CIP-2021 : H01L 21/306 : Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31;
postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/306 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE CÉLULAS SOLARES EN OBLEAS DE GERMANIO.
(08/05/2020). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Inventor/es: ALGORA DEL VALLE,CARLOS, LOMBARDERO HERNANDEZ,Iván, CIFUENTES BARO,Luís.
Se describe un procedimiento de fabricación de células solares en obleas de germanio que comprende realizar un adelgazamiento de la cara trasera de la oblea a la vez que se mantiene una zona no adelgazada que hace de soporte, y posteriormente una conformación e individualización química de las células solares fabricadas en la oblea sin necesidad de emplear medios de separación mecánicos, dado el menor grosor que presenta dicha oblea antes de la individualización. Se trata de un procedimiento fácilmente escalable, que permite trabajar con obleas de bajo espesor, y por tanto bajo peso, y dotar a las células solares de cualquier configuración posible, ya que no hay limitaciones geométricas como las asociadas al uso de sierras para corte mecánico.
PDF original: ES-2759280_A1.pdf
PDF original: ES-2759280_B2.pdf
Composición de microdecapado y método para usar la misma.
(18/12/2019). Solicitante/s: MACDERMID, INCORPORATED. Inventor/es: FENG,Kesheng, CASTALDI,Steven A, KAPADIA,NILESH.
Una composición de microdecapado para tratar superficies metálicas que comprenden:
a) una fuente de iones cúpricos;
b) ácido, en donde el ácido comprende un ácido seleccionado del grupo que consiste en ácido clorhídrico, ácido sulfúrico, ácido fosfórico, ácido nítrico, ácido fórmico, ácido acético, ácido sulfámico y ácido toluenosulfónico;
c) un compuesto de nitrilo; y
d) una fuente de iones de haluro.
PDF original: ES-2774149_T3.pdf
Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina.
(26/06/2019). Solicitante/s: OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD. Inventor/es: NAGAMINE,SHINGO, KITA,KOJI, OTSUKA,KUNIAKI.
Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina, comprendiendo la composición una solución acuosa que presenta una concentración de ion permanganato de 0,2 mmoles/l o más y una concentración de ácido total de 10 moles/l o más con un límite superior de 15 moles/l y
satisfaciendo la solución acuosa la condición siguiente :
establecer la concentración molar de ion manganeso divalente a 15 o más veces superior a la concentración molar de ion permanganato, y
en la que la solución acuosa opcionalmente satisface además por lo menos una de las condiciones y siguientes:
contener un ácido sulfónico orgánico en una cantidad de 1,5 moles/l o más, y
establecer la cantidad de adición de una sal de magnesio anhidra a 0,1 a 1 mol/l.
PDF original: ES-2744077_T3.pdf
Composición acuosa alcalina de grabado y de limpieza y procedimiento de tratamiento de la superficie de sustratos de silicio.
(08/02/2019) Una composición acuosa alcalina de grabado y de limpieza que comprende:
(A) al menos un hidróxido de amonio cuaternario; preferiblemente seleccionado del grupo que consiste en hidróxido de tetrametilamonio e hidróxido de tetraetilamonio; y
(B) al menos un componente seleccionado del grupo que consiste en (b1) ácidos sulfónicos solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general I:
(R1-SO3-)nXn+ (I),
(b2) ácidos fosfónicos solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general II:
R-PO32-(Xn+)3-n (II),
(b3) ésteres de ácido sulfúrico solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general III:
(RO-SO3-)nXn+ (III),
(b4) ésteres de ácido fosfórico solubles en agua y sus sales solubles en agua de…
Método de texturización de las superficies de obleas de silicio.
(29/10/2018). Solicitante/s: UNIVERSITAT KONSTANZ. Inventor/es: FATH, PETER, HAUSER,ALEXANDER, MELNYK,IHOR.
Método para la texturización de las superficies de obleas de silicio, que comprende las etapas de inmersión de la oblea de silicio en una solución de grabado al agua fuerte de agua, ácido fluorhídrico con una concentración de al menos 50% y ácido nítrico con una concentración de al menos 65% y colocando una temperatura para la solución de grabado al agua fuerte, caracterizado en que la solución de grabado al agua fuerte comprende solamente 20% a 55% de agua, 10% a 40% de ácido fluorhídrico con una concentración de al menos 50% y 20% a 60% de ácido nítrico con una concentración de al menos 65% y que la temperatura de la solución de grabado al agua fuerte está en el rango de 0ºC a 15ºC.
