Procedimiento para transferir una capa desde un sustrato monocristalino.

Procedimiento para transferir una capa (11) desde un sustrato monocristalino,

denominado sustrato donador (1), sobre un sustrato receptor (2), que comprende:

- suministrar dicho sustrato donador monocristalino (1), presentando dicho sustrato una muesca orientada en una primera dirección del cristal y una zona de fragilidad (10) que limita la capa (11) que se va a transferir,

- unir el sustrato donador monocristalino (1) sobre el sustrato receptor (2), estando la superficie principal (12) del sustrato donador opuesta a la zona de fragilidad (10) con respecto a la capa que se va a transferir (11) en la interfaz de unión,

- separar el sustrato donador (1) a lo largo de la zona de fragilidad (10),

estando dicho procedimiento caracterizado por que el sustrato donador (1) presenta, sobre la superficie principal (12) unida al sustrato receptor (2), un conjunto de escalones atómicos que se extienden esencialmente en una segunda dirección del cristal diferente de dicha primera dirección.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E16171740.

Solicitante: Soitec.

Inventor/es: ECARNOT,LUDOVIC, DAVAL,NICOLAS, BEN MOHAMED,NADIA, BOEDT,FRANÇOIS, DAVID,CAROLE, GUERIN,ISABELLE.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/02 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
  • H01L21/762 H01L 21/00 […] › Regiones dieléctricas.

PDF original: ES-2788148_T3.pdf

 

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