(04/09/2019). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PEDRON,SIMON.

Procedimiento para el revestimiento de componentes sometidos a carga térmica y química de un reactor de lecho fluidizado para la producción de granulado de polisilicio altamente puro, en el que el reactor de lecho fluidizado exento de material a granel se lava con una mezcla gaseosa reactiva a una temperatura media de pared de tubo de 600 a 1400°C durante un intervalo de tiempo de 1 h a 8 días y a una presión de 1 a 15 bar (bar abs), y de este modo se dotan las superficies del reactor, que presentan una temperatura de más de 600ºC, de un revestimiento in situ de Si y/o Si3N4, a través de un procedimiento CVD.

PDF original: ES-2750843_T3.pdf

(21/12/2018). Solicitante/s: Litarion GmbH. Inventor/es: REEKEN, BURKHARD, PETRAT,FRANK-MARTIN, BUQA,HILMI, HOLZAPFEL,MICHAEL, WIGGERS,HARTMUT, NOVÁK,PETR.

Un procedimiento para producir partículas de carbono revestidas, caracterizado por que las partículas de carbono eléctricamente conductoras se revisten con silicio elemental dopado o sin dopar en un espacio de reacción mediante deposición química de vapor de al menos un silano gaseoso en una atmósfera gaseosa sin oxígeno, en el que las partículas de carbono eléctricamente conductoras están constantemente en movimiento durante la deposición de vapor y en el que se usan partículas de carbono que tienen un área superficial BET de 5 a 700 m²/g.

PDF original: ES-2694499_T3.pdf

(30/05/2018). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PECH,REINER, KERSCHER,MICHAEL, SANDNER,ARMIN.

Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende precipitación de silicio policristalino en cuerpos soporte que se encuentran en al menos un reactor, mediante lo cual se obtienen varas de silicio policristalinas, desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, caracterizado por que, tras el desmontaje de las varas de silicio policristalinas del reactor, al menos uno, y antes del desmenuzado de las varas de silicio policristalinas desmontadas en fragmentos, el silicio policristalino presente en forma de vara se clasifica en al menos dos clases de calidad por medio de al menos una característica, alimentándose éstas clases de calidad, al menos dos, a pasos de desmenuzado separados.

PDF original: ES-2677489_T3.pdf

(14/09/2017). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CHILE. Inventor/es: MOSQUERA VARGAS,Edgar Eduardo, MOREL ESCOBAR,Mauricio, CARVAJAL HERRERA,Nicolas Antonio, TAMAYO CALDERON,Rocio Maria, CABRERA PAPAMIJA,Gerardo.

La presente invención se refiere a nanotubos de carbono de pared múltiple (MWCNT de sus siglas en inglés, Multi-Wall Carbon Nanotubes) para adsorción de hidrógeno molecular, método de obtención de los nanotubos por técnica de deposición química en fase vapor asistida por aerosol (AACVD, de sus siglas en inglés, Aerosol Assisted Chemical Vapor Deposition) utilizando como catalizador mineral magnetita con una pureza >85%, y método de purificación de dichos nanotubos obtenidos para incrementar su capacidad de adsorción de hidrógeno.

(10/05/2017). Solicitante/s: GTAT Corporation. Inventor/es: GUM,JEFFREY C, BALLENGER,KEITH, CHARTIER,CARL, SCHWEYEN,ANDY.

Un sistema de reactor de deposición química de vapor, que comprende: al menos un primer filamento de tubo que tiene extremos primero y segundo, configurado el filamento de tubo para transportar una corriente eléctrica; una semilla unida al primer extremo del filamento de tubo; un mandril conectado a al menos la semilla , en el que el mandril está formado con un saliente que corresponde a una ranura de la semilla , de tal manera que el mandril está conectado eléctricamente al filamento de tubo; al menos un segundo filamento de tubo, teniendo dicho segundo filamento de tubo extremos primero y segundo, estando cada filamento de tubo conectado a una semilla y un mandril respectivos; y un puente que conecta los filamentos primero y segundo de tubo, en el que el puente comprende una pluralidad de rebajes , para aplicarse cada uno de los rebajes a uno de los extremos primeros de los filamentos primero y segundo de tubo.

