(04/12/2019). Solicitante/s: DNAE GROUP HOLDINGS LIMITED. Inventor/es: BAI,HUA, GARNER,DAVID.

Dispositivo que comprende una estructura de protección contra descargas electrostáticas , un transistor de efecto de campo sensible a iones que presenta una puerta flotante que incluye al menos una capa metálica y una capa de detección situada por encima de la puerta flotante, caracterizado por que el dispositivo tiene una estructura plana en capas y la estructura de protección contra descargas electrostáticas está situada en un plano entre la capa de detección y la puerta flotante de forma que la impedancia eléctrica desde dicha capa de detección a la estructura de protección contra descargas electrostáticas es menor que la impedancia eléctrica desde dicha capa de detección a la puerta flotante, donde la estructura de protección contra descargas electrostáticas incluye una capa metálica y está acoplada a una toma de tierra eléctrica y/o a una línea de alimentación eléctrica del dispositivo.

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(02/05/2018). Solicitante/s: LITTELFUSE, INC.. Inventor/es: RODRIGUES,RICHARD A.

Dispositivo de protección contra sobretensión del tipo que presenta un chip semiconductor de cuatro capas y por lo menos dos terminales, en el que la conducción se produce desde una cara de dicho chip hasta una cara opuesta de dicho chip cuando se aplica al dispositivo una tensión que supera un voltaje de transición conductiva, comprendiendo el dispositivo de protección contra sobretensión: una o más zonas enterradas de dopante formadas en una superficie de una capa semiconductora de dicho dispositivo de protección contra sobretensión, comprendiendo cada una de dichas zonas enterradas dos zonas semiconductoras unidas por una unión PN, y definiendo una concentración de impurezas de dichas zonas enterradas en parte el voltaje de transición conductiva de dicho dispositivo de protección contra sobretensión; y una capa epitaxial de material semiconductor formada sobre dicha capa semiconductora para cubrir dichas zonas enterradas.

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(01/06/2007). Solicitante/s: GALVA POWER GROUP N.V. Inventor/es: WARICHET, DAVID, VAN HERCK, KAREL, VAN LIERDE, ANDRE, GERAIN, NATHALIE, MATTHIJS, EDWARD.

Fundente para la galvanización por inmersión en caliente que comprende de: - 60 a 80% en peso de cloruro de Zinc (ZnCl2); - 7 a 20% en peso de cloruro amónico (NH4Cl); - 2 a 20% en peso de por lo menos una sal de metal alcalino o alcalinotérreo; - 0, 1 a 5% en peso de por lo menos uno de entre los compuestos siguientes: NiCl2, CoCl2, MnCl2; y - 0, 1 a 1, 5% en peso de por lo menos uno de entre los compuestos siguientes: PbCl2, SnCl2, BiCl3, SbCl3.

(16/10/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: AVANCERADE LOGIKMASKINER AB. Inventor/es: AHLM, ROGER.

Un circuito electrónico integrado que comprende un elemento de retardo formado por un conductor eléctrico y al menos un componente electrónico activo conectado a dicho conductor eléctrico , en el que dicho conductor está formado de manera que se minimiza su inductancia, es decir, en un bucle con secciones conductoras paralelas para que las direcciones de la corriente en secciones conductoras adyacentes sean opuestas entre sí, y dicho conductor está formado por un material conductor sobre una capa aislante , caracterizado porque la capa aislante está rodeada por material semiconductor y el espesor de la capa aislante supera los 10 ìm para proporcionar un acoplamiento de baja capacidad entre el conductor y el material semiconductor circundante.

(01/02/2004). Ver ilustración. Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: POCKRANDT, WOLFGANG, WINNERL, JOSEF, ZETTLER, THOMAS, GEORGAKOS, GEORG.

