PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON GUIAONDAS INTEGRADO Y CON FIBRA OPTICA ACOPLADA AL MISMO.

LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO PARA LA ELABORACION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR DE SILICIO CON UNA GUIA DE ONDA INTEGRADA ACOPLADA A UNA FIBRA OPTICA.

MEDIANTE GENERACION DE UNA CAVIDAD EN EL SUBSTRATO, LA GUIA DE ONDA INTEGRADA ESTA PROVISTA CON UNA SUPERFICIE DE EXTREMO ACCESIBLE LIBREMENTE OPUESTA AL EXTREMO DE LA RANURA CON PERFIL EN V, SIENDO ELABORADA CON ATAQUE ACIDO DE FORMA ANISOTROPA EN EL SUBSTRATO PARA LA RECEPCION DE LA FIBRA OPTICA. PARA ELABORAR DE FORMA ECONOMICA UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR CON UN ALINEAMIENTO PARTICULARMENTE ASEGURADO ENTRE LA FIBRA OPTICA Y LA GUIA DE ONDA INTEGRADA Y UNA CALIDAD OPTICA ALTA, LA CAVIDAD (20) ESTA FORMADA EN EL SUBSTRATO (1) MEDIANTE CORTE DE UNA PIEZA (15) DEL SUBSTRATO (1) SEMICONDUCTOR. PARA ESTE OBJETIVO, LA PIEZA (15) ESTA COLOCADA DE FORMA DESNUDA MEDIANTE ATAQUE ACIDO ANISOTROPO, EXCEPTO PARA UN AREA (16) QUE RODEA LA GUIA (2) DE ONDA INTEGRADA. EL AREA (16) ESTA DEBILITADA MEDIANTE ATAQUE ACIDO PARA LA FORMACION DE UNA ENTALLADURA (17) CON PERFIL DE V HASTA QUE LA PIEZA (15) ROMPE CUANDO SE EJERCE UNA PRESION.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.

Inventor/es: SPLETT, ARMIN.

Fecha de Publicación: 1 de Abril de 1998.

Fecha Solicitud PCT: 15 de Julio de 1994.

Fecha Concesión Europea: 28 de Enero de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

G02B6/30 FISICA. › G02 OPTICA. › G02B ELEMENTOS, SISTEMAS O APARATOS OPTICOS (G02F tiene prioridad; elementos ópticos especialmente adaptados para ser utilizados en los dispositivos o sistemas de iluminación F21V 1/00 - F21V 13/00; instrumentos de medida, ver la subclase correspondiente de G01, p. ej. telémetros ópticos G01C; ensayos de los elementos, sistemas o aparatos ópticos G01M 11/00; gafas G02C; aparatos o disposiciones para tomar fotografías, para proyectarlas o para verlas G03B; lentes acústicas G10K 11/30; "óptica" electrónica e iónica H01J; "óptica" de rayos X H01J, H05G 1/00; elementos ópticos combinados estructuralmente con tubos de descarga eléctrica H01J 5/16, H01J 29/89, H01J 37/22; "óptica" de microondas H01Q; combinación de elementos ópticos con receptores de televisión H04N 5/72; sistemas o disposiciones ópticas en los sistemas de televisión en colores H04N 9/00; disposiciones para la calefacción especialmente adaptadas a superficies transparentes o reflectoras H05B 3/84). › G02B 6/00 Guías de luz; Detalles de estructura de las disposiciones que comprenden guías de luz y otros elementos ópticos, p. ej. medios de acoplamiento. › para uso entre fibra y dispositivo de capa delgada.
G02B6/36 G02B 6/00 […] › Medios de acoplamiento mecánicos (G02B 6/255, G02B 6/42 tienen prioridad).
H01L21/302 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.
H01L21/306 H01L 21/00 […] › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).

Países PCT: Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Oficina Europea de Patentes, Japón, Estados Unidos de América.

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