PDF original: ES-2636966_T3.pdf

(12/04/2017). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: WEBER, MARTIN, KRAUS, HEINZ, PECH,REINER, DORNBERGER,ERICH, KERSCHER,MICHAEL.

Vara de silicio policristalina con un diámetro total de al menos 150 mm, que contiene un núcleo (A) con una porosidad de 0 a menos de 0,01 alradedor de una vara delgada y al menos dos zonas B y C subsiguientes, que se diferencian en su porosidad en un factor de 1,7 a 23, siendo la zona C externa menos porosa que la zona B.

PDF original: ES-2626554_T3.pdf

(24/02/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: WEIDHAUS,DIETER, Hauswirth,Rainer, Hertlein,Harald.

Granulado de silicio policristalino, que comprende una matriz compacta y una capa superficial que contiene cristalitas aciculares, dispuestas en paralelo.

PDF original: ES-2561028_T3.pdf

(16/10/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: DEGUSSA AG. Inventor/es: SONNENSCHEIN, RAYMUND, DR..

Dispositivo para la deposición de un sólido (B) por descomposición térmica de una sustancia (A) gaseosa, en el que la sustancia (A) utilizada posee una densidad mayor que la de los productos (C) gaseosos formados en la descomposición, caracterizado por un vaso , cuyo fondo está orientado en dirección a la gravedad terrestre (g) y su zona de abertura contra la gravedad terrestre (g), el vaso puede calentarse directa o indirectamente mediante una unidad de calefacción, medición de temperatura y control, una unidad de alimentación de sustancias con conducción de sustancias y unidad de dosificación, en el que la unidad de alimentación de.

(16/07/2006). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: WEBER, THOMAS, BURGER, KURT, VOIGT, JOHANNES, LUCAS, SUSANNE.

La invención se refiere a un procedimiento para revestir un sustrato por depósito químico en fase de vapor activado por plasma. Para regular el bombardeo iónico durante el revestimiento, una tensión (US), producida independientemente del plasma de revestimiento se aplica al sustrato, siendo dicha tensión modificada durante el revestimiento. La tensión de sustrato (US) es, de manera apropiada, una tensión continua bipolar impulsada, que presenta una frecuencia comprendida entre 0,1 kHz y 10 lHz. La invención se refiere también a una estructura multicapa que resiste al desgaste y que reduce la fricción, constituida por capas individuales alternas de material con resistencia mecánica elevada y de carbono o de silicio.

(01/09/2003). Solicitante/s: SCHOTT,GLAS. Inventor/es: BAUER, STEFAN, LOHMEYER, MANFRED, DANIELZIK, BURKHARD, MIHL, WOLFGANG, FREITAG, NINA.

Procedimiento CVD-plasma para la producción de una capa microcristalina de Si:H sobre un sustrato, que comprende los pasos: 1.1 revestimiento por CVD asistido por plasma, de al menos una capa de Si:H delgada amorfa sobre el sustrato, 1.2 tratamiento asistido por plasma de la capa amorfa de Si:H con un plasma de hidrógeno, transformándose la capa amorfa de Si:H en una capa de Si:H microcristalina y 1.3 opcionalmente, repetición de los pasos 1.1 y 1.2, caracterizado porque el revestimiento o el tratamiento se lleva a cabo en un flujo continuo de los gases de revestimiento o de los gases de tratamiento y por medio de radiación electromagnética pulsante, que activa el plasma.

(16/11/1996). Solicitante/s: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE. Inventor/es: SLOOTMAN, FRANK, BOUARD, PASCAL.

