Procedimiento para evitar la formación de deposiciones sobre una mirilla en la producción de silicio policristalino.
Un procedimiento para la producción de silicio policristalino,
que comprende introducir un gas de reacción que contiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno en un reactor (1) que contiene por lo menos una barra filamentosa calentada, sobre la que se deposita silicio policristalino, comprendiendo el reactor (1) por lo menos una mirilla (2) en forma de tubo óptico, que con un extremo situado por el lado del reactor está fijada a un orificio en la pared del reactor y en el otro extremo tiene una superficie de vidrio, aportándose un gas de barrido a través de unos taladros (4, 5) dispuestos en filas de taladros (n, k) en el tubo óptico de la mirilla durante la deposición, caracterizado por que una corriente de gas de barrido M1 discurre en una distancia axial S1_n desde la superficie de vidrio de la mirilla (2) y esencialmente de modo paralelo a la superficie de vidrio, siendo una relación D/S1_n entre un diámetro D de tubo óptico y la distancia axial S1_n de una fila de taladros (n), que comprende los taladros (4) que discurren de modo paralelo a la superficie de vidrio, desde la superficie de vidrio mayor que 1 y menor que 40, y estando distanciada de la corriente de gas de barrido M1, en dirección al extremo de la mirilla (2) situado por el lado del reactor, por lo menos otra corriente de gas de barrido M2 discurre inclinada en dirección al extremo de la mirilla (2) situado por el lado del reactor.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/064851.
Solicitante: WACKER CHEMIE AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: HANNS-SEIDEL-PLATZ 4 81737 MÜNCHEN ALEMANIA.
Inventor/es: KRAUS, HEINZ, KLOSE,GÖRAN, SALZEDER,FRANZ.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B01J3/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B01 PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL. › B01J PROCEDIMIENTOS QUÍMICOS O FÍSICOS, p. ej. CATÁLISIS O QUÍMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS. › Procedimientos que utilizan una presión superior o inferior a la presión atmosférica para obtener modificaciones químicas o físicas de la materia; Aparatos a este efecto (recipientes a presión para contener o almacenar gases comprimidos, licuados o solidificados F17C).
- C01B33/035 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens.
PDF original: ES-2635329_T3.pdf
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