Método de revestimiento de cobre para la fabricación de celdas solares.
Un método de revestimiento de cobre sobre un sustrato que comprende:
proporcionar un sustrato, en donde el sustrato es una capa semilla metálica sobre una oblea de celda solar de silicio que comprende una parte posterior de aluminio; y
poner en contacto el sustrato con una solución de revestimiento de cobre que comprende una fuente de iones cobre y una sal de conductividad de sulfato de litio en donde la solución de revestimiento de cobre tiene un pH entre 1,7 y 3,5 y está libre de iones cloruro y en donde la parte posterior de la oblea de celda solar de silicio no se ve afectada por la solución de revestimiento.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E14159998.
Solicitante: MacDermid Enthone America LLC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 245 FREIGHT STREET WATERBURY, CT 06702 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: BERNARDS,ROGER, BELLEMARE,RICHARD.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C25D3/38 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › C25D 3/00 Revestimientos electrolíticos; Baños utilizados. › de cobre.
- C25D5/00 C25D […] › Revestimientos electrolíticos caracterizados por el proceso; Pretratamiento o tratamiento posterior de las piezas.
- C25D7/12 C25D […] › C25D 7/00 Deposiciones de metales por vía electrolítica caracterizadas por el objeto revestido. › Semiconductores.
- H01L31/0216 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
- H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
PDF original: ES-2731904_T3.pdf
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