LA INVENCION TRATA DE UN PUENTE DE UNION SEPARABLE (FUSE) CON UNA PISTA DE CONDUCTORES ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, QUE ESTA CONFIGURADA EN UN SUSTRATO (2, 2A) HECHO DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE UN PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, QUE ES CONTINUA EN EXTENSION LONGITUDINAL Y QUE MUESTRA EN TRANSVERSAL RESPECTO A LA EXTENSION LONGITUDINAL UN DETERMINADO ANCHO, MOSTRANDO UN SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD, TENIENDO EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD UNA CONCENTRACION TAL CON RESPECTO AL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES QUE, A UNA TEMPERATURA DE ACTIVACION PREDETERMINADA QUE ES MAYOR QUE LA TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO DEL PUENTE DE UNION , TIENE LUGAR UNA INTERRUPCION POR TODO EL ANCHO (M) DE LA PISTA DE CONDUCTORES DEBIDO A LA DIFUSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR DEL PRIMER MODO DE CONDUCTIVIDAD Y/O DEL MATERIAL DE LA PISTA DE CONDUCTORES DEL SEGUNDO MODO DE CONDUCTIVIDAD.

(16/11/2003). Solicitante/s: VALEO EQUIPEMENTS ELECTRIQUES MOTEUR. Inventor/es: PIERRET, JEAN-MARIE.

LA INVENCION SE REFIERE A UN CIRCUITO INTEGRADO PARA REGULAR LA EXCITACION DE UN ALTERNADOR DE VEHICULO AUTOMOVIL. EL CIRCUITO COMPRENDE UN TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO (MOS), UNA UNIDAD DE CONTROL QUE CONTROLA EL TRANSISTOR CON EFECTO CAMPO, UN DIODO DE RUEDA LIBRE (DRL) Y UNA RESISTENCIA INTEGRADA (R) ENTRE EL DIODO DE RUEDA LIBRE (DRL) Y UN TERMINAL DE SALIDA (OU). SEGUN LA INVENCION, ESTANDO EL CIRCUITO INTEGRADO REALIZADO CON TECNOLOGIA HORIZONTAL, LA RESISTENCIA (R) SE REALIZA EN UNA BOLSA DE UN CIERTO TIPO DE CONDUCTIVIDAD (N) QUE PERTENECE AL DIODO DE RUEDA LIBRE Y LLEVA AL MENOS UNA CAJA RESISTIVA DE ESTE MISMO TIPO (N++), ALOJADA PARCIALMENTE EN AL MENOS UNA CAJA DE AISLAMIENTO ASOCIADA DE OTRO TIPO DE CONDUCTIVIDAD Y SEPARADA DE DICHO SUSTRATO. CADA CAJA RESISTIVA ESTA CONECTADA EN UN EXTREMO AL TERMINAL DE SALIDA (OUT), Y A DISTANCIA DE DICHO EXTREMO, A DICHA BOLSA . APLICACION EN LA MEJORA DEL COMPORTAMIENTO DEL CIRCUITO EN LAS INVERSIONES ACCIDENTALES DE POLARIDAD.

(16/11/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: HONEYWELL INC.. Inventor/es: DRIES, MICHAEL, F., ROISEN, ROGER, L.

EN UN CIRCUITO TERMICAMENTE AISLADO FORMADO SOBRE UN SEMICONDUCTOR SOBRE UNA ESTRUCTURA AISLANTE QUE INCLUYE UN SEMICONDUCTOR RODEADO POR UNA PORCION EXTERIOR DE SEMICONDUCTOR CON UN AISLADOR ENTRE MEDIAS, UNA CAVIDAD FORMADA EN EL SUBSTRATO DE SEMICONDUCTOR SUBYACENTE OPUESTO AL ISLOTE ASEGURA UN AISLAMIENTO TERMICO.

