PROCESO PARA LA FORMACION DE PELICULA DEPOSITADA.

COMPRENDE LOS SIGUIENTES PASOS: (A) LA PREPARACION DE UN SUSTRATO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA DEPOSITADA MEDIANTE LA IRRADIACION SELECTIVA DE LA SUPERFICIE DE UN MIEMBRO DE BASE CON UN HAZ DE ENERGIA DE UNA ONDA ELECTROMAGNETICA O UN HAZ DE ELECTRONES A TRAVES DE UNA ATMOSFERA DE UN GAS REACTIVO PARA CONSEGUIR REGIONES DONDE LOS NUCLEOS DE CRISTAL SE FORMAN SELECTIVAMENTE SOBRE LA SUPERFICIE;

(B) FORMANDO UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE DICHO SUSTRATO MEDIANTE LA INTRODUCCION DE ESPECIES ACTIVADAS (A) FORMADAS POR DESCOMPOSICION DE UN COMPUESTO (SX) CONTENIENDO SILICIO Y UN HALOGENO Y UNAS ESPECIES ACTIVADAS (B) FORMADAS DE UNA SUSTANCIA QUIMICA (B) PARA LA FORMACION DE LA PELICULA, LA CUAL ES MUTUA Y QUIMICAMENTE REACTIVA CON LAS ESPECIES (A) EN EL INTERIOR DEL ESPACIO FORMADO EN LA PELICULA, EN EL CUAL DICHO SUSTRATRO ES DISPUESTO PREVIAMENTE PARA EFECTUAR LA REACCION QUIMICA ENTRE AMBAS; Y (C) LA INTRODUCCION EN EL INTERIOR DEL ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA DURANTE EL PASO (B) DE UNA SUSTANCIA GASEOSA (E) QUE TIENE ACCION CLORHIDRICA SOBRE LA PELICULA DEPOSITADA O UNA SUSTANCIA GASEOSA (E2) CAPAZ DE LA FORMACION DE LA SUSTANCIA GASEOSA (E) Y EXPONIENDO LA SUPERFICIE DE CRECIMIENTO DE LA PELICULA DEPOSITADA A LA SUSTANCIA GASEOSA (E) PARA APLICAR LA ACCION CLORHIDRICA SOBRE LA SUPERFICIE DE CRECIMIENTO DE LA PELICULA DEPOSITADA, EFECTUANDO DE ESTA FORMA EL CRECIMIENTO DEL CRISTAL PREFERENTEMENTE EN UNA DIRECCION DE CARA ESPECIFICA.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO.

Inventor/es: SANO, MASAFUMI.

Fecha de Publicación: 16 de Agosto de 1994.

Fecha Concesión Europea: 10 de Marzo de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/04 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Revestimiento de partes determinadas de la superficie, p. ej. por medio de máscaras.
C23C16/24 C23C 16/00 […] › Deposición solamente de silicio.
H01L21/205 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.

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