TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.

En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET),

objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tiene forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2019/070578.

Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.

Fecha de Publicación: 5 de Marzo de 2020.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
H01L21/70 H01L 21/00 […] › Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).
H01L23/552 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Protección contra las radiaciones, p. ej. la luz.
H01L29/772 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Transistores de efecto de campo.

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento para transferir una capa desde un sustrato monocristalino, del 4 de Marzo de 2020, de Soitec: Procedimiento para transferir una capa desde un sustrato monocristalino, denominado sustrato donador , sobre un sustrato receptor , que comprende: […]

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO, del 3 de Marzo de 2020, de CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS: Transistor de efecto de campo de unión y método de obtención del mismo. En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), […]

Epitaxia de nanocables sobre un sustrato grafítico, del 5 de Febrero de 2020, de Norwegian University of Science and Technology (NTNU): Una composición de materia que comprende al menos un nanocable sobre un sustrato grafítico, dicho al menos un nanocable habiendo crecido epitaxialmente sobre […]

Método para la fabricación de electrodos de nitruro de galio-indio para dispositivos electroquímicos, del 8 de Enero de 2020, de UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MILANO - BICOCCA: Método para la fabricación de electrodos, que comprende las etapas de: a) depositar epitaxialmente nitruro de galio-indio (InGaN) en forma de una capa delgada sobre […]

Composición adhesiva y su utilización en electrónica, del 11 de Diciembre de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Composición adhesiva que comprende un polímero, cargas inorgánicas y al menos un disolvente orgánico, en la que: - el polímero es al […]

Celda solar y método de fabricación de la misma, del 13 de Noviembre de 2019, de ASM International N.V: Un método de fabricación de una celda solar que tiene una vida útil (Γef). efectiva del portador de carga minoritaria de al menos 500 ms, comprendiendo dicho […]

Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina, del 26 de Junio de 2019, de OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD: Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina, comprendiendo la composición una solución acuosa que presenta […]

TAMPÓN MEJORADO PARA EL CRECIMIENTO DE GAN SOBRE ZAFIRO, del 2 de Noviembre de 2011, de LUMEI OPTOELECTRONICS CORPORATION: Un diodo emisor de luz que comprende: una estructura de tampon entre un sustrato aislante y capas de compuesto de GaN que comprende: una primera capa […]