Dispositivo optoelectrónico y método de producir el mismo.

Un dispositivo (301) optoelectrónico que comprende:

un sustrato (305) que tiene una primera y una segunda cara (309a,

309b) sustancialmente plana;

una serie de ranuras (304a, 304b) en la primera cara sustancialmente plana, incluyendo la serie de ranuras una primera ranura (307a) más externa y una segunda ranura (307b) más externa; y

una primera y una segunda abertura (308a, 308b) en el sustrato;

en donde la primera abertura proporciona comunicación eléctrica entre la primera ranura más externa y la segunda cara sustancialmente plana del sustrato y la segunda abertura proporciona comunicación eléctrica separada entre la segunda ranura más externa y la segunda cara sustancialmente plana del sustrato;

en donde la segunda cara sustancialmente plana del sustrato comprende además un primer y un segundo conductor (311a, 311b) eléctrico, estando el primer y segundo conductores eléctricos aislados eléctricamente entre sí; y

en donde cada ranura de la serie de ranuras tiene una primera y una segunda cara (312a, 312b) y una cavidad (314) entre ellas, la cavidad se llena al menos parcialmente con un primer material (316) semiconductivo, la primera cara revestida con un material (318) conductivo y la segunda cara revestida con un segundo material (317) semiconductivo,

caracterizado porque los lados de la primera y segunda aberturas están revestidos con uno o más del material conductivo, el primer material semiconductivo y el segundo material semiconductivo

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2015/050925.

Solicitante: Power Roll Limited.

Inventor/es: TOPPING,ALEXANDER JOHN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0352 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
  • H01L31/047 H01L 31/00 […] › Grupo de celdas fotovoltaicas, incluyendo las células fotovoltaicas que tienen múltiples uniones verticales o múltiples uniones de ranura en V formadas en un sustrato semiconductor.

PDF original: ES-2784485_T3.pdf

 

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