(15/07/2020). Solicitante/s: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Inventor/es: SIDOROV,VICTOR, ZHYTNYTSKA,RIMMA, WUERFL,JOACHIM.

Procedimiento para la producción de una metalización para al menos una almohadilla de contacto con las siguientes etapas de procedimiento: - aplicar al menos una almohadilla de contacto a una oblea semiconductora , - aplicar una capa de barrera al lado superior de la al menos una almohadilla de contacto , - aplicar una metalización al lado superior de la capa de barrera , configurándose la metalización como estructura de capas de dos capas de metalización de alternancia múltiple , configurándose la primera capa de metalización de níquel con un grosor de capa de menos de 100 nm y la segunda capa de metalización con un espesor de capa de entre 30 nm y 50 nm; caracterizado porque la capa de barrera y la metalización se aplican por medio de deposición física en fase de vapor, la segunda capa de metalización se configura de oro y la suma de los grosores de capa de las primeras capas de metalización es de más de 1 μm.

PDF original: ES-2818349_T3.pdf

(27/02/2019). Solicitante/s: SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.. Inventor/es: TACHIBANA,KEN, NOMURA,HIKARU.

Una aleación de soldadura sin plomo para unir un electrodo de Cu que contiene una capa de revestimiento chapado de Ni, teniendo la aleación de soldadura una composición de aleación que consiste en 31 a 59 % en masa de Bi, 0,3 a 1,0 % en masa de Cu, 0,01 a 0,06 % en masa de Ni, y al menos un elemento seleccionado entre el grupo que consiste en 0,001 a 0,07 % en masa de P y 0,001 a 0,03 % en masa de Ge, y un resto de Sn en el que la aleación de soldadura tiene un punto de fusión de 185 grados C o menos, una resistencia a la tracción de 70 MPa o más y una elongación del 65 % o más.

PDF original: ES-2702152_T3.pdf

(11/05/2016). Solicitante/s: SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.. Inventor/es: YOSHIKAWA,SHUNSAKU, YAMANAKA,YOSHIE, TACHIBANA,KEN, NOMURA,HIKARU.

Una bola de soldadura sin plomo que se instala para su uso como un electrodo en una superficie posterior de un sustrato de módulo para una BGA o un CSP a soldarse a una placa de circuito impresa usando una pasta de soldadura, teniendo la bola de soldadura una composición de soldadura que consiste en un 1,6 - 2,9 % en masa de Ag, un 0,7 - 0,8 % en masa de Cu y un 0,05 - 0,08 % en masa de Ni, opcionalmente al menos uno de los siguientes (i) y (ii) y un remanente de Sn: (i) al menos un elemento seleccionado de Fe, Co y Pt en una cantidad total de un 0,003 - 0,1 % en masa y (ii) al menos un elemento seleccionado de Bi, In, Sb, P y Ge en una cantidad total de un 0,003 - 0,1 % en masa.

PDF original: ES-2665854_T3.pdf

(16/02/2006). Solicitante/s: BEIERSDORF AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: PFAFF, RONALD, ENGELDINGER, HANS, KARL.

Film adhesivo electroconductor, termoplástico y termoactivable que contiene: i) un polímero termoplástico en una proporción del 30 hasta el 89, 9% en peso ii) una o varias resinas taquificantes en una proporción del 5 hasta el 50% en peso y/o iii) resinas epoxi con endurecedores, y eventualmente con acelerantes, en una proporción del 5 hasta el 40% en peso, iv) esferas de vidrio plateadas en una proporción del 0, 1 hasta el 40% en peso, v) de modo que el diámetro de las esferas de vidrio es, como mínimo, igual al espesor del film adhesivo.

(16/08/2004). Solicitante/s: BEIERSDORF AG. Inventor/es: PFAFF, RONALD.

