DISPOSITIVO DE SILICIO ELECTROLUMINISCENTE.

UN DISPOSITIVO (10) DE SILICIO ELECTROLUMINISCENTE INCLUYE UNA ESTRUCTURA (12) DE SILICIO LA CUAL COMPRENDE UNA CAPA (14) DE SILICIO HOMOGENEO Y UNA CAPA (16) DE SILICIO POROSO.

LA CAPA (16) DE SILICIO POROSO TIENE POROS (20) INTERCALADOS LOS CUALES DEFINEN CONDUCTORES (18) CUANTICOS DE SILICIO. LOS CONDUCTORES (18) CUANTICOS TIENEN UNA CAPA (22) DE ESTABILIZACION SUPERFICIAL. LA CAPA (16) POROSA EXHIBE FOTOLUMINISCENCIA BAJO IRRADIACION ULTRA VIOLETA. LA CAPA POROSA (16) ESTA SATURADA POR UN MATERIAL CONDUCTOR TAL COMO UN ELECTROLITO (24) O UN METAL (48). EL MATERIAL CONDUCTOR (24) ASEGURA QUE UN CAMINO DE CORRIENTE ELECTRICAMENTE CONTINUA SE EXTIENDE A TRAVES DE LA CAPA (16) POROSA; EL NO DEGRADA LA SUPERFICIE (22) DE ESTABILIZACION DEL CONDUCTOR CUANTICO SUFICIENTEMENTE COMO PARA QUE EL CONDUCTOR (18) CUANTICO NO PRODUZCA LUMINISCENCIA, E INJERTA PORTADORES MINORITARIOS DENTRO DEL CONDUCTOR CUANTICO. UN ELECTRODO (26) SE CONECTA EL MATERIAL CONDUCTOR (24) Y LA CAPA DE SILICIO HOMOGENEO TIENE CONEXION (28) OHMICA. CUANDO SE POLARIZA EL ELECTRODO (26) ES EL ANODO Y LA ESTRUCTURA (12) DE SILICIO ES EL CATODO. ENTONCES SE OBSERVA LA ELECTROLUMINISCENCIA EN LA REGION VISIBLE DEL ESPECTRO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRITANNIC MAJESTY'S GOV. OF THE UNITED KINGDOM OF GREAT BRITAI.

Nacionalidad solicitante: Reino Unido.

Dirección: WHITEHALL,LONDON SW1A 2HB.

Inventor/es: CANHAM, LEIGH, TREVOR, COX, TIMOTHY, INGRAM, LEONG, WENG, YEE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 25 de Marzo de 1992.

Fecha Concesión Europea: 6 de Noviembre de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/306 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
  • H01L33/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
  • H05B33/00 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05B CALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR.Fuentes de luz electroluminiscente.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Oficina Europea de Patentes, Canadá, Japón, República de Corea, Estados Unidos de América.

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