LA INVENCION CONCIERNE A UN PROCESO PARA FORMAR UN DEPOSITO CONTENIENDO SILICIO EN LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO METALICO SEGUN EL CUAL SE PONE EN MARCHA, CONCOMITANTEMENTE O SUCESIVAMENTE, LAS ETAPAS SIGUIENTES: LA SUMISION DE LA DICHA SUPERFICIE A UNA DESCARGA ELECTRICA CON BARRERA DIELECTRICA; LA EXPOSICION DE LA DICHA SUPERFICIE A UNA ATMOSFERA QUE COMPORTA UN COMPUESTO DE SILICIO EN EL ESTADO GASEOSO, LAS ETAPAS Y SON EFECTUADAS A UNA PRESION SUPERIOR A 10.000 PA. LA INVENCION CONCIERNE IGUALMENTE A UN PROCESO DE TRATAMIENTO ANTICORROSION DE SUBSTRATO METALICO, ASI COMO UN SOPORTE POLIMERO METALIZADO.

(16/04/1993). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAITOH, KEISHI, HIROOKA, MASAAKI, HANNA, JUN-ICHI, SHIMIZU, ISAMU.

UN METODO PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA POR INTRODUCCION DE UN MATERIAL INICIAL GASEOSO PARA FORMACION DE UNA MEMBRANA DEPOSITADA Y UN AGENTE OXIDANTE HALOGENO GASEOSO QUE TIENE LA PROPIEDAD DE LA ACCION DE OXIDACION SOBRE LOS MATERIALES INICIALES, SEPARADAMENTE DESDE CADA UNO, EN UN ESPACIO DE REACCION PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA DE ACUERDO CON LA REACCION QUIMICA, LA CUAL INCLUYE PREVIAMENTE LA ACTIVACION DE UNA SUSTANCIA GASEOSA (B) PARA LA FORMACION DE UN CONTROLADOR DE BANDA ABIERTA EN UN ESPACIO DE ACTIVACION PARA FORMAR UNA ESPECIA ACTIVADA E INTRODUCCION DE LA ESPECIE ACTIVADA, DENTRO DEL ESPACIO DE REACCION PARA FORMAR UNA MEMBRANA DEPOSITADA, CONTROLADA EN BANDA ABIERTA SOBRE UN SUSTRATO EXISTENTE EN LA MEMBRANA, FORMANDO UN ESPACIO.

(16/10/1989). Solicitante/s: DOW CORNING CORPORATION. Inventor/es: SHARP, KENNETH, GEORGE, D\'ERRICO, JOHN JOSEPH.

UN METODO PARA FORMAR UNA PELICULA DE SILICIO AMORFO SOBRE UN SUSTRATO. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA FORMAR PELICULAS DE SILICIO, AMORFAS, FOTOCONDUCTORAS Y SEMICONDUCTORAS MEDIANTE LA DESCOMPOSICION TERMICA, EN FASE DE VAPOR, DE UN FLUORHIDRUROSILANO O UNA MEZCLA DE FLUORHIDRUROSILANOS. LA INVENCION TIENE UTILIDAD PARA PROTEGER SUPERFICIES, INCLUYENDO LAS DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

(01/02/1983). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE DE UN MATERIAL QUE INCLUYE SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE DEPOSITA SOBRE UN SUSTRATO, MEDIANTE DEPOSICION A VACIO, UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR; SEGUNDA, AL CITADO MATERIAL SE LE AÑADE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA; Y POR ULTIMO, LA REACCION DE LA COMPOSICION FORMADA QUE CONTIENE SILICIO, PROVOCADA POR LA DEPOSICION A VACIO, ES CONTROLADA HASTA LA OBTENCION DE LA ALEACION BUSCADA. DE APLICACION EN DISPOSITIVOS FOTORRECEPTORES, EN MEDIOS FOTOCONDUCTORES Y EN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.