Lámina adhesiva conductora, termoactivable para implantar móculos eléctricos en tarjetas que contiene un polímero termoplástico, un adhesivo, una resina epoxi, partículas metalizadas y partículas espaciadoras duras con un alto punto de fusión. Lámina adhesiva electroconductora, termoactivable a base de polímero termoplástico, resina adhesiva, resina epoxi y partículas metalizadas, contiene también partículas espaciadoras no deformables que no se funden a al temperatura de enlace de la lámina. Lámina adhesiva electroconductora, termoplástica, termoactivable que contiene: (i) al menos un 30% en peso de polímero termoplástico, (ii) de 5 a 50% en peso de resina(s) adhesiva(s), (iii) de 5 a 40% en peso de resinas epoxi con endurecedores y opcionalmente también aceleradores, (iv) de 0,1 a 40% en peso de partículas metalizadas y (v) de 1 a 10% en peso de partículas espaciadoras que no se deforman o lo hacen solo con dificultad y que no se funden a la temperatura de enlace de la lámina.

(16/11/2000). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: JIN, SUNGHO, MCCORMACK, MARK THOMAS.

SEGUN LA INVENCION, SE ADHIERE UN DISPOSITIVO ELECTRONICO QUE TIENE UNA O MAS ALMOHADILLAS DE CONTACTO A UNA RED DE PARTICULAS DE SOLDADURA TRANSFERIBLES QUE HAY SOBRE UNA LAMINA DE SOPORTE RETIRABLE . EL SOPORTE SE RETIRA, MEDIANTE DISOLUCION, POR EJEMPLO, DEJANDO LA SOLDADURA SELECTIVAMENTE ADHERIDA A LAS ALMOHADILLAS DE CONTACTO. EN UN ASPECTO PREFERENTE DE LA INVENCION, EL MEDIO DE SOPORTE DE LA SOLDADURA ES SOLUBLE EN AGUA Y LAS PARTICULAS DE SOLDADURA CONTIENEN UNAS PARTICULAS MAGNETICAS REVESTIDAS CON UNA SOLDADURA. LA APLICACION DE UN MATERIAL MAGNETICO MIENTRAS EL MEDIO SE SECA O SE CURA, HACE QUE SE PRODUZCA UNA RED REGULAR DE LAS PARTICULAS REVESTIDAS CON LA SOLDADURA. MEDIANTE LA UTILIZACION DE ESTE METODO, SE PUEDEN INTERCONECTAR FACILMENTE DISPOSITIVO QUE TIENEN UNAS ESTRUCTURAS DE CONTACTO MAS PEQUEÑAS DE LO NORMAL.

(01/11/2000). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: GRUNWALD, WERNER, HAUG, RALF, SEYFFERT, MARTIN, HAUSCHILD, FRANK-DIETER.

SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA LA UNION DE UNA CONEXION ELECTRICA SOBRE UN COMPONENTE IC NO EMPAQUETADO A UNA PISTA CONDUCTORA SOBRE UN SUBSTRATO . SE APLICA UN RECUBRIMIENTO FACILMENTE NO METALIZABLE A LA SUPERFICIE DE UNA CONEXION ELECTRICA A SER CONTACTADA. LA SUPERFICIE DE LA CONEXION A SER CONTACTADA SE DISPONE A UNA DISTANCIA Y EN FRENTE DE UNA SUPERFICIE DE TIERRA Y LA SUPERFICIE A SER CONTACTADA A FIN DE LLENAR EL ESPACIO LIBRE ENTRE LAS DOS SUPERFICIES A SER CONTACTADAS.

(16/01/1999). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, YU, CHEN-HUA DOUGLAS.

UN CONTACTO AUTOALINEADO AL SUSTRATO (EJ. 1) QUE SE ENCUENTRA EN LA REGION QUE HAY ENTRE DOS ELECTRODOS DE COMPUERTA (EJ. 3) SE FORMA A BASE DE DEPOSITAR UNA CAPA DIELECTRICA CONFORME (EJ. 13) Y DARLE FORMA PARA FORMAR UNA VENTANA DE CONTACTO (EJ. 17). LOS ELEMENTOS CONDUCTORES DEL ELECTRODO DE COMPUERTA (EJ. 3) NO ENTRAN EN CONTACTO DEBIDO A LA DIFERENCIA EN LAS VELOCIDADES DE ATAQUE ENTRE LOS ELEMENTOS DIELECTRICOS CONFORMES (EJ. 13) Y LOS ELEMENTOS AISLANTES (EJ. 11) DE LA ESTRUCTURA DE COMPUERTA (EJ. 3).

