Sistema de transistores de grafeno para medir señales electrofisiológicas.
Sistema de transistores de grafeno para medir señales electrofisiológica.
El objeto de la invención se basa en las matrices flexibles de transistores grafeno de efecto de campo (gSGFETs) epicorticales e intracorticales, que pueden registrar señales infralentas junto con señales en un ancho de banda típico de potenciales de campo local. El objeto de la invención se basa en el sistema del transistor del grafeno para medir las señales electrofisiológicas, comprendiendo una unidad de proceso, y por lo menos un transistor del grafeno (gSGFET) que comprende el grafeno como material del canal contactado por dos terminales, a los cuales se une una fuente de tensión variable en los terminales de drenador y de fuente del transistor (gSGFET) referido a la tensión de la puerta, y al menos un filtro configurado para adquirir y dividir la señal del transistor en al menos dos bandas de frecuencia, banda de baja frecuencia y banda de alta frecuencia, en el que las señales primera y segunda se amplifican respectivamente con un valor de ganancia.
Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P201831068.
Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: VILLA SANZ,ROSA, SANCHEZ VIVES,Maria Victoria, GUIMERÁ BRUNET,Antón, MASVIDAL CODINA,Eduard, GARRIDO ARIZA,Jose Antonio, ILLA VILA,Xavier.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- A61B5/00 NECESIDADES CORRIENTES DE LA VIDA. › A61 CIENCIAS MEDICAS O VETERINARIAS; HIGIENE. › A61B DIAGNOSTICO; CIRUGIA; IDENTIFICACION (análisis de material biológico G01N, p.ej. G01N 33/48). › Medidas encaminadas a establecer un diagnóstico (diagnóstico por medio de radiaciones A61B 6/00; diagnóstico por ondas ultrasónicas, sónicas o infrasónicas A61B 8/00 ); Identificación de individuos.
- H01L29/772 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Transistores de efecto de campo.
PDF original: ES-2759053_A1.pdf
PDF original: ES-2759053_B2.pdf
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