(16/12/1998). Solicitante/s: SCHLUMBERGER INDUSTRIES S.A.. Inventor/es: RHELIMI, ALAIN.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO DE SEGURIDAD QUE CONTIENE INFORMACIONES SECRETAS, DEL TIPO QUE COMPRENDE UNA ZONA DE MEMORIA DE UN CIRCUITO INTEGRADO QUE RECIBE DICHAS INFORMACIONES Y MEDIOS DE PROTECCION QUE RECUBREN SOLIDARIAMENTE AL MENOS LA ZONA DE MEMORIA. LOS MEDIOS DE PROTECCIONES ESTAN CONSTITUIDOS POR AL MENOS UN SEGUNDO CIRCUITO INTEGRADO . EL DISPOSITIVO COMPRENDE ADEMAS MEDIOS DE CONEXION (9,9') INTERACTIVOS ENTRE LOS DOS CIRCUITOS INTEGRADOS, Y MEDIOS DE DESTRUCCION DE LAS INFORMACIONES SECRETAS EN CASO DE RUPTURA O PERTURBACION DE LA CONEXION.

(16/10/1997). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: KIENZLER, RAINER, FLEISCHER, ULRICH, ELBRACHT, BERTHOLD.

SE PROPONE UNA ETAPA FINAL TRANSMISORA PARA UN SISTEMA DE TRANSMISION DE DATOS QUE ABARCA POR LO MENOS UNA UNIDAD DE CONTROL Y LINEAS DE TRANSMISION DE DATOS, EN PARTICULAR PARA UN SISTEMA DE BUS-CAN QUE COMPRENDE POR LO MENOS UN CONTROLADOR CAN Y UN BUS-CAN (CB), EL CUAL SE CARACTERIZA PORQUE LOS ELEMENTOS DE CONEXION INDIVIDUALES ESTAN INTEGRADOS MONOLITICAMENTE. POR LA DISPOSICION ESPECIAL Y POR LA DISPOSICION TECNICA DE CONMUTACION DE LOS DIFERENTES ELEMENTOS (3,5; R1,D1,T1; R2,D2,T2; D10,D20) DE LA ETAPA FINAL TRANSMISORA, SE REDUCEN A UN MINIMO LAS REPERCUSIONES DE INTERFERENCIAS, POR EJEMPLO, DE CORTOCIRCUITOS DE LAS LINEAS DE DATOS CONTRA MASA O CONTRA LAS TENSIONES DE ALIMENTACION. POR ELLO SE ALCANZAN MEDIANTE LA SELECCION ESPECIAL DE LOS PRE-EXCITADORES TIEMPOS DE RETARDO MINIMOS, DE FORMA QUE SE PUEDEN TRANSMITIR SEÑALES CON ELEVADAS TASAS DE DATOS.

(01/10/1997). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: BYRNE, GERARD.

SE PROPONE UN TRANSISTOR DE CANAL P CON UN ELECTRODO = DE DRENAJE, ELECTRODO DE FUENTE Y UN ELECTRODO DE BULK, POR LO QUE EL ELECTRODO DE DRENAJE Y EL ELECTRODO DE FUENTE SE CONFORMAN COMO "REGION P" EN UNA BANDEJA-N Y LA BANDEJA SE COLOCA EN LA REGION P AMBIENTAL. EL ELECTRODO DE BULK SE CONECTA SIMULTANEAMENTE A LA CONEXION DE LA BANDEJA Y AL ELECTRODO DE FUENTE, MIENTRAS EL ELECTRODO DE DRENAJE SE CONECTA EN EL POLO (+) POSITIVO DE LA TENSION DE FUNCIONAMIENTO. A TRAVES DE ESTA DISPOSICION CON PEQUEÑAS NECESIDADES SUPERFICIALES SE CONSIGUE UNA RESISTENCIA SEGURA DEL POLO, ESTOS PIERDEN UNA PEQUEÑA CORRIENTE DESPRECIABLE SOLAMENTE A TEMPERATURA ELEVADA Y SOLAMENTE SE NECESITA UNA UNICA BANDEJA SOBRE LA CUAL PUEDE COLOCARSE TAMBIEN OTROS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION.

(16/04/1997). Solicitante/s: AUSTRIA MIKRO SYSTEME INTERNATIONAL AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: TRONTELJ, JANEZ, PROF. DR., TRONTELJ, LOJZE, PROF. DR., PLETERSEK, ANTON, DR., KUNC, VINKO MAG.