(01/11/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, LIU, CHUN-TING, LIU, RUICHEN.

SE FABRICA UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CON UNA CAPA DE ATENUADOR DE VENTANA (POR EJEMPLO 9) QUE ESTA DIBUJADO USANDO UN DIELECTRICO DIBUJADO (POR EJEMPLO 11) CON SEPARACION SUBLITOGRAFICA COMO UNA MASCARA GRABADA. LOS ATRIBUTOS DESEABLES DEL TRANSISTOR COMPRENDE UNA PEQUEÑA CAPACITANCIA DE UNIO.

(01/10/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: LEE, KUO-HUA, SUNG, JANMYE.

SE ABRE UN CONTACTO DE PUERTA (EJ. 19) RESPECTO A UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SOBRE LA FUENTE/ZONA DE DRENAJE (EJ. 21) FORMANDO CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15) ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5), QUE TIENE UNA CAPA SUPERIOR DE NITRURO (EJ. 11), Y LAS ZONAS DE OXIDO DEL CAMPO (EJ. 3). SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) POR OXIDACION Y MORDENTADO DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) Y LAS CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15). SE PUEDE DEPOSITAR UNA CAPA DE OXIDO (EJ. 31) ANTES DEL MORDENTADO. EL ULTIMO PASO ABRE UN CONTACTO DE PUERTA, PERO NO EXPONE EL SILICIO EN LA CLAVIJA (EJ. 15) A CAUSA DE LAS DISTINTAS VELOCIDADES DE OXIDACION DE LA CLAVIJA DE POLISILICIO (EJ. 15), Y EL MATERIAL (EJ. 11) DE LA PARTE SUPERIOR DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) CREA CAPAS DE OXIDO QUE TIENEN DISTINTOS ESPESORES. AHORA SE EXTRAE EL NITRURO Y SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) RESPECTO A LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5).

(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: POINGT, FRANCIS, LIEVIN, JEAN-LOUIS, GAUMONT-GOARIN, ELISABETH.

PROCESO DE TRATAMIENTO LOCALIZADO EN UN SALIENTE, EN PARTICULAR DE LITOGRABADO SOBRE SUSTRATO SEMICONDUCTOR. SEGUN ESTE PROCESO SE LLEVA UNA RESINA DE PROTECCION UTILIZADA PARA EL LITOGRABADO A FLUIR BAJO EL EFECTO DE SU TENSION SUPERFICIAL PARA AUMENTAR SU ESPESOR ALREDEDOR DE UN SALIENTE SOBRE LA QUE SE DEBE FORMAR UNA VENTANA . LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE LOS LASERES SEMICONDUCTORES.

(16/10/1997). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHITTIPEDDI, SAILESH, COCHRAN, WILLIAM THOMAS, KELLY, MICHAEL JAMES.

SE HA DESCUBIERTO UN METODO DE FABRICACION DE UN CIRCUITO INTEGRADO, QUE INCLUYE LA FORMACION DE UNA CAPA ADICIONAL (E. G., 23, 25) DE SILICONA EN LAS APERTURAS EN CONTACTO, QUE SON RELLENADAS CON ALUMINIO (E. G., 21). LA CAPA ADICIONAL DE SILICONA (E. G., 23, 25), ES PUESTA ADYACENTE A LA CAPA DE ALUMINIO, PARA PROVEER SILICONA PARA SU INTERDIFUSION DENTRO DEL ALUMINIO, Y ASI PODER EVITAR LA PERFORACION EN LA UNION. LA SILICONA ADICCIONAL PUEDE SER IMPLANTADA POR IONES, O POR CAPAS FORMADAS SEPARADAMENTE (E. G., 23, 25).

