(11/09/2018) Procedimiento para la producción de silicio policristalino, en el que se precipita silicio policristalino sobre cuerpos soporte calentados mediante paso de corriente directo, con lo cual se generan varas de silicio policristalinas, manteniéndose los cuerpos soporte en una placa de fondo de un reactor y abasteciéndose éstos de corriente a través de electrodos, concluyéndose la precipitación de silicio policristalino cuando las varas de silicio policristalinas han alcanzado un diámetro final deseado, eliminándose a continuación las varas de silicio policristalinas del reactor y equipándose el reactor con nuevos cuerpos soporte para generar otras varas de silicio policristalinas, limpiándose la placa de fondo del…

(30/11/2016) Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende a) precipitación de silicio policristalino por medio de CVD sobre al menos un cuerpo soporte en forma de U, que se calienta mediante paso de corriente directo a una temperatura a la que el silicio policristalino precipita sobre el cuerpo soporte, mediante lo cual se produce al menos un par de varas de silicio policristalinas en forma de U, estando unido el cuerpo soporte a un electrodo de grafito en sus extremos libres respectivamente, y abasteciéndose éste de corriente de este modo; b) desmontaje de al menos un par de varas de silicio policristalinas del…

(08/06/2016) Un procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción que contiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno en un reactor que contiene por lo menos una barra filamentosa calentada, sobre la que se deposita silicio policristalino, comprendiendo el reactor por lo menos una mirilla en forma de tubo óptico, que con un extremo situado por el lado del reactor está fijada a un orificio en la pared del reactor y en el otro extremo tiene una superficie de vidrio, aportándose un gas de barrido a través de unos taladros dispuestos en filas de taladros (n, k) en el tubo óptico de la mirilla durante la deposición, caracterizado por que una corriente de gas de barrido M1 discurre en una distancia axial S1_n desde la superficie de vidrio de la mirilla y esencialmente de modo paralelo…

(11/05/2016) Procedimiento para el suministro de corriente a un reactor en el que uno o varios electrodos conducidos a través de una pared del reactor de una red de energía eléctrica aislada galvánicamente contra el contacto a tierra están unidos respectivamente a un elemento eléctricamente conductor, con lo que se aplica una tensión de servicio en el al menos un elemento eléctricamente conductor y la corriente eléctrica pasa por el mismo, encontrándose entre la pared del reactor y el electrodo respectivamente una junta de un material eléctricamente aislante, insertándose en al menos una de estas juntas un núcleo de impermeabilización eléctricamente conductor, conectándose este núcleo de impermeabilización eléctricamente conductor a un equipo de control de aislamiento o a una red de tensión…

(30/03/2016) Procedimiento para la precipitación de silicio policristalino, que comprende introducción de un gas de reacción que contiene un componente que contiene silicio e hidrógeno en un reactor, mediante lo cual se generan varas de silicio policristalinas, caracterizado por que, una vez concluida la precipitación se conduce al reactor un gas que ataca silicio o compuestos que contienen silicio de la fórmula general SixClyHz, que recorre las varas de silicio policristalinas y una pared interna del reactor para disolver partículas que contienen silicio formadas en la precipitación, adheridas a la pared interna del reactor o a las varas de silicio policristalinas, antes de extraer las varas de silicio policristalinas del reactor, empleándose como gas que ataca silicio o compuestos que contienen silicio de la fórmula general…

(23/03/2016) Procedimiento para la eliminación de un depósito que contiene silicio sobre un componente de un reactor, tratándose, en el caso del reactor, de un reactor de lecho turbulento para producir granulado de silicio policristalino mediante precipitación de de silicio policristalino sobre las partículas de silicio añadidas al reactor, eliminándose el depósito mecánicamente por medio de partículas puntiagudas que contienen silicio y efectuándose la eliminación del depósito mientras que el reactor está en funcionamiento, es decir, mientras se produce granulado de silicio policristalino, caracterizado por que, en el caso del componente del reactor en el que se elimina el depósito, se trata de un tubo de gas de escape, y las partículas que contienen silicio se alimentan por…

(23/02/2016) Procedimiento para la determinación de una impureza en superficie de silicio policristalino, que comprende las etapas a) proporcionar dos varillas de silicio policristalino mediante separación en un reactor Siemens; b) impurezas con carbono y sustancias de dopaje en la primera de las dos varillas se determinan inmediatamente después de la separación, en donde de esta varilla se separa un disco y se utiliza para la determinación de la concentración de carbono mediante FTIR, en donde una varilla que permanece después de la separación del disco de esta varilla se transforma, mediante FZ, en una varilla monocristalina, en donde en un disco…

