Fotodetector con resonador de Helmholtz.
Fotodetector (10) con resonador de Helmholtz, eficaz para detectar al menos una radiación (R) electromagnética que tiene una longitud de onda comprendida entre 0,
3 μm y 15 μm, el resonador de Helmholtz que comprende:
- un volumen (1) aislante eléctricamente; y
- caras (11-14) metálicas que rodean el volumen (1) aislante a lo largo de al menos un recorrido en bucle alrededor de dicho volumen aislante, fuera de dos interrupciones del recorrido en bucle, de manera que las caras metálicas constituyen dos electrodos que están separados entre sí por al menos un intervalo, denominado intervalo (ZC) de concentración del campo eléctrico y que contienen las interrupciones del recorrido en bucle;
dicho intervalo (ZC) de concentración de campo eléctrico que tiene un espesor entre los dos electrodos que es más pequeño que un espesor del volumen (1) aislante, siendo medidos dichos espesores según una dirección (D3) común, de manera que cuando la radiación (R) es incidente sobre el resonador, un campo eléctrico que es creado por dicha radiación en el resonador sea más intenso en el intervalo de concentración del campo eléctrico que en el volumen aislante,
el volumen (1) aislante y las caras (11-14) metálicas que tienen dimensiones adaptadas para producir una resonancia del campo eléctrico en el intervalo (ZC) de concentración del campo eléctrico cuando la longitud de onda de la radiación (R) varía entre 0,3 μm y 15 μm, y el fotodetector (10) que comprende además:
- al menos una estructura (4) fotosensible, que está hecha a base de al menos un material semiconductor, que es absorbente para la radiación (R), que está dispuesta al menos en parte en el intervalo (ZC) de concentración del campo eléctrico y que está en contacto eléctrico con cada uno de los dos electrodos; y
- dos conexiones (C1, C2) eléctricas de salida, que están conectadas eléctricamente una a una a los dos electrodos y adaptadas para transmitir una señal eléctrica de detección que es generada en la estructura (4) fotosensible cuando la radiación (R) es incidente sobre el resonador de Helmholtz,
la estructura (4) fotosensible que tiene un intervalo espectral de detección que contiene un intervalo espectral de la resonancia del campo eléctrico.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E18197749.
Solicitante: OFFICE NATIONAL D'ETUDES ET DE RECHERCHES AEROSPATIALES.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: Chemin de la Hunière 91120 Palaiseau FRANCIA.
Inventor/es: HAIDAR,RIAD, PELOUARD,JEAN-LUC, BOUCHON,PATRICK, PARDO,FABRICE, STEVELER,EMILIE, CHEVALIER,PAUL, VERDUN,MICHAËL.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0352 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
- H01L31/105 H01L 31/00 […] › siendo la barrera de potencial de tipo PIN.
PDF original: ES-2779981_T3.pdf
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