PDF original: ES-2314393_T3.pdf
PDF original: ES-2314393_T5.pdf
Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina.
(08/10/2018). Solicitante/s: OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD. Inventor/es: NAGAMINE,SHINGO, KITA,KOJI, OTSUKA,KUNIAKI.
Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina, comprendiendo la composición una solución acuosa que presenta una concentración de ion permanganato de 0,2 mmoles/l o más y una concentración de ácido total de 10 moles/l o más con un límite superior de 15 moles/l y satisfaciendo la solución acuosa la condición siguiente :
establecer la cantidad de adición de una sal de magnesio anhidra a 0,1 a 1 mol/l y
en la que la solución acuosa opcionalmente satisface además por lo menos una de las condiciones y siguientes:
contener un ácido sulfónico orgánico en una cantidad de 1,5 moles/l o más, y
establecer la concentración molar de ion manganeso divalente a 15 o más veces superior a la concentración molar de ion permanganato.
PDF original: ES-2685409_T3.pdf
Pastas de grabado que contienen partículas para superficies y capas de silicio.
(26/11/2014) Procedimiento para el grabado de superficies y capas de silicio, o de superficies vítreas que consisten en un derivado de silicio, caracterizado por que una pasta alcalina que puede imprimirse y dispensarse que contiene
a) al menos un componente de grabado básico,
b) al menos un disolvente
c) partículas orgánicas muy finas con un punto de fusión bajo y dado el caso, partículas inorgánicas,
d) dado el caso, agentes espesantes, y
e) dado el caso, aditivos como antiespumantes, agentes tixotrópicos, agentes de control del flujo, desaireadores, promotores de adhesión,
se aplica selectivamente sobre la superficie, caracterizado por que durante el tiempo de aplicación la pasta de grabado se calienta a una temperatura superior…
Procedimiento de grabado selectivo de silicio.
(04/06/2014) Procedimiento para grabar una capa de silicio dispuesta sobre un sustrato, que comprende:
grabar anisótropamente un primer surco en la capa de silicio;
realizar un grabado en húmedo selectivamente anisótropo del silicio en el primer surco, comprendiendo el grabado en húmedo exponer las superficies de silicio a una composición acuosa que comprende:
un hidróxido de onio cuaternario con contenido aromático, y
una sal de fosfonio cuaternario de tetraalquilo asimétrica;
en el que el grabado en húmedo graba los planos y de la capa de silicio con aproximadamente unas velocidades iguales y preferentemente con respecto al plano…
Método para fabricar un nanohilo monocristalino.
(23/10/2013) Método para fabricar una nanoestructura monocristalina que comprende las etapas de:
a) proporcionar una capa de dispositivo con una orientación 100 sobre un sustrato;
b) proporcionar una capa de tensión sobre la capa de dispositivo;
c) formar patrones en la capa de tensión a lo largo de la dirección 110 de la capa dedispositivo;
d) retirar selectivamente partes de la capa de tensión para obtener partes expuestas de lacapa de dispositivo;
e) someter a ataque químico dependiente del plano las partes expuestas de la capa dedispositivo para obtener unas caras 111 expuestas de la capa de dispositivo ;
f) oxidar térmicamente la cara 111 expuesta de la capa de dispositivo y formar una capa deoxidación lateral…
Medio imprimible para grabar capas oxídicas, transparentes y conductoras.
(31/07/2013) Medio de grabado que se puede imprimir y dispensar para grabar superficies y capas oxídicas, transparentes yconductoras en forma de una pasta de grabado que contiene
a) ácido fosfórico en una concentración en el intervalo de aproximadamente 35 a 50% en peso,
b) al menos un disolvente
c) grafito y/o negro de carbón con un diámetro de partícula relativo en el intervalo de 20 nm a 80 nm y unasuperficie BET específica en el intervalo de 40 a 100 m2/g, en una cantidad de menos de 8% en peso, pero de másde 0,5% en peso,
d) dado el caso, un espesante, y
e) dado el caso, aditivos como antiespumantes, agentes tixotrópicos, agentes de control del flujo, desaireadores,agentes de adhesión.