EN UN CIRCUITO PARA LA PROTECCION DE LA TENSION DE ALIMENTACION EN UN CIRCUITO DE APLICACION INTEGRADO CMOS, SE FABRICA UN TRANSISTOR BIPOLAR (BT) EN UN SUBSTRATO COMUN (S) CONJUNTAMENTE CON EL RESTO DE CIRCUITOS Y EL CIRCUITO DE APLICACION, DE TAL MODO, QUE EL COLECTOR (K), EL CUAL REPRESENTA A LA VEZ TAMBIEN EL PRIMER CONTACTO EN EL SUBSTRATO, SE ENCUENTRA A UNA DISTANCIA EN LA MAGNITUD DE 1,5 VECES LA PROFUNDIDAD DE LA ISLA (O), EN DONDE SE ENCUENTRA EL EMISOR (E) Y LA BASE (B). ENTRE EL COLECTOR (K) Y EL SEGUNDO CONTACTO EN EL SUBSTRATO (SK) MONTADO A UNA DISTANCIA LEJANA DE EL, SE ENCUENTRA LA ZONA PROHIBIDA (FIG.2), PARA AQUELLOS TIPOS DE TRANSISTORES, A LOS CUALES LES SON OPUESTOS EL TIPO DE CONDUCTIVIDAD DEL SUBSTRATO (S).

(16/02/1997). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: DAVIES, NEIL, DENNER, VOLKMAR, TROELENBERG, WOLFGANG, BRAUCHLE, PETER, FOX, WILLIAM-NEIL.

SE PROPONE UN CIRCUITO INTEGRADO MONOLITICAMENTE, QUE ESTA POSICIONADO EN UN SEMICONDUCTOR DE SILICIO MONOCRISTALINO EN FORMA DE DISCO DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE TIENE UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA SUPERFICIE PRINCIPAL. EL CIRCUITO INTEGRADO MONOLITICAMENTE CONTIENE UN TRANSISTOR (T1) DE POTENCIA MOSFET VERTICAL, COMPUESTO DE UNA SERIE DE TRANSISTORES PARCIALES CONECTADOS MUTUAMENTE EN PARALELO Y ESTA RODEADO POR UN ANILLO PROTECTOR DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA A LA DEL CUERPO SEMICONDUCTOR . AL MENOS UNA ZONA DEL TIPO DE CONDUCTIVIDAD DEL CUERPO SEMICONDUCTOR , PERO CON UNA MAYOR DISCONTINUIDAD DE CONCENTRACION, ESTA DIFUNDIDA DENTRO DEL ANILLO PROTECTOR DESDE LA PRIMERA SUPERFICIE PRINCIPAL PARA FORMAR POR LO MENOS UN COMPONENTE (T2) DEL CIRCUITO PERIFERICO ACTIVO Y/O PASIVO, EL CUAL ESTA DISEÑADO PARA FUNCION DE PROTECCION Y/O REGULACION Y/O CONTROL.

(16/12/1995). Solicitante/s: DAVID SARNOFF RESEARCH CENTER, INC. SHARP CORPORATION. Inventor/es: AVERY, LESLIE, RONALD.

SE EXPONE UN DISPOSITIVO PARA PROTEGER UN CIRCUITO INTEGRADO DE LA ENERGIA TRANSITORIA. EL DISPOSITIVO PROPORCIONA UNA SCR PROVISTA DE UNA TENSION DE DISPARO REDUCIDA.

(01/12/1995). Solicitante/s: ADVANCED MICRO DEVICES INC.. Inventor/es: WOO, ANN K.