(16/10/1997). Solicitante/s: THOMSON-CSF. Inventor/es: LEROY, MICHEL, VAL, CHRISTIAN.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO Y UN DISPOSITIVO PARA LA INTERCONEXION DE PLACAS SEMICONDUCTORAS APILADAS, CONTENIENDO CADA UNA DE LAS PLACAS UN CIRCUITO INTEGRADO. POR ESTE PROPOSITO, LAS PLACAS SEMICONDUCTORAS (P) ESTAN APILADAS Y HECHAS SOLIDARIAS UNAS DE OTRAS. EN UN MODO DE REALIZACION, SUS BORNES DE CONEXION ESTAN CADA UNO CONECTADOS MEDIANTE UN HILO (F) A UNA CARA CUALQUIERA DEL APILAMIENTO SALVO UNA (B), DESTINADA A ESTAR EN CONTACTO CON UN CIRCUITO IMPRESO. LA CONEXION DE LAS PLACAS ENTRE SI Y DE ESTAS ULTIMAS CON EL CIRCUITO IMPRESO, SE REALIZA SOBRE LAS CARAS (F SUB V, F SUB S, F SUB L) DEL APILAMIENTO.

(16/11/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: FREY, BRENDA DIANE, JOSEPH, CHARLES ARNOLD, OLSHEFSKI, FRANCIS JOHN, WILSON, JAMES WARREN.

SE PRESENTA UN SOPORTE DE CHIP QUE COMPRENDE UN SUSTRATO DE SOPORTE DE CHIP Y AL MENOS UN CHIP SEMICONDUCTOR MONTADO EN UNA CONFIGURACION DE CHIP DE VUELO, A TRAVES DE UNA S BOLAS DE SOLDADURA, SOBRE UNA SUPERFICIE CIRCUITADA DEL SUSTRATO DE SOPORTE DE CHIP. LAS BOLAS DE SOLDADURA SON ENCAPSULADAS EN UN PRIMER ENCAPSULANTE QUE TIENE UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UN EPOXI. ADEMAS, AL MENOS UNA PARTE DE LA CIRCUITERIA SOBRE LA SUPERFICIE CIRCUITADA ESTA ENCAPSULADA EN UN SEGUNDO ENCAPSULANTE QUE TIENEN UNA COMPOSICION QUE COMPRENDE UN URETANO, Y CUYA COMPOSICION ES ELEGIDA DE MANERA QUE EL SEGUNDO ENCAPSULANTE EXHIBA UN MODULO DE ELASTICIDAD QUE ES IGUAL O INFERIOR A 69.106 N/M2 CONSIGUIENTEMENTE, EL SEGUNDO ENCAPSULANTE NO EXHIBE NI GRIETAS INTERNAS, NI GRIETAS DE ENTRECARAS EN LA INTERCONEXION CON EL PRIMER ENCAPSULANTE, NI EL SEGUNDO ENCAPSULADO SE DELAMINA A PARTIR DE LA SUPERFICIE CIRCUITADA, CUANDO EL SOPORTE DE CHIP ES CICLADO TERMICAMENTE.

(16/07/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, FAVREAU, DAVID PAUL, BOLLINGER, CHERYL ANNE, STEINER, KURT GEORGE, VITKAVAGE, DANIEL JOSEPH.

SE FORMAN CONTACTOS AUTOALIENADOS PARA REGIONES ENTRE CARACTERISTICAS ESTRECHAMENTE SEPARADAS MEDIANTE UN METODO QUE UTILIZA RELACIONES DE DECAPADO DIFERENCIALES ENTRE DIELECTRICOS PRIMERO Y SEGUNDO DEPOSITADOS SOBRE CARACTERISTICAS ESTRECHAMENTE SEPARADAS.

(01/04/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: HILLS, GRAHAM WILLIAM, HUTTEMANN, ROBERT DONALD, OLASUPO, KOLAWOLE R.

