CELULA SOLAR ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE LA MISMA.

Célula solar (10) que comprende un substrato de semiconductor (16) con primeros contactos y con segundos contactos (26,

28; 58, 60; 80, 82; 106, 108; 132) para la captación y el drenaje de portadores de carga minoritarios y portadores de carga mayoritarios que se generan en el substrato de semiconductor por medio de la energía de irradiación incidente, presentando al menos por tramos superficies situadas en el lado posterior del substrato de semiconductor realces (18, 50, 52, 54, 56, 78, 104, 130, 140) lineales o bien en forma de nervadura que discurren paralelamente, que delimitan primeros surcos con, respectivamente, primeros flancos longitudinales y segundos flancos longitudinales (20, 22, 62, 64, 74, 76, 110, 112), estando dispuestos los primeros contactos y los segundos contactos sobre la superficie del lado posterior del substrato de semiconductor a una cierta distancia mutua, verificándose una transición entre los primeros flancos longitudinales y los segundos flancos longitudinales(20, 22, 62, 64, 74, 76, 110, 112) de los realces (18, 50, 52, 54, 56, 78, 104, 130; 140) a través de un segmento externo (24, 72, 86, 114) que discurre paralelamente o aproximadamente de forma paralela con respecto al plano formado por el substrato de semiconductor (16), limitando los realces sucesivos entre sí un surco con fondo del surco, caracterizada porque se extienden, al menos sobre algunos de los realces, los primeros contactos (26, 58, 80, 106) sobre los primeros flancos longitudinales (22, 62, 74, 110) de los realces y los segundos contactos (28, 60, 82, 108) se extienden sobre los segundos flancos longitudinales (20, 64, 76, 112) de los realces y porque los primeros contactos y los segundos contactos se encuentran a una distancia mutua tanto en el lado de los surcos así como también en el lado del segmento externo.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: HEZEL, RUDOLF, DR.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: REHWINKEL 23,31789 HAMELN.

Inventor/es: HEZEL, RUDOLF.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 5 de Diciembre de 2007.

Clasificación PCT:

  • H01L31/0224 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Electrodos.
  • H01L31/0236 H01L 31/00 […] › Texturas de superficie particulares.
  • H01L31/0352 H01L 31/00 […] › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
  • Fb
  • Twitter
  • G+
  • 📞
  • Pinit
CELULA SOLAR ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE LA MISMA.

Patentes similares o relacionadas:

Método para fabricar una estructura que comprende etapas de recubrimiento y dispositivo correspondiente, del 28 de Septiembre de 2016, de Big Solar Limited: Un método para producir una estructura que comprende un sustrato que tiene al menos una primera cara integral con un primer ángulo con respecto a una normal del sustrato […]

Aditivo para preparar gamuza en chip de silicio policristalino y método de uso del mismo, del 13 de Julio de 2016, de Changzhou Shichuang Energy Technology Co., Ltd: Un aditivo para preparar gamuza en un chip de silicio policristalino, que comprende: citrato de amonio, polivinilpirrolidona, alcohol polivinílico, ácido cítrico […]

Dispositivo semiconductor y procedimiento para su fabricación, del 15 de Julio de 2015, de FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.: Procedimiento para fabricar un dispositivo semiconductor que absorbe luz, que contiene las siguientes etapas: proporcionar un sustrato con […]

Método para la texturización de obleas de silicio, líquido de tratamiento para ello y su uso, del 3 de Diciembre de 2014, de Gebr. Schmid GmbH: Método para el tratamiento de obleas de silicio para la fabricación de células solares, donde sobre la superficie de la oblea de silicio se […]

Célula solar y procedimiento para su fabricación, del 19 de Noviembre de 2014, de FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.: Célula solar que comprende un sustrato de silicio , un lado anterior configurado para el acoplamiento de luz y un lado posterior , […]

Imagen de 'Sustrato metálico texturizado cristalográficamente, dispositivo…' Sustrato metálico texturizado cristalográficamente, dispositivo texturizado cristalográficamente, célula y módulo fotovoltaico que comprenden un dispositivo de este tipo, y procedimiento de depósito de capas finas, del 3 de Septiembre de 2014, de APERAM Alloys Imphy: Sustrato metálico texturizado cristalográficamente que comprende una superficie de conexión y una superficie destinada a recibir un depósito de capa fina, […]

Dispositivo y procedimiento de texturización mecánica de una oblea de silicio destinada a constituir una célula fotovoltaica, del 19 de Febrero de 2014, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Dispositivo de texturización mecánica de una oblea de silicio , destinada a constituir una célula fotovoltaica, que comprende una pluralidad […]

Electrodo frontal que incluye un recubrimiento conductor transparente pirolítico sobre un sustrato de vidrio texturizado para su uso en un dispositivo fotovoltaico y método de fabricación correspondiente, del 13 de Agosto de 2013, de GUARDIAN INDUSTRIES CORP.: Un dispositivo fotovoltaico que comprende: un sustrato de vidrio a base de sílice sodocalcico ; una película semiconductora; un electrodo frontal conductor pirolitico […]