Conjuntos de chips semiconductores, procedimientos de fabricación de los mismos y componentes para los mismos.

Un conjunto de chip semiconductor, que comprende: un chip (28) semiconductor que tiene una pluralidad de caras (36,

38); una pluralidad de contactos (40) en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una capa separadora (42) que se apoya en una superficie de dicha pluralidad de superficies de dicho chip semiconductor; una pluralidad de terminales (48) para su conexión a una pluralidad de zonas terminales de contacto de un sustrato al cual el conjunto va a ser montado, estando dispuestos dichos terminales separados sobre la capa separadora y al menos parte de dichos terminales recubriendo una superficie de dicha pluralidad de superficies del chip semiconductor, de forma que dichos terminales yacen dentro de la periferia de una superficie y están aislados y separados del chip mediante la capa separadora; y una pluralidad de conexiones eléctricas que conectan dicha pluralidad de terminales a dicha pluralidad de contactos del chip semiconductor; caracterizadoporque dicha pluralidad de conexiones eléctricas comprende conductores flexibles (50) y porque la capa separadora (42) y los conductores flexibles (50) están dispuestos para permitir el movimiento de dichos terminales (48) que recubren el chip con relación a los contactos (40) del chip, de forma que dicho movimiento compensa la expansión térmica diferencial del chip y un sustrato, tras lo cual el conjunto es montado en servicio y de dicha forma contribuye a la habilidad del conjunto para resistir los ciclos térmicos cuando el conjunto está montado sobre un sustrato.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E01200301.

Solicitante: TESSERA, INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 103 FAIRVIEW PARK DRIVE ELMSFORD, NY 10523 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: KHANDROS, IGOR Y., DISTEFANO, THOMAS H.

Fecha de Publicación: 3 de Agosto de 2016.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/60 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
H01L21/822 H01L 21/00 […] › siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L21/98 H01L 21/00 […] › Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad).
H01L23/13 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por su forma.
H01L23/31 H01L 23/00 […] › caracterizados por su disposición.
H01L23/485 H01L 23/00 […] › formadas por estructuras laminares que comprenden capas conductoras y aislantes, p. ej. contactos planares.
H01L23/498 H01L 23/00 […] › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.
H01L23/58 H01L 23/00 […] › Disposiciones eléctricas estructurales no previstas en otra parte para dispositivos semiconductores.
H01L25/16 H01L […] › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de los tipos cubiertos por varios de los grupos principales H01L 27/00 - H01L 51/00, p. ej. circuitos híbridos.

PDF original: ES-2242704_T5.pdf

PDF original: ES-2242704_T3.pdf

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