UN SISTEMA DE PROTECCION ESTATICO DE ELECTRICIDAD PARA UTILIZACION CON UN COMPONENTE MOS (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR) , QUE TIENE UNA ENTRADA DE PUERTA INCLUYENDO UNA CAPA DE OXIDO. UNA PUERTA DE TRANSMISION QUE TIENE UN GENERADOR Y UN ELEMENTO DE LA CORRIENTE DE DRENAJE, COMO UNA ENTRADA Y SALIDA RESPECTIVAMENTE, SE CONECTA A LA ENTRADA DE PUERTA DEL COMPONENTE MOS PARA PROTEGERLO DE LAS DESCARGAS REPENTINAS DE SOBREVOLTAJE ELECTRICO. EL GENERADOR DE LA PUERTA DE TRANSMISION Y EL ELEMENTO DE LA CORRIENTE DE DRENAJE, INCLUYEN UNA CAPA DE OXIDO SUSTANCIALMENTE MAS GRUESA QUE LA CAPA DE OXIDO DE LA ENTRADA DE PUERTA DEL COMPONENTE MOS.

(01/12/1995). Solicitante/s: ADVANCED MICRO DEVICES INC.. Inventor/es: HURST, ROGER SCOTT, GILFEATHER, GLEN.

CIRCUITO DE PROTECCION PARA CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES PARA EVITAR QUE LAS DESCARGAS ELECTROSTATICAS LE ORIGINEN DAÑOS ACCIDENTALES. CONSTA DE UNA PLURALIDAD DE REDES DE FIJACION (12A-12N), CADA UNA DE LAS CUALES (12A-12N) ESTA CONECTADA ENTRE UNA DE LAS CLAVIJAS DE ENTRADA/SALIDA (P1-PN) DEL CIRCUITO INTEGRADO Y UNA LINEA DE BUS COMUN , QUE ESTA CONECTADA A UNA CLAVIJA EXTERNA DE SUBSTRATO (PS). CADA UNA DE LAS REDES DE FIJACION (12A-12N) INCLUYE UN RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (T1), UN DIODO (D1), UN PRIMER RESISTOR (R1) Y UN SEGUNDO RESISTOR (R2). CUANDO CUALQUIERA DE LAS CLAVIJAS EXTERNAS DE ENTRADA/SALIDA (P1-PN) RECIBA UN VOLTAJE MAS ELEVADO QUE UN VALOR PREDETERMINADO Y CUALQUIERA DE LAS RESTANTES CLAVIJAS EXTERNAS DE ENTRADA/SALIDA (PN-PN) SE PONE EN CONTACTO CON UN POTENCIAL DE TIERRA, SE FORMA UNA VIA DE DESCARGA POR EL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO Y UN DIODO UNICO PARA PROTEGER EL CIRCUITO INTERNO.

(01/11/1995). Solicitante/s: ADVANCED MICRO DEVICES INC.. Inventor/es: BILL, COLIN STEWART, VAN BUSKIRK, MICHAEL A., MONTALVO, ANTONIO J.

SE SUMINISTRA UN CIRCUITO DE BOMBA DE CARGA COMPRENDIENDO UN CONDENSADOR MOS, UN CONDENSADOR ("CONDENSADOR EN SERIES") CONECTADO EN SERIES, UN DIODO MOSFET, Y UNA GRAPA DE TENSION CONECTADA AL NUDO COMUN DEL CONDENSADOR MOS Y EL CONDENSADOR EN SERIES. UN NUMERO DE ESTOS CIRCUITOS DE BOMBA DE CARGA PUEDE SER PUESTO EN CASCADA PARA FORMAR UN CIRCUITO DE VARIAS ETAPAS DE BOMBEO DE CARGA. CADA CIRCUITO PUEDE ALCANZAR UNA TENSION DE SALIDA MAYOR QUE LA TENSION DE ROTURA DE OXIDO DE CADA CONDENSADOR INDIVIDUAL MOS. ESTE CIRCUITO DE BOMBA DE CARGA PUEDE TAMBIEN FUNCIONAR BAJO CONDICIONES BAJAS DE SUMINISTRO DE ENERGIA DE TENSION.

(01/09/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: SMOOHA YEHUDA.