Composición de silsesquioxano poliédrico con potencial zeta negativo elevado y método para la limpieza húmeda de semiconductores sin daños.
(16/05/2012) Una composición que comprende:
(a) una o más bases libres de iones metálicos;
(b) una sal hidrosoluble, libre de iones metálicos, de un silsesquioxano poliédrico;
(c) un agente oxidante y
(d) agua libre de iones metálicos.
Sustancias de grabado y dopado combinadas.
(24/04/2012) Procedimiento para el grabado de capas de pasivación y antirreflectantes de nitruro de silicio sobre una célula solar de silicio, caracterizado porque una sustancia de grabado en forma de pasta imprimible contiene un ácido fosfórico o sus sales se aplica en una etapa de procedimiento en toda la superficie o selectivamente sobre las zonas de la superficie a grabar y se calienta a una temperatura en el intervalo de 250 a 350 º C durante 30 a 120 segundos.
UTILIZACIÓN DE UNA SAL DE DIAZONIO EN UN PROCEDIMIENTO DE MODIFICACIÓN DE SUPERFICIES AISLANTES O SEMICONDUCTORAS, Y PRODUCTOS ASÍ OBTENIDOS.
(02/02/2012) Utilización de una sal de diazonio R-N2 + que lleva un grupo aromático R, para el injerto de dicho grupo aromático sobre superficies aislantes, semiconductoras, de compuestos binarios o ternarios o de materiales compuestos, presentando dichas superficies una resistividad superior o igual a 10 -5 Ω.m, y preferiblemente superior o igual a 10 -3 Ω.m, estando presente dicha sal de diazonio en una concentración próxima a su límite de solubilidad, concretamente a una concentración superior a 0,05 M, y que varía preferiblemente entre aproximadamente 0,5 M y aproximadamente 4 M
SUSPENSION PARA EL PULIDO QUIMICO-MECANICO DE SUSTRATOS DE COBRE.
(16/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: CABOT CORPORATION. Inventor/es: KAUFMAN, VLASTA BRUSIC, KISTLER, RODNEY C., WANG, SHUMIN.
UNA LECHADA DE PULIDO QUIMICO MECANICO QUE CONTIENE UN AGENTE FORMADOR DE PELICULAS, UN OXIDANTE TAL COMO PEROXIDO DE HIDROGENO DE UREA, UN AGENTE COMPLEJANTE TAL COMO OXALATO AMONICO O ACIDO TARTARICO, UN ABRASIVO Y UN TENSIOACTIVO OPCIONAL. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA LA UTILIZACION DE LA COMPOSICION DE LECHADA DE PULIDO QUIMICO MECANICO PARA RETIRAR DE UN SUSTRATO CAPAS QUE CONTIENEN UNA ALEACION DE COBRE, TITANIO Y NITRURO DE TITANIO.
PROCEDIMIENTO Y DISOLUCION PARA LIMPIAR DE LA CONTAMINACION METALICA A SUSTRATOS DE OBLEAS.
(16/07/2003). Solicitante/s: MALLINCKRODT BAKER, INC.. Inventor/es: SCHWARTZKOPF, GEORGE, ILARDI, JOSEPH M.
SE PRESENTA UN PROCESO PARA LIMPIAR SUBSTRATOS DE OBLEAS DE CONTAMINACION DE METALES MIENTRAS SE MANTIENE LA SUAVIDAD DE LA OBLEA MEDIANTE LA PUESTA EN CONTACTO DE LOS SUBSTRATOS DE OBLEAS CON UNA COMPOSICION LIMPIADORA QUE COMPRENDE UNA BASE ACUOSA, LIBRE DE IONES DE METAL Y UN SURFACTANTE ANFOTERICO Y OPCIONALMENTE UN AGENTE COMPLEJADOR DE METAL Y UN SOLVENTE ORGANICO DE ETER DE GLICOL DE PROPILENO.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR.
(16/09/2002). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SATO, NOBUHIKO, YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI, YAMAGATA, KENJI.
SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR EN EL QUE SE PROPORCIONA UN PRIMER SUSTRATO HECHO DE SILICIO QUE TIENE UNA CAPA DE SILICIO POROSO FORMADA SOBRE EL MISMO, HACIENDO POROSO EL SILICIO DEL SUBSTRATO Y UNA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO, RECRECIDA DE MODO EPITAXIAL EN LA CAPA DE SILICIO POROSO, DESPUES SE LAMINA EL PRIMER SUSTRATO SOBRE UN SEGUNDO SUSTRATO EN UN ESTADO EN EL QUE AL MENOS UNA DE LAS CARAS DE LAMINACION DEL PRIMER Y DEL SEGUNDO SUSTRATO TENGA UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO Y LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO SE INTERPONGA ENTRE LOS SUSTRATOS LAMINADOS, Y FINALMENTE SE ELIMINA LA CAPA DE SILICIO POROSO MEDIANTE DECAPADO EN EL QUE LA CAPA DE SILICIO POROSO SE ELIMINA MEDIANTE UNA SOLUCION DE ATAQUE QUE DECAPE LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO Y LA CAPA DE OXIDO DE SILICIO A INDICES DE DECAPADO NO SUPERIORES A 10 ANGSTROMS POR MINUTO.
NUEVO PROCEDIMIENTO PARA EL PULIDO MECANICO-QUIMICO DE CAPAS DE MATERIALES AISLANTES A BASE DE DERIVADOS DEL SILICIO O DE SILICIO.
(16/06/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: CLARIANT (FRANCE) S.A.. Inventor/es: JACQUINOT, ERIC, RIVOIRE, MAURICE.
METODO DE LIMPIEZA MECANICO - QUIMICA DE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE A BASE DE SILICIO O DE UN DERIVADO DEL SILICIO EN EL CUAL SE PROCEDE A UNA ABRASION DE LA CAPA DE MATERIAL AISLANTE FROTANDOLA CON AYUDA DE UN TEJIDO QUE APLICA UN ABRASIVO FORMADO POR UNA SUSPENSION ACUOSA ACIDA DE SILICE COLOIDAL QUE CONTIENE PARTICULAS DE SILICE COLOIDAL INDIVIDUALIZADAS, NO UNIDAS ENTRE ELLAS POR ENLACES SILOXANO, Y AGUA COMO MEDIO DE SUSPENSION Y NUEVOS ABRASIVOS A BASE DE TALES SUSPENSIONES.
PROCEDIMIENTO DE MORDENTADO Y DISPOSITIVO PARA LA LIMPIEZA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES, EN ESPECIAL DIODOS DE POTENCIA.
(01/01/1999). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: BARTH, STEPHAN-MANUEL.
SE PROPONE UN PROCESO DE GRABADO DE ATAQUE ACIDO CON CHORRO DE PLASMA PARA LIMPIEZA DE UNIONES P-N EXPUESTAS LATERALMENTE EN COMPONENTES DE SEMICONDUCTOR, EN PARTICULAR DIODOS DE POTENCIA, DESPUES DE QUE HAN SIDO SOLDADOS LOS CHIPS DE SEMICONDUCTOR RELATIVOS A LOS ELEMENTOS DE CONEXION. DE ACUERDO CON LA INVENCION EL PROCEDIMIENTO UTILIZA COMPUESTOS DE FLUOR A SER EMPLEADOS COMO GAS DE GRABADO DE ATAQUE ACIDO.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON GUIAONDAS INTEGRADO Y CON FIBRA OPTICA ACOPLADA AL MISMO.
(01/04/1998) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO PARA LA ELABORACION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON UNA GUIA DE ONDA INTEGRADA ACOPLADA A UNA FIBRA OPTICA. MEDIANTE GENERACION DE UNA CAVIDAD EN EL SUBSTRATO, LA GUIA DE ONDA INTEGRADA ESTA PROVISTA CON UNA SUPERFICIE DE EXTREMO ACCESIBLE LIBREMENTE OPUESTA AL EXTREMO DE LA RANURA CON PERFIL EN V, SIENDO ELABORADA CON ATAQUE ACIDO DE FORMA ANISOTROPA EN EL SUBSTRATO PARA LA RECEPCION DE LA FIBRA OPTICA. PARA ELABORAR DE FORMA ECONOMICA UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR CON UN ALINEAMIENTO PARTICULARMENTE ASEGURADO ENTRE LA FIBRA OPTICA Y LA GUIA DE ONDA INTEGRADA Y UNA CALIDAD OPTICA ALTA, LA CAVIDAD ESTA FORMADA EN EL SUBSTRATO MEDIANTE CORTE…
APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO CON PLASMA EN EL CUAL SE INDUCE UN CAMPO ELECTRICO UNIFORME A TRAVES DE UNA VENTANA DIELECTRICA.
