Procedimiento para la producción de silicio policristalino.
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende
a) precipitación de silicio policristalino por medio de CVD sobre al menos un cuerpo soporte en forma de U,
que se calienta mediante paso de corriente directo a una temperatura a la que el silicio policristalino precipita sobre el cuerpo soporte, mediante lo cual se produce al menos un par de varas de silicio policristalinas en forma de U, estando unido el cuerpo soporte a un electrodo de grafito en sus extremos libres respectivamente, y abasteciéndose éste de corriente de este modo;
b) desmontaje de al menos un par de varas de silicio policristalinas del reactor,
c) eliminación de restos de grafito de los extremos del lado del electrodo de al menos dos varas de silicio policristalinas de al menos un par de varas de silicio policristalinas;
d) desmenuzado de al menos dos varas de silicio policristalinas para dar piezas de vara o para dar fragmentos; caracterizado porque los restos de grafito de los extremos del lado del electrodo de al menos dos varas de silicio policristalinas se desprenden respectivamente por medio de al menos un impulso mecánico.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/050769.
Solicitante: WACKER CHEMIE AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: HANNS-SEIDEL-PLATZ 4 81737 MÜNCHEN ALEMANIA.
Inventor/es: BERGMANN, ANDREAS, RIESS, SIEGFRIED, PECH,REINER, FAERBER,STEFAN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B33/035 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens.
PDF original: ES-2656109_T3.pdf
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