Método de producción de un dispositivo magneto-electrónico multicapa y dispositivo magneto-electrónico.

Un método de producción de un dispositivo magneto-electrónico multicapa,

comprendiendo el método:

depositar una estructura (10) multicapa que incluye al menos dos capas ferromagnéticas (1) dispuestas una en la parte superior de la otra y que tiene cada una de ellas una anisotropía magnética con un momento magnético correspondiente, en donde cada una de las dos capas (1) ferromagnéticas de las al menos dos capas (1) ferromagnéticas son separadas por una capa (8) no magnética respectiva, y en donde cada una de las capas (1) ferromagnéticas es depositada en un ángulo azimutal respectivo con respecto a una dirección (5) de referencia que se extiende en el plano de extensión de la capa (1) ferromagnética respectiva y en un ángulo de incidencia diferente a cero con respecto a una dirección (4) perpendicular al plano de extensión de la capa (1) ferromagnética respectiva, de tal manera que la capa (1) ferromagnética respectiva exhibe una anisotropía magnética uniaxial, caracterizado por que

- una magnetización es especificada para el dispositivo (10) magneto-electrónico que ha de ser producido,

- el número de capas (1) ferromagnéticas y, para cada una de las capas (1) ferromagnéticas, el momento magnético y la dureza magnética para obtener la curva de magnetización especificada son determinados,

- para cada una de las capas (1) ferromagnéticas un material magnético, un grosor, un ángulo azimutal y un ángulo de incidencia son determinados para obtener el momento magnético determinado y la dureza magnética de la capa (1) ferromagnética respectiva, y

- finalmente la operación de depositar la estructura (10) multicapa es llevada a cabo utilizando el material, el grosor, el ángulo azimutal y el ángulo de incidencia determinados para cada una de las capas (1) ferromagnéticas.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E13183166.

Solicitante: Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Notkestrasse 85 22607 Hamburg ALEMANIA.

Inventor/es: SCHUMACHER,DANIEL, SCHLAGE,KAI, ERB,DENISE, RÖHLSBERGER,RALF, WILLE,HANS-CHRISTIAN, BOCKLAGE,LARS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11B5/39 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11B REGISTRO DE LA INFORMACION BASADO EN UN MOVIMIENTO RELATIVO ENTRE EL SOPORTE DE REGISTRO Y EL TRANSDUCTOR (registro de valores medidos según un procedimiento que no necesita el uso de un transductor para la reproducción G01D 9/00; aparatos de registro o de reproducción que utilizan una banda marcada por un procedimiento mecánico, p. ej. una banda de papel perforada, o que utilizan soportes de registro individuales, p. ej. fichas perforadas o fichas magnéticas G06K; transferencia de datos de un tipo de soporte de registro a otro G06K 1/18;   circuitos para el acoplamiento de la salida de un dispositivo de reproducción a un receptor radio H04B 1/20;   cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos o sus circuitos H04R). › G11B 5/00 Registro por magnetización o desmagnetización de un soporte de registro; Reproducción por medios magnéticos; Soportes de registro correspondiente (G11B 11/00 tiene prioridad). › utilizando dispositivos magneto-resistivos.
  • G11B5/85 G11B 5/00 […] › Revestimiento de un soporte con una capa magnética por depósito en fase vapor.
  • H01F10/32 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS.H01F 10/00 Películas magnéticas delgadas, p. ej. de estructura de un dominio. › Multicapas acopladas por cambio de spin, p. ej. superredes con estructura nanométrica.
  • H01F41/30 H01F […] › H01F 41/00 Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación o al acoplamiento de dispositivos cubiertos por la presente subclase. › para aplicar nanoestructuras, p. ej. utilizando la epitaxia por haces moleculares (MBE).
  • H01L43/12 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos.

PDF original: ES-2658984_T3.pdf

 

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