Vara de silicio policristalina y procedimiento para su producción.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(12/04/2017). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Clasificación: C01B33/035, C23C16/24, C23C16/44.
Vara de silicio policristalina con un diámetro total de al menos 150 mm, que contiene un núcleo (A) con una porosidad de 0 a menos de 0,01 alradedor de una vara delgada y al menos dos zonas B y C subsiguientes, que se diferencian en su porosidad en un factor de 1,7 a 23, siendo la zona C externa menos porosa que la zona B.
PDF original: ES-2626554_T3.pdf
Procedimiento para evitar la formación de deposiciones sobre una mirilla en la producción de silicio policristalino.
(08/06/2016) Un procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción que contiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno en un reactor que contiene por lo menos una barra filamentosa calentada, sobre la que se deposita silicio policristalino, comprendiendo el reactor por lo menos una mirilla en forma de tubo óptico, que con un extremo situado por el lado del reactor está fijada a un orificio en la pared del reactor y en el otro extremo tiene una superficie de vidrio, aportándose un gas de barrido a través de unos taladros dispuestos en filas de taladros (n, k) en el tubo óptico de la mirilla durante la deposición, caracterizado por que una corriente de gas de barrido M1 discurre en una distancia axial S1_n desde la superficie de vidrio de la mirilla y esencialmente de modo paralelo…
Dispositivo protector para sistemas de fijación de electrodos en unos reactores de CVD.
(20/05/2015) Un dispositivo destinado a la protección de unos sistemas de fijación de electrodos en unos reactores de CVD, que comprende un electrodo apropiado para el alojamiento de una barra filamentosa, que está situado sobre un sistema de fijación de un electrodo hecho a base de un material conductivo de la electricidad, que está colocado dentro de un rebajo de una placa de fondo, siendo estanqueizado con un material de estanqueidad un espacio intermedio existente entre el sistema de fijación de un electrodo y la placa de fondo y siendo protegido el material de estanqueidad por medio de un cuerpo protector constituido por una o múltiples piezas, que está dispuesto en forma anular en torno al sistema de fijación de un electrodo,…
(21/06/2013) Electrodo de carbono, caracterizado por que el electrodo está constituido por al menos 2 zonas diferentes dediferente conductividad térmica específica, en el que una zona exterior (A) forma la base del electrodo y lleva una omás zonas interiores, en el que la zona interior (B) sobresale por arriba desde la zona (A), presenta la conductividadtérmica específica mínima y posee un dispositivo para la recepción de una barra de filamentos.
Procedimiento para la producción de barras de silicio policristalinas exentas de fisuras.
(26/03/2013) Procedimiento para la producción de barras de silicio policristalinas mediante deposición desde la fase gaseosa junto a una barra delgada, caracterizado porque en una zona situada a lo sumo a 20 mm por debajo de una punta de electrodo hasta por debajo del puente de un par de barras se introducen uno o varios discos, que se componen de un material, que en las condiciones de deposición posee una resistencia eléctrica específica más baja que la del silicio policristalino.
BARRA DE SILICIO POLICRISTALINO PARA TRACCIÓN POR ZONAS Y UN PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCIÓN.
(10/02/2011) Barra de polisilicio que se puede obtener a través de separación de silicio de alta pureza a partir de un gas de reacción que contiene silicio, que se ha descompuesto térmicamente o se ha reducido a través de hidrógeno, en una barra de filamentos, caracterizada porque la barra de polisilicio posee en la sección transversal radial de la barra al menos 4 zonas distintas con diferentes microestructuras, de manera que a) en la zona más interior A, del centro de la barra policristalina, se encuentra la barra fina policristalina, b) alrededor de esta barra fina se encuentra una zona B del silicio policristalino separado, en la que la porción de la superficie de los cristales de agujas es…
(16/07/2000) LA INVENCION SE REFIERE A UNA FUENTE DE ALIMENTACION, QUE COMPRENDE UNA CONEXION PARA SUMINISTRO DE POTENCIA A UNA RED, GUIANDO TENSION ALTERNA CON AL MENOS UN TRANSFORMADOR, UN CIRCUITO RECTIFICADOR MONTADO A CONTINUACION Y AL CUAL PUEDE SER CONECTADO UN CONSUMIDOR, Y CON UN INTERRUPTOR ELECTRONICO EN LA LINEA DE ALIMENTACION DE POTENCIA DEL ARROLLAMIENTO PRIMARIO DEL TRANSFORMADOR. LA FUENTE DE ALIMENTACION COMPRENDE ADEMAS UNA FUENTE DE ALIMENTACION AUXILIAR, CUYA TENSION DE CONTROL ES MAYOR CAPACITIVAMENTE QUE LA TENSION EN LA SALIDA DE LA FUENTE DE ALIMENTACION, ESTANDO CONECTADA LA SALIDA DE LA FUENTE DE ALIMENTACION AUXILIAR A LA GUIA DE TRANSPORTE DE POTENCIA SOBRE EL LADO SECUNDARIO DEL TRANSFORMADOR DE LA FUENTE DE ALIMENTACION. CUANDO SE CONECTA UN CONSUMIDOR, SE TOMA LA CORRIENTE A PARTIR DE LA FUENTE DE…