Dispositivo magnético multicapas, procedimiento para su realización, sensor de campo magnético, memoria magnética y puerta lógica que implementa un dispositivo de este tipo.

Dispositivo magnético multicapas, que incluye, sobre un substrato,

una alternancia de capas metálicas magnéticas M y de óxidos, de hidruros o de nitruros O, caracterizado:

&bull: por que el número de capas M es al menos igual a dos,

&bull: por que las capas de óxidos, de hidruros o de nitruros O presentan un espesor al menos igual a 0,3 nanómetro y están realizadas a base de elementos elegidos en el grupo que comprende Al, Mg, Ru, Ta, Cr, Hf, Ti, V, Si, Cu, W o sus aleaciones, de tal modo que se formen unos óxidos, hidruros o nitruros estables,

&bull: por que las capas M son continuas, presentan un espesor inferior o igual a 5 nanómetros y tendrían su imantación paralela al plano de las capas en ausencia de las capas O,

&bull: y por que existe, para una gama de temperatura igual o superior a la temperatura ambiente, una anisotropía magnética interfacial perpendicular al plano de las capas en las interfaces M/O y O/M, adecuada para orientar la imantación de las capas M sustancialmente de manera perpendicular al plano de las capas.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2007/052602.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: BATIMENT "LE PONANT D" 25, RUE LEBLANC 75015 PARIS FRANCIA.

Inventor/es: RODMACQ, BERNARD, DIENY, BERNARD, AUFFRET,STÉPHANE, MORITZ,JÉRÔME.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B82Y25/00 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B82 NANOTECNOLOGIA.B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS.Nano magnetismo, p. ej. magnetoimpedancia, magnetorresistencia anisotrópica, magnetorresistencia gigante o magnetorresistencia de tunelización.
  • B82Y40/00 B82Y […] › Fabricación o tratamiento de nanoestructuras.
  • G01R33/032 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 33/00 Dispositivos o aparatos para la medida de valores magnéticos. › utilizando dispositivos magnetoópticos, p. ej. por efecto Faraday.
  • G01R33/07 G01R 33/00 […] › dispositivos de efecto Hall.
  • G01R33/09 G01R 33/00 […] › dispositivos magnetorresistivos.
  • G11C11/18 G […] › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de efecto Hall.
  • G11C11/56 G11C 11/00 […] › utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia (disposiciones de cómputo con elementos multiestables de este tipo H03K 25/00, H03K 29/00).
  • H01F10/30 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS.H01F 10/00 Películas magnéticas delgadas, p. ej. de estructura de un dominio. › caracterizadas por la composición de las capas intermedias.
  • H01F10/32 H01F 10/00 […] › Multicapas acopladas por cambio de spin, p. ej. superredes con estructura nanométrica.
  • H01F41/18 H01F […] › H01F 41/00 Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación o al acoplamiento de dispositivos cubiertos por la presente subclase. › por pulverización catódica.
  • H01F41/30 H01F 41/00 […] › para aplicar nanoestructuras, p. ej. utilizando la epitaxia por haces moleculares (MBE).
  • H01L43/06 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Dispositivos con efecto Hall.
  • H01L43/10 H01L 43/00 […] › Selección de materiales.
  • H01L43/14 H01L 43/00 […] › para dispositivos con efecto Hall.

PDF original: ES-2679669_T3.pdf

 

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