UN CIRCUITO INTEGRADO ESTA HECHO MEDIANTE UNA TECNICA QUE PROPORCIONA, UNA FUENTE, DE SOBRE PUERTA ELECTRONICA DIELECTRICA PLANAR, Y PARTES DE DRENAJE, SIN SOBRE-GRABADO DE LA PARTE DE CONTACTO DE LA PUERTA. EN EL PROCESO, LAS VENTANAS DE CONTACTO ESTAN GRABADAS EN EL DIELECTRICO CONFORMADO ANTES DEL PASO PLANARIZADOR, DE TAL MANERA QUE EL GROSOR DEL GRABADO ES EL MISMO PARA LA PUERTA, QUE PARA LAS VENTANAS DE NACIMIENTO/DRENAJE. ENTONCES, UN POLIMERO SACRIFICADOR PLANARIZANTE, (P.EJ. UN FOTORESISTENTE) ES DEPOSITADO PARA CUBRIR EL DIELECTRICO CONFORMADO Y LLENAR LAS VENTANAS GRABADAS. FINALMENTE SE HACE UNA GRABACION PLANARIZADORA, Y ES REMOVIDO EL POLIMERO DE LAS VENTANAS DE CONTACTO. UN DIELECTRICO PLANARIZADO SE CONSIGUE SIN UNA EXCESIVA GRABACION EN LAS VENTANAS DE PUERTAS ELECTRONICAS.

(16/01/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: DAVISON, KERRY LEEDS.

LA UNION AUTOMATICA DE UNA CINTA DE SOLDADURA DE LAS CONEXIONES A UN CHIP INTEGRADO SE REALIZA USANDO UN DISPOSITIVO TERMICO DE CARA APLANADA Y TEMPERATURA CONSTANTE Y USANDO UNA LAMINA DE SUJECCION PARA MANTENER LAS CONEXIONES EN CONTACTO CON EL CHIP INTEGRADO.

(01/04/1995). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: DEHAINE, GERARD.

SOBRE EL SOPORTE TAB , QUE CONSTA DE UNA ARAÑA TAB ENCOLADA EN UN SUBSTRATO PREFORMADO Y DOTADA DE PATAS CUYOS EXTREMOS ILB DESCANSAN EN UN MARCO AISLANTE , ESTE MARCO ES UN ELEMENTO UNIDO A LAS PATAS, INDEPENDIENTE DEL SUBSTRATO Y DE MENOR ESPESOR QUE EL DE ESTE.

(01/11/1994). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: LOSCH, KURT, DR., FLORJANCIC, MATJAZ, DR.

PARA LA CONEXION DE UN CHIPS CONTENIENDO ELEMENTOS DE CONSTRUCCION OPTICOS CON UN SUBSTRATO SE PRODUCEN ELEMENTOS DE CONEXION OPTICOS Y ELECTRICOS EN UN SOPORTE INTERMEDIO FLEXIBLE Y SEGUN EL PROCEDIMIENTO CONOCIDO DE FONDO DE FIL PARA CONEXIONES ELECTRICAS SE CONECTA TANTO CON ELEMENTOS DE CIERRE DEL CHIPS COMO TAMBIEN CON VIAS CONDUCTORAS O CONDUCTORES DE ONDAS OPTICOS SOBRE EL SUBSTRATO. SI LOS ELEMENTOS DE CONEXION OPTICOS ESTAN COLOCADOS ESPACIALMENTE ENTRE LOS ELEMENTOS DE CONEXION ELECTRICOS . SE MANTENDRAN Y JUSTICARAN LAS CONEXIONES DE SOLDADURA PRODUCIDAS A AMBOS LADOS DE LOS ELEMENTOS DE CONEXION ELECTRICOS. EN EL SOPORTE INTERMEDIO FLEXIBLE PUEDEN PREVERSE, JUNTO A CIERRES DE ADAPTADOR DE PRUEBA ELECTRICOS, CURVAS DE PRUEBA OPTICA QUE CONECTAN UNAS CON OTRAS LAS ENTRADAS Y SALIDAS OPTICAS Y LAS SUPRIMEN EN POSTERIORES PROCESOS DE ESTAMPACION.

(01/04/1994). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: COCHRAN, WILLIAM T., HILLS, GRAHAM W., GARCIA, AGUSTIN M., YEH, JENN L.

