Aparato fotodetector de puntos cuánticos y procedimientos asociados.

Aparato que comprende por lo menos un par de un primer (FET1) y un segundo (FET2) fotodetectores,

comprendiendo cada fotodetector del par de fotodetectores (FET1, FET2) un elemento de canal (402, 502), unos electrodos fuente (403, 503) y drenador (404, 504) respectivos configurados para posibilitar un flujo de corriente eléctrica a través del elemento de canal (402, 502) entre los electrodos fuente (403, 503) y drenador (404, 504), y una pluralidad de puntos cuánticos (406, 506) configurados para generar unos pares electrónhueco (409, 410, 509, 510) al someterse a una exposición a radiación electromagnética incidente con el fin de producir un cambio detectable en la corriente eléctrica que fluye a través del elemento de canal (402, 502),

caracterizado por que el aparato está configurado de tal manera que el primer y el segundo fotodetectores (FET1, FET2) del par de fotodetectores generan unos pares electrón-hueco (409, 410, 509, 510) que producen un aumento y una reducción de la corriente eléctrica a través de los elementos de canal (402, 502) respectivamente, siendo el cambio combinado de la corriente eléctrica del par del primer y segundo fotodetectores (FET1, FET2) indicativo de la presencia y/o la magnitud de la radiación electromagnética incidente, y por que el primer y el segundo fotodetectores (FET1, FET2) del par de fotodetectores están dispuestos de modo que el cambio combinado de la corriente eléctrica se convierte en una señal de voltaje correspondiente.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15196932.

Solicitante: Emberion Oy.

Nacionalidad solicitante: Finlandia.

Dirección: METSANNEIDONKUJA 8 02130 ESPOO FINLANDIA.

Inventor/es: VOUTILAINEN,MARTTI KALEVI, KALLIOINEN,SAMI SEPPO ANTERO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01J1/00 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01J MEDIDA DE LA INTENSIDAD, DE LA VELOCIDAD, DEL ESPECTRO, DE LA POLARIZACION, DE LA FASE O DE CARACTERISTICAS DE IMPULSOS DE LA LUZ INFRARROJA, VISIBLE O ULTRAVIOLETA; COLORIMETRIA; PIROMETRIA DE RADIACIONES.Fotometría, p. ej. medidores de la exposición fotográfica (espectrofotometría G01J 3/00; especialmente adaptado a la pirometría de las radiaciones G01J 5/00).
  • H01L31/0352 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
  • H01L31/112 H01L 31/00 […] › caracterizados por un funcionamiento por efecto de campo, p. ej. fototransistor de efecto de campo de unión.
  • H01L51/42 H01L […] › H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00). › especialmente adaptados para detectar radiación infrarroja, luz, radiación electromagnética de menor longitud de onda o radiación corpuscular; especialmente adaptados bien para la conversión en energía eléctrica de la energía de dicha radiación o bien para el control de energía eléctrica mediante dicha radiación.

PDF original: ES-2739176_T3.pdf

 

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