comprende una cámara de proceso para el establecimiento y el mantenimiento […]

Procedimiento de revestimiento de un substrato, instalación de aplicación del procedimiento y dispositivo metálico de alimentación de tal instalación, del 12 de Noviembre de 2019, de Arcelormittal: Procedimiento de revestimiento de al menos una cara de un substrato en deslizamiento, por evaporación en vacío mediante plasma de una capa metálica […]

Método para filtrar macropartículas en una deposición física de vapor por arco catódico (PVD), en vacío, del 26 de Junio de 2019, de Argor Aljba SA: Un método para filtrar macropartículas en una deposición física de vapor por arco catódico (PVD) en vacío, comprendiendo dicho método la etapa de evaporar un material […]

Dispositivo de revestimiento modular, del 8 de Mayo de 2019, de AGC GLASS EUROPE: Un dispositivo de revestimiento modular bajo vacío que tiene al menos un módulo que comprende al menos una zona de revestimiento con al menos un compartimento fuente […]

Procedimiento y dispositivo para ahorrar energía y al mismo tiempo aumentar la velocidad de paso en las instalaciones de recubrimiento al vacío, del 1 de Mayo de 2019, de GRENZEBACH MASCHINENBAU GMBH: Dispositivo de recubrimiento mediante pulverización, que se compone de en una serie de segmentos de pulverización y de segmentos de separación de gases […]