(02/02/2016) Dispositivo para el desmenuzado de una vara de silicio policristalina, que comprende una base, así como al menos un cincel de desmenuzado móvil, y al menos un yunque inmóvil, poseyendo el cincel de desmenuzado, al menos uno, un eje longitudinal que está orientado paralelamente o casi paralelamente a la superficie de la base, pudiéndose ajustar una vara de silicio situada en la superficie de la base, a desmenuzar, respectivamente entre cincel de desmenuzado y yunque, de tal manera que cincel de desmenuzado y yunque pueden poseer un contacto con la vara de silicio en la zona de la vara de silicio, y respectivamente un punto de apoyo de vara de silicio y yunque, así como un eje transversal de la vara de silicio que transcurre a través de un centro de…

(20/05/2015) Un dispositivo destinado a la protección de unos sistemas de fijación de electrodos en unos reactores de CVD, que comprende un electrodo apropiado para el alojamiento de una barra filamentosa, que está situado sobre un sistema de fijación de un electrodo hecho a base de un material conductivo de la electricidad, que está colocado dentro de un rebajo de una placa de fondo, siendo estanqueizado con un material de estanqueidad un espacio intermedio existente entre el sistema de fijación de un electrodo y la placa de fondo y siendo protegido el material de estanqueidad por medio de un cuerpo protector constituido por una o múltiples piezas, que está dispuesto en forma anular en torno al sistema de fijación de un electrodo,…

(17/09/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de 1-50 ppta de boro y 1-50 ppta de fósforo junto a la superficie.

(17/09/2014) Silicio policristalino que ha sido depositado a partir del triclorosilano sobre una barra filamentosa constituida a base de silicio, con unas concentraciones de sustancias dopantes de 1-10 ppta de boro, 1-20 ppta de fósforo, 1-10 ppta de arsénico, y 0,01-1 ppta de aluminio, así como con una duración de vida útil de los portadores de cargas eléctricas de por lo menos 2.000 y de a lo sumo 4.500 μs.

(09/07/2014) Un aparato para aplicar una tensión a través de una pluralidad de varillas de silicio en un reactor de CVD, comprendiendo dicho aparato: una conexión en serie en la que las varillas de silicio pueden ser insertadas como resistencias; al menos una primera unidad de suministro de energía; al menos una segunda unidad de suministro de energía; al menos una tercera unidad de suministro de energía; y al menos una unidad de control capaz de aplicar una tensión a través de las varillas de silicio en la conexión en serie por medio de las primera, segunda o tercera unidades de suministro de energía, en el que la primera unidad de suministro de energía comprende una pluralidad de primeros transformadores, cada una de cuyas salidas está conectada con una varilla de silicio de la conexión…

(26/03/2014) Procedimiento para la producción de un polisilicio, que comprende a) un proceso de deposición de un silicio policristalino sobre unos filamentos en un reactor de deposición mediante un gas de reacción que contiene un componente que contiene silicio, el cual comprende triclorosilano, e hidrógeno, siendo por lo menos de 25 % la saturación molar del componente que contiene silicio en lo que se refiere al hidrógeno; b) la aportación de un gas de salida que sale del proceso de deposición a un dispositivo para el enfriamiento del gas de salida, i) siendo conducidos los componentes que se condensan por medio del enfriamiento, del gas de salida que contiene a un dispositivo, que hace posible una purificación por destilación del material condensado,…

(30/10/2013) Procedimiento para la purificación de un silicio policristalino, en el que, por introducción de unos gases dereacción que contienen un componente, que contiene silicio, e hidrógeno, se deposita silicio en unos reactores, en elque un material condensado purificado, procedente de un primer proceso de deposición en un primer reactor, seaporta a un segundo reactor, y se utiliza en un segundo proceso de deposición en ese segundo reactor,caracterizado porque el primer y el segundo reactores comprenden en cada caso un circuito de hidrógeno separadoy el hidrógeno no consumido en los procesos de deposición se purifica en cada caso y se devuelve de retorno alcorrespondiente circuito de hidrógeno.

(14/10/2013) Procedimiento para la producción de varillas finas de silicio, que comprende las siguientes etapas: a) habilitaciónde una varilla de silicio; b) corte secuencial de tablas de un grosor determinado a partir de la varilla por medio de undispositivo de aserrado, en donde la varilla es girada axialmente entre dos cortes consecutivos en cada caso en 90º oen 180º de manera que de cuatro cortes consecutivos tienen lugar por pares en cada caso dos de los cuatro cortes encaras radialmente enfrentadas de la varilla o en donde el corte de las tablas tiene lugar simultáneamente al mismotiempo en caras radialmente enfrentadas de la varilla; c) aserrado de las tablas cortadas para formar varillas finas conuna sección transversal rectangular

(04/07/2013) Disposición para la medición de la temperatura y el crecimiento de grosor de varillas de silicio en un reactorde deposición de silicio a través de una ventana de visualización, caracterizada porque se proporciona un dispositivo de medición sin contacto de temperatura de funcionamiento para la medición de la temperatura y se disponefuera del reactor de deposición de silicio enfrente de una ventana de visualización , porque el dispositivo demedición de temperatura pivota horizontalmente alrededor de un eje de pivote por medio de un impulsor rotatorio , en donde el eje de pivote discurre paralelo al eje longitudinal de la varilla de silicio , y en donde el ejecentral del dispositivo de medición de temperatura discurre a través del eje de pivote .