LA PROTECCION MEJORADA FRENTE A LAS DESCARGAS ELECTROSTATICAS (ESD) SE OBTIENE PARA UN BUFFER DE SALIDA DE CIRCUITO INTEGRADO CONECTANDOLO A UNA ZONA DE UNION A TRAVES DE UNA RESISTENCIA . EN UNA DISPOSICION, LA RESISTENCIA ESTA ENB EL TERMINAL DE DRENADOR DEL TRANSISTOR DE CANAL N . EN UNA DISPOSICION MEJOR, EL DISPOSITIVO DE CONMUTACION DE CANAL N ESTA CONECTADO A LA ZONA DE UNION POR MEDIO DE MULTIPLES RESISTENCIAS . LAS RESISTENCIAS PUEDEN ESTAR FORMADAS EN FORMA DE CONDUCTORES DEPOSITADOS, TIPICAMENTE SILICIO O POLISICIO DOPADO. LA ZONA DE UNION TIENE TAMBIEN DISPOSITIVOS DE FIJACION FRENTE A SOBRETENSIONES, TIPICAMENTE DIODOS Y/O TRANSISTORES CONECTADOS A LOS CONDUCTORES DE ALIMENTACION CORRESPONDIENTES (VDD, VSS). EL USO DE RESISTENCIAS MULTIPLES EVITA LOS FALLOS DEBIDOS A PERTURBACIONES PRODUCIDAS POR FENOMENOS ESD.

(16/08/1994). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: KRIEDT, HANS, DIPL.-ING., ZIETEMANN, HEINZ, DIPL.-PHYS.

SE DESCRIBE UN CIRCUITO MONOLITICO TRANSISTORIZADO INTEGRABLE PARA LA LIMITACION DE SOBRETENSIONES POSITIVAS TRANSITORIAS EN UN CONDUCTOR ELECTRICO (L1) EN EL QUE EL EMISOR DE UN TRANSISTOR PNP (T1) SE CONECTA CON EL CONDUCTOR (L1), EN EL QUE EL COLECTOR DEL TRANSISTOR PNP (T1) ESTA CONECTADO CON UN POTENCIAL DE REFERENCIA (MASA), EN EL QUE LA BASE DEL TRANSISTOR PNP (T1) SE CONECTA, A TRAVES DE LA CONEXION EN PARALELO DE UNA RESISTENCIA (R1) DE VALOR ALTO Y DE UNA PRIMERA CAPACIDAD (C1) CON EL CONDUCTOR (L1), EN EL QUE LA BASE DEL TRANSISTOR PNP (T1) SE CONECTA, A TRAVES DE UNA SEGUNDA CAPACIDAD (C2) CON EL POTENCIAL DE REFERENCIA (MASA) Y EN EL QUE ESTE TRANSISTOR PNP (T1) SOLO ES CONDUCTOR, CUANDO SE REBASA UN VALOR UMBRAL DE POTENCIAL PREFIJADO, POSITIVO CON RELACION AL POTENCIAL DE REFERENCIA (MASA). ADEMAS, SE DESCRIBE UNA CONFIGURACION DE SEMICONDUCTORES PARA LA REALIZACION DEL CIRCUITO.

(01/01/1994). Solicitante/s: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: DIETZE, ANDREAS, DIPL.-ING., KRIEDT, HANS.

SE DESCRIBE UN CIRCUITO MONOLITICO TRANSISTORIZADO INTEGRABLE PARA LA PROTECCION DE UN INTERRUPTOR ELECTRICO CONTRA SOBRETENSIONES NEGATIVAS TRANSITORIAS EN EL QUE EL EMISOR DE UN TRANSISTOR NPN SE CONECTA CON EL CONDUCTOR A PROTEGER, EN EL QUE EL COLECTOR DE ESTE TRANSISTOR NPN SE CONECTA CON EL POTENCIAL DE ALIMENTACION POSITIVO Y EN EL QUE LA BASE DEL TRANSISTOR PNP SE CONECTA CON EL ANODO DE UN DIODO, CUYO CATODO ESTA CONECTADO CON UN POTENCIAL DE REFERENCIA.