(16/10/1997) UN APARATO PARA GRABAR CON PLASMA O PARA UNA DEPOSICION DE PLASMA QUE INCLUYE UN RECEPTACULO QUE TIENE UNA CAMARA EN LA QUE SE PUEDE TRATAR UNA PLAQUITA (W) CON PLASMA. EL RECEPTACULO INCLUYE AL MENOS UN ORIFICIO DE ENTRADA CONECTADO AL INTERIOR DE LA CAMARA A TRAVES DEL CUAL SE PUEDE SUMINISTRAR EL GAS DE PROCESO A LA CAMARA. HAY UNA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA DISPUESTA PARA HACER PASAR UNA ENERGIA RADIOELECTRICA A LA CAMARA Y PARA INDUCIR EL PLASMA QUE SE ENCUENTRA EN EL INTERIOR DE LA CAMARA A BASE DE ACTIVAR, CON UN CAMPO ELECTRICO INDUCIDO POR LA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA, EL GAS DE PROCESO SUMINISTRADO A LA CAMARA A TRAVES DEL ORIFICIO DE ENTRADA. HAY UNA VENTANA DIELECTRICA EN DONDE UNA SUPERFICIE INTERIOR DE LA…
DISPOSITIVO DE SILICIO ELECTROLUMINISCENTE.
(01/01/1997) UN DISPOSITIVO DE SILICIO ELECTROLUMINISCENTE INCLUYE UNA ESTRUCTURA DE SILICIO LA CUAL COMPRENDE UNA CAPA DE SILICIO HOMOGENEO Y UNA CAPA DE SILICIO POROSO. LA CAPA DE SILICIO POROSO TIENE POROS INTERCALADOS LOS CUALES DEFINEN CONDUCTORES CUANTICOS DE SILICIO. LOS CONDUCTORES CUANTICOS TIENEN UNA CAPA DE ESTABILIZACION SUPERFICIAL. LA CAPA POROSA EXHIBE FOTOLUMINISCENCIA BAJO IRRADIACION ULTRA VIOLETA. LA CAPA POROSA ESTA SATURADA POR UN MATERIAL CONDUCTOR TAL COMO UN ELECTROLITO O UN METAL . EL MATERIAL CONDUCTOR ASEGURA QUE UN CAMINO DE CORRIENTE ELECTRICAMENTE CONTINUA SE EXTIENDE A TRAVES DE LA CAPA POROSA; EL NO DEGRADA LA SUPERFICIE DE ESTABILIZACION DEL CONDUCTOR CUANTICO SUFICIENTEMENTE COMO PARA QUE EL CONDUCTOR CUANTICO NO PRODUZCA…
METODO DE ATAQUE QUIMICO PARA OBTENER AL MENOS UNA CAVIDAD EN UN SUBSTRATO Y SUBSTRATO OBTENIDO POR DICHO METODO.
(01/02/1996). Solicitante/s: WESTONBRIDGE INTERNATIONAL LIMITED. Inventor/es: VAN LINTEL, HARALD, T., G.
LAS CAVIDADES DE FONDO PLANO SE FORMAN EN UN SUBSTRATO MEDIANTE UN METODO QUE CONSTA DE DOS PASOS DE AGUAFUERTE: UN PRIMER AGUAFUERTE ANISOTROPICO A TRAVES DE UN MASCARON QUE DEJA BANDAS EXPUESTAS DEL SUBSTRATO Y UN SEGUNDO AGUAFUERTE ANISOTROPICO A TRAVES DE UN MASCARON QUE DEJA EXPUESTAS TODAS LAS ZONAS (Z1, Z2) PARA EL GRABADO. EL PRIMER AGUAFUERTE TIENE RANURAS EN V LA PROFUNDIDAD (X SUB 1, X SUB 2) DEL CUAL DEPENDE DE LA ANCHURA DE LAS BANDAS, MIENTRAS QUE EL SEGUNDO AGUAFUERTE AUMENTA LA PROFUNDIDAD DE LAS CAVIDADES EN IGUAL MEDIDA Y, AL ELIMINAR LAS BANDAS LOCALIZADAS ENTRE LAS RANURAS. VENTAJA: SE PUEDEN OBTENER CAVIDADES PLANAS DE DIFERENTES PROFUNDIDADES SIMULTANEAMENTE.
