Composición acuosa alcalina de grabado y de limpieza y procedimiento de tratamiento de la superficie de sustratos de silicio.

Una composición acuosa alcalina de grabado y de limpieza que comprende:

(A) al menos un hidróxido de amonio cuaternario; preferiblemente seleccionado del grupo que consiste en hidróxido de tetrametilamonio e hidróxido de tetraetilamonio; y

(B) al menos un componente seleccionado del grupo que consiste en (b1) ácidos sulfónicos solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general I:

(R1-SO3-)nXn+ (I),

(b2) ácidos fosfónicos solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general II:

R-PO32-(Xn+)3-n (II),

(b3) ésteres de ácido sulfúrico solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general III:

(RO-SO3-)nXn+ (III),

(b4) ésteres de ácido fosfórico solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general (IV): RO-PO32-(Xn+)3-n (IV),

y

(b5) ésteres de ácido fosfórico solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general (V):

[(RO)2PO2 -]nXn+ (V);

en las que el índice n = 1 o 2; la variable X se selecciona del grupo que consiste en hidrógeno, metal alcalino y metal alcalinotérreo; la variable R1 se selecciona del grupo que consiste en restos alifáticos que tienen de 2 a 5 átomos de carbono y al menos un doble enlace olefínicamente insaturado, y restos cicloalifáticos que tienen de 4 a 6 átomos de carbono y al menos un doble enlace olefínicamente insaturado; preferiblemente, por lo que R1 se selecciona de vinilo, prop-1-en-1-ilo, prop-2-en-1-ilo (alilo) y alfa-metil-vinilo; y la variable R se selecciona del grupo que consiste en restos alifáticos que tienen 2 a 5 átomos de carbono y al menos un doble enlace olefínicamente insaturado, restos cicloalifáticos que tienen 4 a 6 átomos de carbono y al menos un doble enlace olefínicamente insaturado, y restos alquilarilo, en los que los restos arilo se seleccionan de benceno y naftaleno, los restos alquilo se seleccionan de metileno, etano-diilo y propano-diilo, y R se selecciona preferiblemente de vinilo, prop-1-en-1-ilo, prop-2-en-1-ilo (alilo), alfa-metil-vinilo y bencilo; y el átomo de fósforo en la fórmula general II está unido directamente y el átomo de azufre en la fórmula general III y el átomo de fósforo en las fórmulas generales IV y V están unidos cada uno a través de un átomo de oxígeno a un átomo de carbono alifático;

preferiblemente, por lo que la composición se caracteriza porque su pH es de 8 a 13.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2011/052418.

Solicitante: BASF SE.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Carl-Bosch-Strasse 38 67056 Ludwigshafen am Rhein ALEMANIA.

Inventor/es: FESSENBECKER, ACHIM, DR., FERSTL,BERTHOLD, BRAUN,SIMON.

Fecha de Publicación: 8 de Febrero de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

C11D11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C11 ACEITES, GRASAS, MATERIAS GRASAS O CERAS ANIMALES O VEGETALES; SUS ACIDOS GRASOS; DETERGENTES; VELAS. › C11D COMPOSICIONES DETERGENTES; UTILIZACION DE UNA SOLA SUSTANCIA COMO DETERGENTE; JABON O SU FABRICACION; JABONES DE RESINA; RECUPERACION DE LA GLICERINA. › Métodos particulares para la preparación de composiciones que contienen mezclas de detergentes.
C11D7/32 C11D […] › C11D 7/00 Composiciones de detergentes basadas esencialmente en compuestos no tensioactivos. › que contienen nitrógeno.
C11D7/34 C11D 7/00 […] › que contienen azufre.
C11D7/36 C11D 7/00 […] › que contienen fósforo.
H01L21/306 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
H01L21/461 H01L 21/00 […] › para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.
H01L31/18 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2699223_T3.pdf

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