SE DESCRIBE UNA DISPOSICION METALICA AUTOALINEADA, AUTOPLANAR DE INTERCONEXIONES MULTINIVEL QUE USA UNAS VENTANAS AUTOALINEADAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS. LAS TRINCHERAS SE GRABAN DENTRO DE UN DIELECTRICO Y ENTONCES, USANDO UNA CAPA DE PARADA DEL GRABADO SOBRE EL TECHO DEL DIELECTRICO SE PREVIENE EL GRABADO NO DESEADO DEL DIELECTRICO, LAS VENTANAS AUTOALINEADAS QUE EXPONEN LAS PORCIONES DE SUBSTRATO SE GRABAN EN EL DIELECTRICO . LAS VENTANAS AUTOALINEADAS SE PUEDEN FORMAR TAMBIEN SIN UNA MASCARA.

(16/08/1993). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN. Inventor/es: JOSQUIN, WILHELMUS J.M.J.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE CONSTA DE UN CIRCUITO CON UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA ZONAS DE ELECTRODOS DE CONDUCTIVIDAD OPUESTA. EL ADULTERANTE PARA LA SEGUNDA ZONA DE ELECTRODO VA EN EL CUERPO DEL SEMICONDUCTOR A TRAVES DE UNA ABERTURA EN UNA CAPA DE ENMASCARAMIENTO , ABERTURA QUE SE REDUCE MEDIANTE BORDES DE MATERIAL DE PASIVACION. LA SEGUNDA ZONA DE ELECTRODO ESTA CONECTADA A UNA CAPA CONDUCTORA QUE SE EXTIENDE A TRAVES DE LA CAPA Y LOS BORDES HASTA LA ABERTURA DE TAMAÑO REDUCIDO. ESTA PUEDE DERIVARSE DE LA ABERTURA DE ADULTERACION SIN TOMAR EN CUENTA UNA TOLERANCIA DE ALINEAMIENTO. PREFERIBLEMENTE, LA CAPA COMPRENDERA UN PATRON DE MATERIAL CONDUCTOR ELECTRICO DE GEOMETRIA CERRADA QUE RODEA TOTALMENTE LA ABERTURA.

(01/06/1992). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BOUDOU, ALAIN, BONNAL, MARIE-FRANCOISE, ROUILLON-MARTIN, MARTINE.

EL CONDUCTOR 15 A UNIR A LA REGION DOPADA 12 DEL SUBSTRATO 11 PRESENTA UN BORDE 15A SOBRE EL CUAL SE DIRIGE EL HAZ LASER 20 REGULADO PARA CREAR DEFINITIVAMENTE UNA ZONA DE POCA RESISTENCIA ELECTRICA 19 EN LA CAPA DIELECTRICA 13 QUE SEPARA EL CONDUCTOR DE LA REGION DOPADA. LA INVENCION SE APLICA ESPECIALMENTE A LA PROGRAMACION POR LASER DE MEMORIAS AVERIADAS Y CIRCUITOS INTEGRADOS DEFECTUOSOS CON OBJETO DE SU REPARACION.

(01/01/1992). Ver ilustración. Solicitante/s: VAISALA OY. Inventor/es: LEHTO, ARI, LAHDENPERA, JUHA, KUISMA, HEIKKI.

TRANSDUCTOR MULTICAPA CON CONTACTOS POSTIZOS Y METODO PARA LA INCORPORACION DE DICHOS CONTACTOS. LA INVENCION DA A CONOCER UN NUEVO TRANSDUCTOR MULTICAPA (1') CON CONTACTOS POSTIZOS Y UN METODO PARA LA INCORPORACION DE DICHAS AREAS DE CONTACTO (5') DEL TRANSDUCTOR. DE ACUERDO CON LA PRESENTE INVENCION, LAS ARES DE CONTACTO (5') QUEDAN CONSTITUIDAS EN LA SUPERFICIE LATERAL DEL TRANSDUCTOR POR DEPOSITO DE METAL UTILIZANDO DEPOSITO BASADO EN RAYOS LASER, BOMBARDEO IONICO U OTRO METODO DE METALIZACION ADECUADO. EN VIRTUD DEL NUEVO METODO DE REALIZACION DE LAS AREAS DE CONTACTO, EL TAMAÑO DEL TRANSDUCTOR (1') PUEDE SER REDUCIDO Y EL TRANSDUCTOR (1') PUEDE QUEDAR UNIDO A UNA PLACA DE CIRCUITO UTILIZANDO TECNOLOGIAS DE MONTAJES SUPERFICIALES.