CAMPO MAGNETICO MEJORADO CON UN REACTOR DE PLASMA.

SE DESCRIBE UN REACTOR DE GRABACION POR PLASMA DE UNA SOLA OBLEA CON CAMPO MAGNETICO AUMENTADO.

LAS PRESTACIONES DEL REACTOR INCLUYEN UN CAMPO MAGNETICO CONTROLADO ELECTRICAMENTE DEL TIPO PASO A PASO PARA PROPORCIONAR UNA VELOCIDAD UNIFORME DE GRABACION EN ALTAS PRESIONES. LAS SUPERFICIES CUYA TEMPERATURA ESTA CONTROLADA INCLUYE SUPERFICIES DE ANODO CALENTADAS (PAREDES Y GASES) Y UNA OBLEA ENFRIADA QUE SOPORTA EL CATODO/PEDESTAL (70,72); Y UNA MECANISMO DE INTERCAMBIO DE OBLEAS UNICO QUE CONSTA DE PASADORES PARA SUSTENTACION DE LA MISMAS (79) QUE ATRAVIESAS EL PEDESTAL Y UN ANILLO DE APRIETE DE LA OBLEAS (78). LOS PASADORES DE SUSTENTACION Y EL ANILLO DE APRIETE SE MUEVEN VERTICALMENTE POR UN MECANISMO DE UN EJE (140) PARA ACEPTAR LA OBLEA A PARTIR DE UNA LAMINA EXTERNA COOPERANTE (76), UNA FIJACION AL PEDESTAL Y VUELTA DE LA OBLEA A LA LAMINA. EL ENFRIAMIENTO DEL ELECTRODO COMBINA EL ENFRIAMIENTO POR AGUA PARA EL CUERPO DEL ELECTRODO (70) Y EL INTERFASE DE GAS CON CONDCUTIVIDAD TERMICA AUMENTADA ENTRE LA OBLEA Y EL ELECTRODO. UN DISPOSITIVO A TRAVES DEL CUAL SE ALIMENTA EL GAS (114,175,176) APLICA EL ENFRIAMIENTO POR GAS AL ELECTRODO ALIMENTADO POR RF (72) SIN INTERRUPCION. RECUBRIMIENTOS Y CAPAS PROTECTORAS (81,83) DE LOS MATERIALES TALES COMO EL CUARZO SON SUMINISTRADOS PARA LAS SUPERFICIES TALES COMO LAS DEL ANILLO DE APRIETE Y DEL GAS. LA COMBINACION DE ESTAS PRESTACIONES PROPORCIONA UN REGIMEN AMPLIO DE PRESION, ALTA VELOCIDAD DE GRABACION, GRABACION DE OBLEAS ELEVADA QUE PROPORCIONA UNIFORMIDAD, DIRECCIONALIDAD Y SELECTIVIDAD A ALTAS PRESIONES DE GAS, OPERA LIMPIAMENTE E INCORPORA CAPACIDAD DE AUTOLIMPIEZA EN EL PROPIO LUGAR.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: APPLIED MATERIALS, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 3050 BOWERS AVENUE,SANTA CLARA CALIFORNIA 95051.

Inventor/es: MAYDAN, DAN, SOMEKH, SASSON, CHANG, MEI, WANG, DAVID NIN-KOU, CHENG, DAVID, STALDER, KENNETH R., ANDREWS, DANA L., WHITE, JOHN M.WONG, JERRY YUEN KUI, ZEITLIN, VLADIMIR J.

Fecha de Publicación: 1 de Noviembre de 1994.

Fecha Concesión Europea: 7 de Septiembre de 1994.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/50 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › por medio de descargas eléctricas.
H01J37/32 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).
H01L21/306 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).

Patentes similares o relacionadas:

Dispositivo de ablación por chispas y procedimiento de generación de nanopartículas, del 17 de Junio de 2020, de VSParticle Holding B.V: Un dispositivo de ablación por chispas de generación de nanopartículas provisto de una entrada/salida para el gas y que comprende un generador de chispas […]

Dispositivo de recubrimiento por plasma post-descarga para sustratos con forma de alambre, del 29 de Abril de 2020, de Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST): Dispositivo de recubrimiento de plasma post-descarga para un sustrato con forma de alambre , que comprende: - un electrodo tubular interno sobre una pared tubular […]

Sistema de capa de vacío y tratamiento con plasma, y procedimiento para recubrir un sustrato, del 26 de Febrero de 2020, de VAPOR TECHNOLOGIES, INC: Un sistema de tratamiento con plasma y recubrimiento de vacío que comprende: un conjunto de plasma dispuesto de modo tal que mira a un sustrato […]

Proceso de plasma y reactor para el tratamiento termoquímico de la superficie de piezas metálicas, del 19 de Febrero de 2020, de Universidade Federal De Santa Catarina (UFSC): Proceso para el tratamiento superficial termoquímico de piezas metálicas, en un reactor (R) de plasma que tiene una cámara de reacción (RC) […]

Fuente de plasma para un aparato de CVD de plasma y un procedimiento de fabricación de un artículo por el uso de la fuente de plasma, del 19 de Febrero de 2020, de AGC Inc: Una fuente de plasma para un aparato de CVD de plasma, que comprende: un grupo de electrodos que incluye cuatro electrodos, que son un primer electrodo […]

Dispositivo de revestimiento para el revestimiento de un sustrato, así como un procedimiento para el revestimiento de un sustrato, del 15 de Enero de 2020, de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon: Dispositivo de evaporación de un material diana que comprende una cámara de proceso para el establecimiento y el mantenimiento […]

Fuente de evaporación por arco, del 18 de Diciembre de 2019, de KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.): Una fuente de evaporación por arco, incluyendo: un blanco a fundir y evaporar de una superficie de extremo delantero (3a) del blanco […]

Método para el revestimiento de un sustrato con una capa de polímero, del 11 de Diciembre de 2019, de EUROPLASMA NV: Un método para revestir un sustrato con una capa de polímero, donde dicho método comprende la localización de un primer juego de electrodos (14, […]