PROCEDIMIENTO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR PLANARIZADO MULTIETAPA.
ES DESCUBIERTO UN PROCESO DE PLANARIZACION MEJORADO QUE COMPRENDE DEPOSITAR SOBRE UNA ESTRUCTURA (2) DE CIRCUITO INTEGRADO MODELADO EN UN CIERRE SEMICONDUCTOR (10),
UNA CAPA (20) DE AISLANTE CONFORMAL POR DEPOSICION DE PLASMA ECR DE UNA MATERIA AISLANTE. LA DEPOSICION DE PLASMA ECR ES REALIZADA HASTA LAS ZANJAS O LAS REGIONES BAJAS ENTRE LAS PARTES ELEVADAS ADYACENTES DE LA ESTRUCTURA SON COMPLETAMENTE RELLENADOS CON MATERIAL AISLANTE. UNA CAPA DE PLANARIZACION (30) DE UN MATERIAL CRISTALINO DE FUSION BAJA, TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO, ES ENTONCES FORMADO SOBRE LA ESTRUCTURA (2) DE CIRCUITO INTEGRADO A UNA PROFUNDIDAD O GROSOR SUFICIENTE PARA CUBRIR LAS PARTES MAS ALTAS DE LA CAPA (20) AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. ESTA CAPA (30) DE PLANARIZACION ES ENTONCES ANISOTROPICAMENTE GRABADO AL AGUAFUERTE SUFICIENTEMENTE PARA PROVEER UNA SUPERFICIE PLANARIZADA EN LA CAPA AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. UNA CAPA ADEMAS (40) DE MATERIAL AISLANTE DEBE ENTONCES SER CONVENCIONALMENTE CVD DEPOSITADA SOBRE LA CAPA (30) QUE ACTUA PARA ENCAPSULAR ALGUNAS PARTES REMANENTES DE LA CAPA (30) PLANARIZADA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: P.O. BOX 58039, M/S 0934, 3050 BOWERS AVENUE, SANTA CLARA, CALIFORNIA 95052-.
Inventor/es: MAYDAN, DAN, WANG, DAVID NIN-KOU.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 6 de Marzo de 1996.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/311 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Grabado de las capas aislantes.
- H01L21/768 H01L 21/00 […] › Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.
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