(27/06/2013) Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción, quecontiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno, mediante una o varias toberas en un reactor conun volumen de espacios vacíos, limitado por medio de unas paredes con una determinada temperatura Tpared, quecontiene por lo menos una barra filamentosa calentada a una temperatura Tbarra, sobre la que se deposita silicio,caracterizado por que un número de Arquímedes Ar, que describe las condiciones de circulación en el reactor y quese calcula de la siguiente manera: Ar ≥ n * π * g * L3 * Ad * (Tbarra - Tpared) / (2 * Q2 * (Tbarra + Tpared)), representando n el número…

(21/06/2013) Electrodo de carbono, caracterizado por que el electrodo está constituido por al menos 2 zonas diferentes dediferente conductividad térmica específica, en el que una zona exterior (A) forma la base del electrodo y lleva una omás zonas interiores, en el que la zona interior (B) sobresale por arriba desde la zona (A), presenta la conductividadtérmica específica mínima y posee un dispositivo para la recepción de una barra de filamentos.

(26/03/2013) Procedimiento para la producción de barras de silicio policristalinas mediante deposición desde la fase gaseosa junto a una barra delgada, caracterizado porque en una zona situada a lo sumo a 20 mm por debajo de una punta de electrodo hasta por debajo del puente de un par de barras se introducen uno o varios discos, que se componen de un material, que en las condiciones de deposición posee una resistencia eléctrica específica más baja que la del silicio policristalino.

(01/08/2012) Barra de silicio policristalina, caracterizada porque ella tiene una sección transversal de barra con una proporciónde superficie de 50 - 99 % de silicio puesta a disposición para la conducción de la electricidad y la barra tiene unaresistencia a la flexión de 0,1 a 80 N/mm2.

(18/07/2012) Aparato para producir silicio policristalino que calienta una barra de simiente de silicio en un reactor al que se suministra un gas de materia prima, y deposita silicio policristalino sobre la superficie de la barra de simiente de silicio, comprendiendo el aparato: un electrodo que se extiende en una dirección vertical para soportar la barra de simiente desilicio; un soporte de electrodos que tiene un conducto de flujo de enfriamiento formado en el mismo en elque circula un medio de enfriamiento, e insertado en un orificio pasante formado en una placa inferior del reactor para soportar el electrodo…

(27/06/2012) Aparato de fabricación de silicio policristalino mediante el suministro de gas de material de partida a unavarilla simiente de silicio calentada proporcionada de manera vertical en un reactor de modo que sedeposite el silicio policristalino sobre una superficie de la varilla simiente de silicio, teniendo el aparatode fabricación: un electrodo que porta la varilla simiente de silicio y está compuesto por carbono; y unportaelectrodo que se inserta y mantiene en un agujero pasante formado en una parte de placainferior del reactor , y que porta el electrodo , caracterizándose el aparato de fabricación porque: un conducto de refrigerante…

(23/05/2012) Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, en el que un gas de reacción que contiene hidrógenoy un gas que contiene silicio se introducen en un recinto de reacción, y el gas que contiene silicio se descomponetérmicamente en presencia de silicio calentado, y se deposita sobre el silicio, resultando un gas de salida, y este gasde salida se separa en una primera fracción del gas de salida que comprende triclorosilano y unos clorosilanos quehierven a temperaturas más bajas que el triclorosilano, y en una segunda fracción del gas de salida que comprendeunos componentes que hierven a temperaturas más altas que el triclorosilano, y la primera fracción del gas de salidase aporta al gas de reacción de una deposición…

(10/02/2011) Barra de polisilicio que se puede obtener a través de separación de silicio de alta pureza a partir de un gas de reacción que contiene silicio, que se ha descompuesto térmicamente o se ha reducido a través de hidrógeno, en una barra de filamentos, caracterizada porque la barra de polisilicio posee en la sección transversal radial de la barra al menos 4 zonas distintas con diferentes microestructuras, de manera que a) en la zona más interior A, del centro de la barra policristalina, se encuentra la barra fina policristalina, b) alrededor de esta barra fina se encuentra una zona B del silicio policristalino separado, en la que la porción de la superficie de los cristales de agujas es…

(05/10/2010) Reactor de depósito de silicio de gran pureza para aplicaciones fotovoltaicas. Se trata de un reactor para la producción de silicio, de la pureza requerida por las aplicaciones fotovoltaicas, mediante la reducción con hidrógeno de compuestos gaseosos derivados del silicio (silano o clorosilanos). Se aportan soluciones industriales al complejo sistema de precalentamiento y al excesivo consumo energético que caracterizan los reactores industriales en la actualidad. El reactor consiste en un conjunto de varillas delgadas de silicio de gran pureza (i.e, superior al 99,999999%) y dopadas con impurezas aceptoras o donadoras, donde se produce el depósito de silicio. Se calientan en torno a los…