MATERIALES PARA ALIMENTACION DE DEPOSICION Y DOPANTES, UTILES EN LA FABRICACION DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO PARA DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y OTROS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

COMPUESTOS QUE TIENEN LA FORMULA (MX3)NM'X4-N, EN LA QUE M Y M' SON ATOMOS DIFERENTES DEL GRUPO 4A,

POR LO MENOS UNO DE M Y M' ES SILICIO, X ES HIDROGENO, HALOGENO O MEZCLAS DE ESTOS, Y N ES UN ENTERO ENTRE 1 Y 4 INCLUSIVE, SON UTILES COMO MATERIALES PARA ALIMENTACION DE DEPOSICION EN LA FORMACION DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO, EMPLEADAS EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y OTROS ELECTRONICAMENTE ACTIVOS. DOPANTES QUE TIENEN LA FORMULA (SIX3)MLX3-M, EN LA QUE L ES UN ATOMO DEL GRUPO 5A, ELEGIDO DEL GRUPO DE FOSFORO, ARSENICO, ANTIMONIO Y BISMUTO, X ES HIDROGENO, HALOGENO O MEZCLAS DE ESTOS Y M ES UN ENTERO ENTRE 1 Y 3 INCLUSIVE, SON UTILES PARA LA FABRICACION DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO, DOPADO NEGATIVAMENTE, EMPLEADAS EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y OTROS ELECTRONICAMENTE ACTIVOS. DOPANTES QUE TIENEN LA FORMULA YJX2, EN LA QUE Y ES HALOGENO O CARBONILO, J ES UN ATOMO DEL GRUPO 3A, Y X ES HIDROGENO, HALOGENO O MEZCLAS DE ESTOS, SON UTILES PARA LA FORMACION DE ALEACIONES DE SILICIO AMORFO HIDROGENADO, DOPADO POSITIVAMENTE, EMPLEADAS EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS Y OTROS ELECTRONICAMENTE ACTIVOS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SOLAREX CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1335 PICCARD DRIVE,ROCKVILLE MARYLAND 20850.

Inventor/es: DICKSON, CHARLES ROBERT.

Fecha de Publicación: 1 de Septiembre de 1995.

Fecha Concesión Europea: 5 de Abril de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C16/24 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición solamente de silicio.
H01L31/02 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Detalles.
H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

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