CONTACTO EN UN HUECO DE CONTACTO DE UN SEMICONDUCTOR Y METODO DE PRODUCCION DEL MISMO.
UN CONTACTO ESTABLE, DE BAJA RESISTENCIA, SE FORMA EN UN HUECO DE CONTACTO (16) EN UNA CAPA AISLANTE (14),
POR EJEMPLO DIOXIDO DE SILICIO, FORMADA SOBRE LA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (12), POR EJEMPLO SILICIO, HASTA UNA PARTE DE UN AREA IMPURIFICADA (10) EN DICHA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR. EL CONTACTO COMPRENDE: A) UNA CAPA DE ADHESION Y CONTACTO (18), DE TITANIO, FORMADA A LO LARGO DE LAS PAREDES DE LA CAPA AISLANTE Y EN CONTACTO CON LA PORCION DEL AREA IMPURIFICADA, B) UNA CAPA DE BARRERA (20) FORMADA SOBRE LA CAPA ADHERENTE DE CONTACTO Y C) UN MATERIAL CONDUCTOR (22) FORMADO SOBRE LA CAPA DE BARRERA Y QUE LLENA EL REFERIDO HUECO DE CONTACTO. UNA LAMINA PATRON DE METAL (26) FORMA UN CONTACTO OHMICO INTERCONECTADO CON OTROS DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS EXTERNOS. LA CAPA DE ADHESION Y CONTACTO Y LA DE BARRERA SON FISICA O QUIMICAMENTE DEPOSITADAS EN FORMA DE VAPOR SOBRE LA SUPERFICIE DEL OXIDO. LA CAPA CONDUCTORA CONSTA DE WOLFRAMIO (CVD) O PULVERIZADO POR BOMBARDEO IONICO, MOLIBDENO O POLISILICIO (CVD) IMPURIFICADO IN SITU. EL CONTACTO EVITA PROBLEMAS DE INTERFERENCIA EN LA INTERFAZ OXIDO-SILICIO Y AGUJEROS HELICOIDALES ASOCIADOS CON OTROS ESQUEMAS DE CONTACTOS, PERO MANTIENE LA SIMPLICIDAD DEL PROCESO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ADVANCED MICRO DEVICES INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 901 THOMPSON PLACE P.O. BOX 3453, SUNNYVALE, CA 94088.
Inventor/es: FARNAAM, MOHAMMAD, SLIWA, JACK, SANDER, CRAIG S., KLEIN, RICHARD K., DIXIT, PANKAJ.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 24 de Agosto de 1994.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/60 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
Patentes similares o relacionadas:
Procedimiento para producir una metalización con capas de metalización de Ni y Au de alternancia múltiple sobre al menos una almohadilla de contacto sobre una oblea semiconductora, del 15 de Julio de 2020, de FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.: Procedimiento para la producción de una metalización para al menos una almohadilla de contacto con las siguientes etapas de procedimiento: […]
Ensamblaje de un chip microelectrónico a una ranura con un elemento de cableado en forma de cordón y procedimiento de ensamblaje, del 3 de Abril de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Ensamblaje de por lo menos un chip microelectrónico con un elemento de cableado , dicho por lo menos un chip microelectrónico comprende un componente microelectrónico […]
Procedimiento de conexión de un chip a una antena de un dispositivo de identificación por radiofrecuencia del tipo de tarjeta con chip sin contacto, del 5 de Marzo de 2019, de ASK S.A.: Procedimiento de conexión de un chip sobre una antena de un dispositivo de identificación por radiofrecuencia del tipo tarjeta con chip sin contacto que […]
Aleación de soldadura sin plomo, del 27 de Febrero de 2019, de SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.: Una aleación de soldadura sin plomo para unir un electrodo de Cu que contiene una capa de revestimiento chapado de Ni, teniendo la aleación de soldadura una […]
Conjuntos de chips semiconductores, procedimientos de fabricación de los mismos y componentes para los mismos, del 3 de Agosto de 2016, de TESSERA, INC.: Un conjunto de chip semiconductor, que comprende: un chip semiconductor que tiene una pluralidad de caras ; una pluralidad de contactos […]
Bola de soldadura sin plomo, del 11 de Mayo de 2016, de SENJU METAL INDUSTRY CO. LTD.: Una bola de soldadura sin plomo que se instala para su uso como un electrodo en una superficie posterior de un sustrato de módulo para una BGA o un CSP […]
Método para sellar y poner en contacto sustratos utilizando luz láser y módulo electrónico, del 6 de Mayo de 2015, de Corelase OY (100.0%): Un método para fundir y poner en contacto eléctrico un primer sustrato aislante (28A) que tiene al menos una primera capa conductora (29A) sobre el con al menos un […]
Conector de chip de circuito y método de conexión de un chip de circuito, del 26 de Febrero de 2014, de Motorola Solutions, Inc: Una etiqueta de identificación por radiofrecuencia (RFID), que comprende:
un primer sustrato, con un primer elemento de antena y un segundo […]