CIRCUITO INTEGRADO PROTEGIDO CONTRA DESCARGAS ELECTROSTATICAS, CON UMBRAL DE PROTECCION VARIABLE.

EL INVENTO CONCIERNE A LA PROTECCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS CONTRA DESCARGAS ELESTROSTATICAS.

PARA ASEGURAR UNA PROTECCION TANTO EFICAZ COMO POSIBLE CONTRA LAS DESCARGAS ELECTROSTATICAS POR APLICACION EN ALUD DE UN DIODO (D) SIN QUE UNAS SOBRETENSIONES DE ORIGEN NO ELECTROSTATICO NO DESCONECTEN INTEMPESTIVAMENTE ESTA APLICACION EN ALUD, EL INVENTO PROPONE LA SOLUCION SIGUIENTE: POR UNA REJILLA AISLADA (G) RODEANDO EL CATODO DEL DIODO (D), SE MODIFICA EL UMBRAL DE PASO EN ALUD DEL DIODO EN FUNCION DEL DECLIVE DE LAS SOBRETENSIONES QUE SE PRESENTAN EN EL BORNE (B) A PROTEGER. LA REJILLA (G) ESTA UNIDA AL BORNE (B) POR UN CIRCUITO INTEGRADOR (R, C) DE TAL FORMA QUE LAS SOBRETENSIONES SON APLICADAS A LA REJILLA CON UN CIERTO RETRASO, INDUCIENDO ENTRE CATODO Y REJILLA UNA DIFERENCIA DE POTENCIAL TANTO MAS IMPORTANTE CUANDO AL FRENTE DE LA SOBRETENSION ES MAS DURA. EL UMBRAL DE DESCONEXION DE ALUD ES MAS ELEVADO EN EL SEGUNDO CASO QUE EN EL PRIMER Y SE PUEDE ASI HACER UNA DISCRIMINACION ENTRE SOBRETENSIONES DE ORIGEN DIVERSO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A..

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 7, AVENUE GALLIENI, F-94250 GENTILLY.

Inventor/es: KOWALSKI, JACEK, TAILLIET, FRANCOIS.

Fecha de Publicación: 1 de Diciembre de 2000.

Fecha Concesión Europea: 19 de Julio de 2000.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L27/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.
H01L29/72 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas.

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