METODO DE FABRICACION DE PERLAS DE SOLDADURA Y PERLAS DE SOLDADURA FORMADAS MEDIANTE EL MISMO.
LA BASE DE LAS COMBAS DE SOLDADURA SE PRESERVA CONVIERTIENDO EL METAL DE DEBAJO DE LA COMBADURA ENTRE LA COMBADURA DE SOLDADURA Y EL TERMINAL DE CONTACTO EN UN MATERIAL INTERMETALICO ENTRE LA SOLDADURA Y EL COMPONENTE SOLDABLE DEL METAL DE DEBAJO DE LA COMBADURA ANTES DE EFECTUAR EL ATAQUE QUIMICO A LA PARTE METALICO DE DEBAJO DE LA SOLDADURA.
EL MATERIAL INTERMETALICO ES RESISTENTE A LOS AGENTES DE ATAQUE QUIMICO QUE SE UTILIZAN PARA ATACAR QUIMICAMENTE EL METAL DE DEBAJO DE LA SOLDADURA ENTRE LOS TERMINALES DE CONTACTO. DE ESTA FORMA, SE PRODUCE UN RECORTE MINIMO DE LAS COMBADURAS DE LA SOLDADURA, Y SE PRESERVA SU TAMAÑO. LA SOLDADURA PUEDE ELECTRODEPOSITARSE SOBRE EL MATERIAL METALICO DE DEBAJO DE LA COMBADURA POR ENCIMA DEL TERMINAL DE CONTACTO A TRAVES DE UNA CAPA DE DAMA DE SOLDADURA CONFORMADA QUE TENGA UNA REGION DE ACUMULACION DE SOLDADURA SOBRE LA MISMA. LA DAMA DE SOLDADURA ES PREFERIBLEMENTE UNA CAPA DE PELICULA FINA QUE PUEDE ALINEARSE EXACTAMENTE CON EL TERMINAL DE CONTACTO INFERIOR PARA CONFINAR LA MOJADURA DE LA SOLDADURA FUNDIDA DURANTE EL REFLUJO. DE ESTA FORMA PUEDE REDUCIRSE EL DESALINEAMIENTO ENTRE LA COMBADURA DE SOLDADURA Y EL TERMINAL DE CONTACTO. LAS COMBADURAS DE SOLDADURA ASI FORMADAS INCLUYEN UNA CAPA DE MATERIAL INTERMETALICO QUE SE EXTIENDE MAS ALLA DE LA COMBADURA PARA FORMAR UN LABIO ALREDEDOR DE LA BASE DE LA COMBADURA. EL LABIO SUMINISTRA UNA PROTECCION EXTRA PARA LA COMBADURA DE SOLDADURA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: MCNC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 3021 CORNWALLIS ROAD, POST OFFICE BOX 12889,RESEARCH TRIANGLE PARK, NORTH.
Inventor/es: YUNG, EDWARD, K.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 11 de Septiembre de 1992.
Fecha Concesión Europea: 13 de Agosto de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/60 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
- H01L23/48 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Mónaco, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Canadá, Japón, República de Corea.
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