(16/12/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE. CARACTERIZADO PORQUE COMPRENDE EL DEPOSITAR SOBRE UN SUSTRATO, MEDIANTE DEPOSICION A VACIO, UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO; PORQUE INCORPORA UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DEL CITADO MATERIAL QUE INCLUYE SILICIO CON UNA DEPOSICION A VACIO, CON LA CONDICION DE QUE SE HA DE INTRODUCIR POR LO MENOS UN ELEMENTO DE INCREMENTO DE INTERVALO DE BANDA; PORQUE DICHO ELEMENTO DE INCREMENTO ES CARBONO O NITROGENO; PORQUE LA DEPOSICION A VACIO PUEDE SER UNA DEPOSICION CON VAPOR, UNA DEPOSICION DE CHISPA O UNA DEPOSICION MEDIANTE DESCARGA LUMINISCENTE; Y PORQUE LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES Y FOTODIODOS.

(16/12/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE A PARTIR DE UN MATERIAL QUE CONTIENE SILICIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. CONSISTE EN DEPOSITAR SOBRE UN SUBSTRATO MEDIANTE DEPOSICION A VACIO UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS SILICIO Y QUE INCORPORA EL ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DE DICHO MATERIAL CON VAPOR, Y CON LA CONDICION DE QUE SE INTRODUCE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA. LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA Y EN ELLA SE INTRODUCE EL ELEMENTO DE AJUSTE. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTORECEPTORES, TALES COMO CELULAS SOLARES.

(16/12/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

METODO PARA PREPARAR UNA ALEACION AMORFA FOTOSENSIBLE A PARTIR DE UN MATERIAL QUE CONTIENE GERMANIO Y QUE INCORPORA POR LO MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR. CONSISTE EN DEPOSITAR SOBRE UN SUBSTRATO MEDIANTE DEPOSICION A VACIO UN MATERIAL QUE INCLUYE POR LO MENOS GERMANIO Y QUE INCORPORA EL ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, SIENDO DICHO ELEMENTO EL FLUOR, MEDIANTE REACCION DE DICHO MATERIAL CON VAPOR, Y CON LA CONDICION DE QUE SE INTRODUCE POR LO MENOS UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA. LA ALEACION SE DEPOSITA CON UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA Y EN ELLA SE INTRODUCE EL ELEMENTO DE AJUSTE. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTORECEPTORES, TALES COMO CELULAS SOLARES.

(16/12/1982). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..

DISPOSITIVO DE CELULAS MULTIPLES DE ALEACION FOTOSENSIBLE QUE TIENE INTERVALOS DE BANDA HECHOS A MEDIDA PARA APLICACIONES DE FOTORESPUESTA ESPECIFICAS. CARACTERIZADO PORQUE COMPRENDE POR LO MENOS DOS CELULAS, DE LAS CUALES UNA DE ELLAS INCLUYE UNA ALEACION DE CAPAS MULTIPLES AMORFAS, PRESENTANDO UNA REGION FOTOSENSIBLE ACTIVA; PORQUE POR LO MENOS UNA DE LAS CAPAS PERTENECIENTES A LA ALEACION DE CAPAS MULTIPLES AMORFAS TIENE UN ELEMENTO DE AJUSTE DE INTERVALO DE BANDA INCORPORADO EN ELLA, SIN AUMENTAR SUSTANCIALMENTE LOS ESTADOS EN DICHO INTERVALO; Y PORQUE DICHA CAPA DE ALEACION DE CELULA TIENE UN INTERVALO DE BANDA AJUSTADO PARA UNA FUNCION DE RESPUESTA A UNA LONGITUD DE ONDA ESPECIFICA, QUE ES DIFERENTE A LA CORRESPONDIENTE A LA OTRA U OTRAS CELULAS. DE APLICACION EN LA CONSTRUCCION DE FOTORECEPTORES, CELULAS SOLARES Y DISPOSITIVOS DE CONTROL DE CORRIENTE.