Célula solar y método de fabricación de células solares.

Una célula solar que comprende un sustrato de silicio dopado con galio que tiene una unión p-n formada en el mismo,



en el que el sustrato de silicio está provisto de una película de óxido térmico de silicio al menos sobre una primera superficie principal de superficies principales del sustrato de silicio, siendo la primera superficie principal una superficie principal que tiene una región de tipo p, y

el sustrato de silicio se dopa adicionalmente con boro,

en el que el sustrato de silicio tiene una concentración de boro de 5 × 1014 átomos/cm3 o más y 1 × 1016 átomos/cm3 o menos.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2015/002959.

Solicitante: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 6-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0004 JAPON.

Inventor/es: OTSUKA,HIROYUKI, WATABE,TAKENORI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0216 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041  tiene prioridad).
  • H01L31/0256 H01L 31/00 […] › caracterizados por los materiales.
  • H01L31/068 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2780048_T3.pdf

 

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente, del 15 de Julio de 2020, de Hanwha Q.CELLS GmbH: Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento: - puesta a disposición […]

Celda solar con sustrato corrugado flexible y método para la producción de la misma, del 1 de Julio de 2020, de Flexucell ApS: Un transductor fotoeléctrico que comprende: un sustrato constituido por una hoja o banda elástica flexible, incluyendo el sustrato una superficie […]

Procedimiento para fabricar una película delgada a base de CI(G)S fotovoltaica mediante el uso de un fundente con un punto de fusión bajo, del 6 de Mayo de 2020, de KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH: Un procedimiento de fabricación de una película delgada a base de CI(G)S para una celda solar mediante el uso de un fundente que tiene un punto de fusión […]

Dispositivo y método para recocer objetos en una cámara de tratamiento, del 22 de Abril de 2020, de (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd: Dispositivo para recocer por lo menos un objeto, en especial un cuerpo multicapas con dos capas por lo menos, con una cámara de tratamiento con […]

Procedimiento de fabricación de un elemento fotovoltaico, del 22 de Abril de 2020, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Procedimiento de fabricación de un elemento fotovoltaico, que comprende: a) una etapa de conexión eléctrica en serie de una pluralidad de células fotovoltaicas […]

Método e instalación para enmarcar un panel solar, del 20 de Abril de 2020, de MONDRAGON ASSEMBLY, S.COOP: Método e instalación para enmarcar un panel solar con una pluralidad de lados, donde se une un marco al panel solar. El marco comprende un segmento de marco para cada lado […]

Aplicación de adhesivo conductor en las celdas solares, del 8 de Abril de 2020, de TEAMTECHNIK MASCHINEN UND ANLAGEN GMBH: Dispositivo de conexión de celdas solares para la fabricación de cadenas de celdas solares cristalinas individuales y conectores eléctricamente […]

MÉTODO PARA LA PRODUCCIÓN DE CÉLULAS SOLARES DE SILICIO CRISTALINO USANDO UNA CODIFUSIÓN DE BORO Y FÓSFORO, del 28 de Febrero de 2012, de STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND: Método de fabricación de una célula solar de silicio cristalino, comprendiendo en secuencia: - provisión de sustrato de silicio cristalino con un primer […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .