Desfasador.

Un desfasador (100) que comprende:

una señal de entrada (102);



una señal de salida (104);

un circuito de protección contra descarga electrostática (106) que comprende un primer dispositivo de dos puertos (110_1) y un segundo dispositivo de dos puertos (110_2), cada uno de los cuales es conmutable entre un estado de alta impedancia y un estado de baja impedancia;

una primera trayectoria de la señal (108_1) entre la señal de entrada (102) y la señal de salida (104), en el que la primera trayectoria de la señal (108_1) comprende el primer dispositivo de dos puertos (110_1) del circuito de protección contra descarga electrostática (106) y una primera línea de retardo (112_1) configurada para proporcionar un primer desfase a una señal transmitida desde la señal de entrada (102) a la señal de salida (104) a través de la primera trayectoria de la señal (108_1); y

una segunda trayectoria de la señal (108_2) entre la señal de entrada (102) y la señal de salida (104), en el que la segunda trayectoria de la señal (108_2) comprende el segundo dispositivo de dos puertos (110_2) del circuito de protección contra descarga electrostática (106) y un segunda línea de retardo (112_2) configurada para proporcionar un segundo desfase, diferente del primer desfase, a la señal transmitida desde la señal de entrada (102) a la señal de salida (104) a través de la segunda trayectoria de la señal (108_2);

en el que el circuito de protección contra descarga electrostática es un circuito que se utiliza convencionalmente para proteger circuitos electrónicos sensibles a descargas electrostáticas de una descarga electrostática; y

en el que el primer dispositivo de dos puertos (110_1) y el segundo dispositivo de dos puertos (110_2) pueden descargar tensiones de descarga electrostática o corrientes de descarga electrostática de forma no destructiva en un evento de descarga electrostática; en el que se implementan cada uno de los dispositivos de dos puertos (110_1,110_2) del circuito de protección contra descarga electrostática (106)

- mediante dos diodos conectados a la inversa;

- o mediante un diodo de alta velocidad unidireccional adaptado para que funcione en un modo de funcionamiento de ruptura inversa en el estado de baja impedancia.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/056147.

Solicitante: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V..

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Hansastrasse 27C 80686 München ALEMANIA.

Inventor/es: MAYER, FRANK, WANSCH, RAINER, SCHÜHLER,MARIO, SCHLICHT,MICHAEL.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/02 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
  • H01P1/18 H01 […] › H01P GUIAS DE ONDAS; RESONADORES, LINEAS, U OTROS DISPOSITIVOS DEL TIPO DE GUIA DE ONDAS (que funcionan con frecuencias ópticas G02B). › H01P 1/00 Dispositivos auxiliares (dispositivos de acoplamiento del tipo guía de ondas H01P 5/00). › Desfasadores (H01P 1/165 tiene prioridad).
  • H01P1/185 H01P 1/00 […] › que utilizan un diodo o un tubo de descarga lleno de gas.
  • H05K1/02 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS (detalles de instrumentos o detalles comparables de otros aparatos no previstos en otro lugar G12B; circuitos de película delgada o de película gruesa H01L 27/01, H01L 27/13; medios no impresos para realizar conexiones con o entre circuitos impresos H01R; envolturas o detalles de realización de tipos particulares de aparatos, ver las subclases apropiadas; procedimientos que sólo comprenden una técnica prevista en otro lugar, p. ej. calefacción, pulverización, ver la subclase apropiada). › H05K 1/00 Circuitos impresos (conjuntos consistentes en una pluralidad de semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, p. ej. circuitos integrados, circuitos de película delgada o de película gruesa H01L 27/00). › Detalles.

PDF original: ES-2719838_T3.pdf

 

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