Reactor para la producción de silicio policristalino y procedimiento para la eliminación de un depósito que contiene silicio sobre un componente de tal reactor.
Procedimiento para la eliminación de un depósito que contiene silicio sobre un componente de un reactor,
tratándose, en el caso del reactor, de un reactor de lecho turbulento para producir granulado de silicio policristalino mediante precipitación de de silicio policristalino sobre las partículas de silicio añadidas al reactor, eliminándose el depósito mecánicamente por medio de partículas puntiagudas que contienen silicio y efectuándose la eliminación del depósito mientras que el reactor está en funcionamiento, es decir, mientras se produce granulado de silicio policristalino, caracterizado por que, en el caso del componente del reactor en el que se elimina el depósito, se trata de un tubo de gas de escape, y las partículas que contienen silicio se alimentan por separado sin adición de otras sustancias al reactor de lecho turbulento para la eliminación del depósito, o las partículas que contienen silicio se añaden a las partículas de germinación y se alimentan continuamente al reactor de lecho turbulento.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/059166.
Solicitante: WACKER CHEMIE AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: HANNS-SEIDEL-PLATZ 4 81737 MÜNCHEN ALEMANIA.
Inventor/es: WECKESSER,DIRK.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B24C1/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B24 TRABAJO CON MUELA; PULIDO. › B24C TRATAMIENTO POR CHORRO ABRASIVO O CHORRO ANALOGO, CON MATERIALES EN PARTICULAS. › Métodos para la utilización del chorro abrasivo con vistas a la realización de un trabajo determinado; Utilización de equipos auxiliares vinculados a estos métodos.
- C01B33/035 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens.
- C23C16/24 C […] › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición solamente de silicio.
- C23C16/44 C23C 16/00 […] › caracterizado por el proceso de revestimiento (C23C 16/04 tiene prioridad).
- C23C16/442 C23C 16/00 […] › utilizando procesos en lechos fluidizados.
PDF original: ES-2666391_T3.pdf
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