CELULA SOLAR QUE TIENE UN DIODO DE DERIVACION CRECIDO MONOLITICAMENTE INTEGRADO.
Un circuito de células solares que comprende: un dispositivo (100) de células solares de unión múltiple que tiene al menos dos células fotovoltaicas;
y un primer diodo (206, 208; 1214, 1216) de derivación crecido epitaxialmente sobre dicha parte de células solares de unión múltiple para proteger al menos una primera y una segunda de dichas al menos dos células fotovoltaicas, en el que dichas células fotovoltaicas están formadas por una secuencia de capas p sobre n (o una secuencia de capas n sobre p), y en el que dicho diodo (206, 208; 1214, 1216) de derivación está formado por una capa p sobre una n cuando las células fotovoltaicas están formadas por una secuencia de p sobre n (o por una capa n sobre una p cuando las células fotovoltaicas están formadas por una secuencia de n sobre p), en el que se proporciona una capa (202; 1210) de conexión conductora altamente dopada entre la capa (206, 1214) inferior del diodo (206, 208; 1214, 1216) de derivación y una capa (122; 1208) superior conductora altamente dopada del dispositivo de células solares de unión múltiple, teniendo dicha capa (202; 1210) de conexión el mismo tipo de dopado que la capa inferior del diodo de derivación, teniendo dicha capa (122; 1208) superior un tipo de dopado opuesto al de la capa (202; 1210) de conexión.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EMCORE CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 145 BELMONT DRIVE,SOMERSET, NJ 08873-1214.
Inventor/es: HO,FRANK, YEH,MILTON Y, CHU,CHAW-LONG, ILES,PETER A.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 19 de Mayo de 1999.
Fecha Concesión Europea: 15 de Octubre de 2008.
Clasificación PCT:
- H01L27/142 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Dispositivos de conversión de energía (módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas individuales que comprende diodos de derivación integrados o directamente asociado con las células fotovoltaicas sólo H01L 31/0443; módulos fotovoltaicos compuestas de una pluralidad de células solares de película delgada depositados en el mismo sustrato H01L 31/046).
- H01L31/068 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo homounión PN, p. ej. células solares homounión PN en silicio masivo o células solares homounión PN en láminas delgadas de silicio policristalino.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre.
Patentes similares o relacionadas:
Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor con una capa de pasivación y dispositivo semiconductor correspondiente, del 15 de Julio de 2020, de Hanwha Q.CELLS GmbH: Procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor, comprendiendo las siguientes etapas de procedimiento: - puesta a disposición […]
Dispositivos nanoestructurados, del 10 de Junio de 2020, de Advanced Silicon Group Technologies, LLC: Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos dos contactos eléctricos, dopantes tipo p y dopantes tipo n, que comprende además una región principal y una región […]
CÉLULA SOLAR FOTOVOLTAICA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN, del 16 de Abril de 2020, de FUNDACIÓN CENER ñ CIEMAT: Célula solar fotovoltaica y procedimiento de fabricación, que comprende un electrodo frontal que está dispuesto sobre un sustrato de silicio y cuyo electrodo frontal […]
Célula solar y método de fabricación de células solares, del 15 de Enero de 2020, de SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.: Una célula solar que comprende un sustrato de silicio dopado con galio que tiene una unión p-n formada en el mismo, en el que el sustrato de silicio […]
Dispositivos nanoestructurados, del 8 de Enero de 2020, de Bandgap Engineering, Inc: Un dispositivo fotovoltaico que comprende al menos dos contactos eléctricos, dopantes tipo p y dopantes tipo n, que comprende además una región […]
Célula solar y método de producción de la misma, del 4 de Diciembre de 2019, de SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.: Célula solar que comprende: un sustrato semiconductor de un primer tipo de conductividad en el que una de las superficies principales es una superficie […]
Celda solar y método de fabricación de la misma, del 13 de Noviembre de 2019, de ASM International N.V: Un método de fabricación de una celda solar que tiene una vida útil (Γef). efectiva del portador de carga minoritaria de al menos 500 ms, comprendiendo dicho […]
Método de fabricación de célula solar, del 13 de Noviembre de 2019, de Shin-Etsu Handotai Co., Ltd: Un método de fabricación de una célula solar formando una unión p-n en un sustrato semiconductor que tiene un primer tipo de conductividad, en el que, al menos: […]