Procedimiento para la precipitación de silicio policristalino.

Procedimiento para la precipitación de silicio policristalino,

que comprende introducción de un gas de reacción que contiene un componente que contiene silicio e hidrógeno en un reactor, mediante lo cual se generan varas de silicio policristalinas, caracterizado por que, una vez concluida la precipitación se conduce al reactor un gas que ataca silicio o compuestos que contienen silicio de la fórmula general SixClyHz, que recorre las varas de silicio policristalinas y una pared interna del reactor para disolver partículas que contienen silicio formadas en la precipitación, adheridas a la pared interna del reactor o a las varas de silicio policristalinas, antes de extraer las varas de silicio policristalinas del reactor, empleándose como gas que ataca silicio o compuestos que contienen silicio de la fórmula general SixClyHz una mezcla de H2 y triclorosilano o una mezcla de H2 y triclorosilano y diclorosilano, componiéndose la mezcla de un 90-99 % en moles de H2, un 1-10 % en moles de TCS y un 0-2 % en moles de DCS, ascendiendo el flujo parcial de clorosilanos en suma a 0,005-0,2 kmol/h por 1 m2 de una superficie de las varas de silicio policristalinas y la temperatura de las varas de silicio policristalinas a 1100-1400ºC.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E13187018.

Solicitante: WACKER CHEMIE AG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: HANNS-SEIDEL-PLATZ 4 81737 MÜNCHEN ALEMANIA.

Inventor/es: SOFIN,DR. MIKHAIL.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C01B33/035 QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens.

PDF original: ES-2577408_T3.pdf

 

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