MATERIAL SOLIDO CON ESTRUCTURA DE ORBITALES ELECTRONICOS CUASICOMPLETAMENTE POLARIZADOS, SU PROCEDIMIENTO DE OBTENCION Y SU USO EN ELECTRONICA Y NANOELECTRONICA.

Material sólido con estructura de orbitales electrónicos cuasi completamente polarizados su procedimiento de obtención y su uso en electrónica y nanoelectrónica.

El objeto de la presente invención es un material sólido, en adelante material de la invención, caracterizado porque los electrones de la banda de conducción están cuasi completamente polarizados en el orbital seleccionado y su procedimiento de obtención. Esta invención permite construir conductores, nanocontactos y contactos a medida con una selección estricta de las propiedades de resistencia del material así constituido. Además, se describe el uso del material sólido de la invención en la elaboración, fabricación y producción de dispositivos, entre otros, de tipo conductores, uniones, nanocontactos o contactos para su aplicación en el campo de la electrónica y nanoelectrónica.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Inventor/es: GARCIA GARCIA,NICOLAS.

Fecha de Solicitud: 19 de Julio de 2002.

Fecha de Publicación: 1 de Junio de 2005.

Fecha de Concesión: 6 de Mayo de 2005.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01F10/32 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS. › H01F 10/00 Películas magnéticas delgadas, p. ej. de estructura de un dominio. › Multicapas acopladas por cambio de spin, p. ej. superredes con estructura nanométrica.
H01L43/08 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Resistencias controladas por un campo magnético.

Patentes similares o relacionadas:

Dispositivo magnético multicapas, procedimiento para su realización, sensor de campo magnético, memoria magnética y puerta lógica que implementa un dispositivo de este tipo, del 25 de Abril de 2018, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Dispositivo magnético multicapas, que incluye, sobre un substrato, una alternancia de capas metálicas magnéticas M y de óxidos, de hidruros o de nitruros O, […]

Método de producción de un dispositivo magneto-electrónico multicapa y dispositivo magneto-electrónico, del 8 de Noviembre de 2017, de Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY: Un método de producción de un dispositivo magneto-electrónico multicapa, comprendiendo el método: depositar una estructura multicapa […]

Dispositivo de unión túnel magnética y su fabricación, del 6 de Enero de 2016, de QUALCOMM INCORPORATED: Un aparato que comprende: un dispositivo de unión túnel magnética que comprende: una capa libre ; y una capa de realce […]

SOPORTE MAGNÉTICO PARA LA GRABACIÓN Y LECTURA DE INFORMACIÓN, MÉTODO DE ALMACENAMIENTO Y LECTURA DE INFORMACIÓN Y SU USO, del 5 de Junio de 2013, de UNIVERSIDAD DE OVIEDO: Soporte magnético para la grabación y lectura de información, método de almacenamiento y lectura de información y su uso. El soporte magnético comprende un circuito magnético […]

Estructura de unión túnel magnética, del 1 de Abril de 2015, de QUALCOMM INCORPORATED: Una célula MTJ que comprende: una zanja en un sustrato ; una estructura MTJ dentro de la zanja, teniendo la zanja dimensiones que determinan la forma […]

Célula de unión túnel magnética que incluye múltiples dominios magnéticos, del 27 de Agosto de 2014, de QUALCOMM INCORPORATED: Una estructura de unión túnel magnética, (MTJ), que comprende: una célula MTJ que comprende múltiples paredes laterales que se extienden […]

Elemento magnético que utiliza pasivación de pared lateral protectora, del 11 de Marzo de 2013, de QUALCOMM INCORPORATED: Un aparato que comprende: un elemento de unión de túnel magnético (MTJ) que comprende: una primera capa ferromagnética; una segunda capa ferromagnética, […]

Celda de memoria y procedimiento de formación de una unión de túnel magnético (MTJ) de una celda de memoria, del 17 de Octubre de 2012, de QUALCOMM INCORPORATED: Una memoria que comprende: un sustrato en un primer plano; una primera conexión metálica que se extiende en un segundo plano, […]