COMPOSICIONES EN SOLUCION PARA EL ATAQUE DE OBLEAS DE SILICIO Y METODO PARA EL ATAQUE CON TALES COMPOSICIONES.
(16/11/1995). Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ESTEVE TINTO,JAUME, MERLOS DOMINGO,ANGEL, ACERO LEAL, M. CRUZ, BRAUSELLS ROIGE, JOAN, BAO, MIN-HANG.
COMPOSICIONES EN SOLUCION PARA EL ATAQUE DE OBLEAS DE SILICIO Y METODO PARA EL ATAQUE CON TALES COMPOSICIONES. COMPOSICIONES BASADAS EN EL USO DEL HIDROXIDO DE TETRAMETIL AMONIO, PRODUCTO NO TOXICO COMPATIBLE CON EL PROCESO CMOS A LAS QUE SE AÑADE ISOPROPANOL, Y METODO QUE SE UTILIZA PARA OBTENER ESTRUCTURAS MICROMECANICAS DE SILICIO. LA ADICION DE 2-PROPANOL AL HIDROXIDO DE TETRAMETIL AMONIO PERMITE REDUCIR Y CONTROLAR EL VALOR DEL SOBREATAQUE DEL SISTEMA DE GRABADO EN FUNCION DE LA CONCENTRACION DE HIDROXIDO DE TETRAMETIL AMONIO, DE LA CONCENTRACION DE 2-PROPANOL AÑADIDO Y DE LA TEMPERATURA A LA QUE SE REALIZA EL GRABADO.
METODO DE FABRICAR HILOS CUANTICOS DE SILICIO.
(16/09/1995). Solicitante/s: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRIT. MAJESTY'S GOVERN. OF UNITED KINGDOM OF GB AND N. IRELAND. Inventor/es: CANHAM, LEIGH, TREVOR, LEONG, WENG, YEE, KEEN, JOHN, MICHAEL.
UN METODO PARA LA FABRICACION DE CABLES CUANTICOS SEMICONDUCTORES EN QUE SU UTILIZA UN PLAQUITA SEMICONDUCTORA COMO EL MATERIAL INICIAL. LA PLAQUITA ES DEL TIPO P DEBILMENTE DOPADA CON UNA CAPA P DELGADA MUY DOPADA DENTRO PARA QUE LA CORRIENTE FLUYA DE MANERA UNIFORME. LA PLAQUITA SE ANODIZA EN ACIDO FLUORHIDRICO ACUSOSO AL 20% PARA PRODUCIR UNA CAPA GRUESA EN MICRAS CON UNA POROSIDAD DEL 70% Y BUENA CRISTALINIDAD. A CONTINUACION SE GRABA LA CAPA CON ACIDO FLUORHIDRICO CONCENTRADO, LO CUAL PROPORCIONA UNA VELOCIDAD DE ATAQUE LENTA. EL ATAQUE HACE QUE AUMENTE LA POROSIDAD A UN NIVEL DEL 80% EN LA REGION O SUPERIOR. A TAL NIVEL, LOS POROS SE SUPERPONEN Y SE ESPERA QUE SE FORMEN CABLES CUANTICOS AISLADOS CON DIAMETROS MENORES O IGUALES A 3 NM. LA CAPA GRABADA PRESENTA UNA EMISION FOTOLUMINISCENTE A ENERGIAS FOTONICAS MUY POR ENCIMA DEL HUECO DE BANDA DE SILICIO (1,1 EV) Y QUE SE EXTIENDE HASTA LA REGION ROJA (1,6 - 2,0 EV) DEL ESPECTRO VISIBLE.
ATAQUE QUIMICO POR VIA HUMEDA PARA PRODUCIR SUPERFICIES ESTRUCTURADAS DE SILICIO.
(16/04/1995). Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es: HOLDERMANN, KONSTANTIN, DIPL.-CHEM.-ING.
