Procedimiento para evitar la formación de deposiciones sobre una mirilla en la producción de silicio policristalino.

Un procedimiento para la producción de silicio policristalino,

que comprende introducir un gas de reacción que contiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno en un reactor (1) que contiene por lo menos una barra filamentosa calentada, sobre la que se deposita silicio policristalino, comprendiendo el reactor (1) por lo menos una mirilla (2) en forma de tubo óptico, que con un extremo situado por el lado del reactor está fijada a un orificio en la pared del reactor y en el otro extremo tiene una superficie de vidrio, aportándose un gas de barrido a través de unos taladros (4, 5) dispuestos en filas de taladros (n, k) en el tubo óptico de la mirilla durante la deposición, caracterizado por que una corriente de gas de barrido M1 discurre en una distancia axial S1_n desde la superficie de vidrio de la mirilla (2) y esencialmente de modo paralelo a la superficie de vidrio, siendo una relación D/S1_n entre un diámetro D de tubo óptico y la distancia axial S1_n de una fila de taladros (n), que comprende los taladros (4) que discurren de modo paralelo a la superficie de vidrio, desde la superficie de vidrio mayor que 1 y menor que 40, y estando distanciada de la corriente de gas de barrido M1, en dirección al extremo de la mirilla (2) situado por el lado del reactor, por lo menos otra corriente de gas de barrido M2 discurre inclinada en dirección al extremo de la mirilla (2) situado por el lado del reactor.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/064851.

Solicitante: WACKER CHEMIE AG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: HANNS-SEIDEL-PLATZ 4 81737 MÜNCHEN ALEMANIA.

Inventor/es: KRAUS, HEINZ, KLOSE,GÖRAN, SALZEDER,FRANZ.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B01J3/00 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B01 PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL.B01J PROCEDIMIENTOS QUIMICOS O FISICOS, p. ej. CATALISIS, QUIMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS (procedimientos o aparatos para usos específicos, ver las clases correspondientes a los procedimientos o al equipo, p. ej. F26B 3/08). › Procedimientos que utilizan una presión superior o inferior a la presión atmosférica para obtener modificaciones químicas o físicas de la materia; Aparatos a este efecto (aparatos para el compactado o calcinado de los polvos metálicos B22F 3/00; recipientes a presión en general F16J 12/00; recipientes a presión para contener o almacenar gases comprimidos, licuados o solidificados F17C; vasijas de presión para reactores nucleares G21C).
  • C01B33/035 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 31/36). › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens.

PDF original: ES-2635329_T3.pdf

 

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento para la producción de silicio policristalino, del 11 de Septiembre de 2018, de WACKER CHEMIE AG: Procedimiento para la producción de silicio policristalino, en el que se precipita silicio policristalino sobre cuerpos soporte calentados mediante […]

Procedimiento para la producción de silicio policristalino, del 30 de Mayo de 2018, de WACKER CHEMIE AG: Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende precipitación de silicio policristalino en cuerpos soporte que se encuentran en al menos […]

Puntos de conexión de mandril y puente para filamentos de tubo en un reactor de deposición química de vapor, del 10 de Mayo de 2017, de GTAT Corporation: Un sistema de reactor de deposición química de vapor, que comprende: al menos un primer filamento de tubo que tiene extremos primero […]

Vara de silicio policristalina y procedimiento para su producción, del 12 de Abril de 2017, de WACKER CHEMIE AG: Vara de silicio policristalina con un diámetro total de al menos 150 mm, que contiene un núcleo (A) con una porosidad de 0 a menos de 0,01 alradedor de una vara delgada y al […]

Procedimiento para la producción de silicio policristalino, del 30 de Noviembre de 2016, de WACKER CHEMIE AG: Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende a) precipitación de silicio policristalino por medio de CVD sobre al menos un cuerpo soporte […]

Procedimiento para la producción de una barra de silicio policristalino aleado con germanio, del 8 de Junio de 2016, de WACKER CHEMIE AG: Un procedimiento para producción de una barra con una longitud de 0,5 m a 4 m y con un diámetro de 25 mm a 220 mm, que comprende una barra delgada […]

Procedimiento para el suministro de corriente a un reactor, del 11 de Mayo de 2016, de WACKER CHEMIE AG: Procedimiento para el suministro de corriente a un reactor en el que uno o varios electrodos conducidos a través de una pared del reactor […]

BARRA DE SILICIO POLICRISTALINO PARA TRACCIÓN POR ZONAS Y UN PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCIÓN, del 10 de Febrero de 2011, de WACKER CHEMIE AG: Barra de polisilicio que se puede obtener a través de separación de silicio de alta pureza a partir de un gas de reacción que contiene silicio, que se ha descompuesto térmicamente […]

Otras patentes de WACKER CHEMIE AG