Dispositivo de unión túnel magnética y su fabricación.
Un aparato que comprende:
un dispositivo de unión túnel magnética (200) que comprende:
una capa libre (216); y
una capa de realce de fuerza de par de giro (218), sensible a la capa libre (216),
en el que
la capa de realce de fuerza de par de giro (218) comprende una capa de nano-óxido y el dispositivo de unión túnel magnética (200) comprende además una capa de culminación (222) adyacente a la capa de realce de fuerza de par de giro (218), caracterizado porque la capa de nano-óxido incluye una capa de oxidación de una aleación metálica no magnética.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2010/038362.
Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 5775 MOREHOUSE DRIVE SAN DIEGO, CA 92121-1714 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: KANG,Seung H, ZHU,XIAOCHUN, LI,XIA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01R33/09 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 33/00 Dispositivos o aparatos para la medida de valores magnéticos. › dispositivos magnetorresistivos.
- G11C11/15 G […] › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan capas magnéticas múltiples (G11C 11/155 tiene prioridad).
- H01F10/32 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS. › H01F 10/00 Películas magnéticas delgadas, p. ej. de estructura de un dominio. › Multicapas acopladas por cambio de spin, p. ej. superredes con estructura nanométrica.
- H01L43/08 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Resistencias controladas por un campo magnético.
PDF original: ES-2567028_T3.pdf
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