UN PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO QUIMICO HUMEDO DE LA ESTRUCTURA DE SILICIO EN EL QUE LA SUPERFICIE DEL SILICIO SE PONE EN CONTACTO CON UNA SOLUCION QUIMICA, QUE CONTIENE AGUA, UN REACTIVO BASICO, ALCOHOL Y SILICIO U OXIDO DE SILICIO DEBE PERMITIR LA FABRICACION REPRODUCIBLE DE DETERMINADAS ESTRUCTURAS SUPERFICIALES UNIDA A UN TEXTURADO COMPLETO DE LA SUPERFICIE DEL DISCO. A LA SOLUCION QUIMICA SE AGREGA OXIGENO.
CAMPO MAGNETICO MEJORADO CON UN REACTOR DE PLASMA.
(01/11/1994) SE DESCRIBE UN REACTOR DE GRABACION POR PLASMA DE UNA SOLA OBLEA CON CAMPO MAGNETICO AUMENTADO. LAS PRESTACIONES DEL REACTOR INCLUYEN UN CAMPO MAGNETICO CONTROLADO ELECTRICAMENTE DEL TIPO PASO A PASO PARA PROPORCIONAR UNA VELOCIDAD UNIFORME DE GRABACION EN ALTAS PRESIONES. LAS SUPERFICIES CUYA TEMPERATURA ESTA CONTROLADA INCLUYE SUPERFICIES DE ANODO CALENTADAS (PAREDES Y GASES) Y UNA OBLEA ENFRIADA QUE SOPORTA EL CATODO/PEDESTAL ; Y UNA MECANISMO DE INTERCAMBIO DE OBLEAS UNICO QUE CONSTA DE PASADORES PARA SUSTENTACION DE LA MISMAS QUE ATRAVIESAS EL PEDESTAL Y UN ANILLO DE APRIETE DE LA OBLEAS . LOS PASADORES DE SUSTENTACION Y EL ANILLO DE APRIETE SE MUEVEN VERTICALMENTE POR UN MECANISMO DE UN EJE PARA ACEPTAR LA OBLEA A PARTIR DE UNA LAMINA EXTERNA COOPERANTE , UNA FIJACION AL PEDESTAL Y…
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/11/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. CONSTA DE LAS SIGUIENTES OPERACIONES PARA FORMAR UNA MASCARA PROTECTORA DE SUSTRATO: MORDENTAR EL SUSTRATO PARA FORMAR CAVIDADES QUE DEFINAN ELEMENTOS UNDIENDO LA REACCION DEL SUSTRATO CON UN REACTIVO ENERGETICO, Y DAR POR TERMINADO EL PROCESO PRODUCIENDOSE LA REDEPOSICION DE MATERIAL SOBRE LAS PAREDES LATERALES DE LA CAVIDAD DURANTE EL MORDENTADO, CARACTERIZADO POR COMPRENDER UNA FASE ELEGIDA ENTRE COMPENSAR LOCALMENTE EL EFECTO DE LA REDEPOSICION SOBRE LA CONFORMACION DE LA PARED LATERAL.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
(16/05/1987). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.
METODO DE FABRICAR DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE: A) CONFINAR EL PLASMA EN UNA REGION QUE SE EXTIENDE LATERALMENTE DESDE LA PERIFERIA DEL SUSTRATO EN UNA DISTANCIA INFERIOR AL 20% DEL DIAMETRO EFICAZ DEL SUSTRATO, MEDIANTE SEPARACION CON UN MATERIAL DIELECTRICO EN LA PROXIMIDAD DEL SUSTRATO; B) MORDENTAR EN UN REACTOR UN PRIMER MATERIAL DE SUSTRATO POR CONTACTO CON ENTIDADES DE CLORO DE UN PLASMA DE GAS; Y C) TRATAR UN SEGUNDO MATERIAL DE SUSTRATO CON EL PLASMA DE GAS, PARA FORMAR EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. EL PRIMER MATERIAL ES OXIDO DE SILICIO; EL SEGUNDO MATERIAL ES SILICIO; Y EL REACTOR TIENE UN CATODO HEXAGONAL PARA PRODUCIR PLASMA. TIENE APLICACIONES EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
UN METODO PARA FORMAR AISLAMIENTO DIELECTRICO TOTAL EN UNA ESTRUCTURA DE SILICIO.
(01/10/1978). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.
